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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
NTMS4937NR2G	1.5600	RFQ	108	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	NTMS4937			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 500		Canal n						30 V	8.6a (TA)	4,5 V, 10V	6,5 mohm @ 7,5a, 10v	2,5 V @ 250µA	38,5 NC @ 10 V	± 20V	2563 pf @ 25 V	-	810mw (TA)
IXGX100N170	39.8540	RFQ	6958	Ixys	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixgx100	Standard			830 W	Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30				-																NPT	1700 V	170 A	600 A	3V @ 15V, 100A	-	425 NC	-
Buk9y29-40e / cx	-	RFQ	7745	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					Buk9						-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 500
Auirf6218strl	-	RFQ	4700	Infineon Technologies	Hexfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal p						150 V	27a (TC)	10V	150 mohm @ 16a, 10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2210 PF @ 25 V	-	250W (TC)
IXFH26N100X	19.7800	RFQ	5621	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh26			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						1000 V	26A (TC)	10V	320mohm @ 13a, 10v	6v @ 4ma	113 NC @ 10 V	± 30V	3290 pf @ 25 V	-	860W (TC)
RJP60F5DPM-00 # T1	-	RFQ	5080	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Abandonné à sic		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Rjp60f	Standard			45 W	À 3pfm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	Rjp60f5dpm00t1	EAR99	8541.29.0095	100				400 V, 30A, 5OHM, 15V																Tranché	600 V	80 A		1,8 V @ 15V, 40A	-	74 NC	53ns / 90ns
IPI530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5036	Infineon Technologies	Optimos ™	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Ipi530			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 262-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n						150 V	21A (TC)	8v, 10v	53MOHM @ 18A, 10V	4V @ 35µA	12 NC @ 10 V	± 20V	887 pf @ 75 V	-	68W (TC)
2SC4455Q-AA	0,1500	RFQ	18	Sanyo	*	En gros	Actif											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	1
IAUZ20N08S5L300ATMA1	1.1300	RFQ	7150	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ -5	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	Iauz20			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG-TSDSON-8-32	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n						80 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	30MOHM @ 10A, 10V	2v @ 8µA	10,5 NC @ 10 V	± 20V	599 PF @ 40 V	-	30W (TC)
RJK03S3DPA-00 # J5A	0,8200	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif					RJK03S3			-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000																-
2SK2989 (T6Cano, F, M	-	RFQ	9386	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SK2989					To-92mod	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	1									5A (TJ)
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ipb65r			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						650 V	11a (TC)	10V	225MOHM @ 4.8A, 10V	4V à 240µA	20 nc @ 10 V	± 20V	996 PF @ 400 V	-	63W (TC)
BF909AWR, 115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	7 V		Support de surface	SC-82A, SOT-343	BF909		800 MHz	Mosfet		CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		40m		15 mA	-	-											2db										5 V
SI4340DY-T1-E3	-	RFQ	9910	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4340			MOSFET (Oxyde Métallique)	1.14W, 1.43W	14-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)							20V	7.3a, 9.9a		12MOHM @ 9.6A, 10V	2V à 250µA	15nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
DSA5001R0L	-	RFQ	3133	Composants Électroniques Panasoniques	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-85	DSA5001				150 MW	Smini3-f2-b	-	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0075	3 000																					50 V	100 mA										100 µA		Pnp	500 mV @ 10mA, 100mA	210 @ 2MA, 10V	150 MHz
2N3762U4	145.3500	RFQ	7286	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					10 W	U4	-			Atteindre non affecté	150-2n3762u4	EAR99	8541.29.0095	1																					40 V	1,5 A										100NA		Pnp	50mV @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 1V	-
STGP12NB60HD	-	RFQ	9172	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	STGP12	Standard			125 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000				480v, 12a, 10 ohms, 15v															80 ns	-	600 V	30 A	60 a	2,8 V @ 15V, 12A	210 µJ (off)	68 NC	5ns / 91ns
IRL60SC216Arma1	4.2200	RFQ	2488	Infineon Technologies	Strongirfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	IRL60			MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n						60 V	324A (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 100a, 10v	2,4 V @ 250µA	218 NC @ 4,5 V	± 20V	16000 PF @ 30 V	-	2.4W (TA), 375W (TC)
STW58N65DM2AG	11.6700	RFQ	8672	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW58			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n						650 V	48A (TC)	10V	65MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 25V	4100 pf @ 100 V	-	360W (TC)
IRF626	0,5300	RFQ	997	Harris Corporation	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						275 V	3.8A (TC)	10V	1,1 ohm @ 1,4a, 10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 25 V	-	40W (TC)
2SJ296STL-E	4.3800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Obsolète											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	69
AOD4186	0 2558	RFQ	7688	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	AOD418			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252 (dpak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						40 V	10A (TA), 35A (TC)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 20A, 10V	2,7 V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 20 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon Technologies	CoolMos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		PG à 251-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n						600 V	1.8A (TC)	10V	3ohm @ 1.1a, 10v	5,5 V @ 80µA	9,5 NC @ 10 V	± 20V	240 pf @ 25 V	-	25W (TC)
Ixtp20n65x2	5.0500	RFQ	279	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp20			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	238-IXTP20N65X2	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						650 V	20A (TC)	10V	185MOHM @ 10A, 10V	4,5 V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	290W (TC)
J112-D27Z	-	RFQ	1960	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					625 MW	To-92-3	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n													-														35 V	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA		50 ohms
MCU20N15-TP	-	RFQ	1040	Micro Commercial Co	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MCU20			MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						150 V	20A (TC)	10V	65MOHM @ 10A, 10V	4,5 V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 75 V	-	68W
IKW20N60AFKSA1	-	RFQ	4622	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tube	Obsolète		-	Par le trou	À 247-3	IKW20N60	Standard			166 W	PG à247-3-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240				400V, 20A, 12OHM, 15V															41 ns	Arête du Champ de Tranché	600 V	40 A	60 a	2.05V @ 15V, 20A	770µj	120 NC	18ns / 199ns
IKQ75N120CH3XKSA1	17.6700	RFQ	9404	Infineon Technologies	-	Tube	Pas de designs les nouveaux		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IKQ75N120	Standard			938 W	PG à247-3-46	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30				600V, 75A, 6OHM, 15V																-	1200 V	150 A	300 A	2,35 V @ 15V, 75A	6,4mj (on), 2,8mj (off)	370 NC	34NS / 282NS
AIHD04N60RATMA1	-	RFQ	3780	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	AIHD04	Standard			75 W	PG à 252-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001346862	EAR99	8541.29.0095	2 500				400V, 4A, 43OHM, 15V																Arête du Champ de Tranché	600 V	8 A	12 A	2.1V @ 15V, 4A	90 µJ (ON), 150 µJ (off)	27 NC	14ns / 146ns
AIHD15N60RFATMA1	-	RFQ	3667	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	AIHD15	Standard			240 W	PG à252-3-313	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500				400V, 15A, 15OHM, 15V																Arête du Champ de Tranché	600 V	30 A	45 A	2,5 V @ 15V, 15A	270 µJ (ON), 250 µJ (OFF)	90 NC	13ns / 160ns

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