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Transistors (100539)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4398DY-T1-E3 | - |  | 8832 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4398 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 19A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | 5620 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||
| SI4403BDY-T1-E3 | - | | 1996 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 7.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 17MOHM @ 9.9A, 4,5 V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.35W (TA) | ||||||||||||
| SI4427BDY-T1-E3 | 1.6500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4427 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 9.7A (TA) | 2,5 V, 10V | 10,5 mohm @ 12,6a, 10v | 1,4 V @ 250µA | 70 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
| SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | | 889 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 36 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
| SI4464DY-T1-E3 | 1.4100 | | 4829 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4464 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 1.7A (TA) | 6v, 10v | 240 MOHM @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
 | VDI100-06P1 | - | | 3171 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vdi | 294 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 600 V | 93 A | 2,8 V @ 15V, 100A | 1,4 mA | Oui | 4.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||
| VDI160-12P1 | - | | 4815 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vdi | 694 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 1200 V | 169 A | 3,5 V @ 15V, 160A | 6 mA | Oui | 6,5 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| VDI25-06P1 | - | | 5858 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vdi | 82 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 600 V | 24.5 A | 2,9 V @ 15V, 25A | 600 µA | Oui | 8 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| VDI75-12P1 | - | | 9790 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vdi | 379 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 1200 V | 92 A | 3.2v @ 15v, 75a | 3,7 Ma | Oui | 3,3 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vid125-12p1 | - | | 6974 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vid | 568 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 1200 V | 138 A | 3,4 V @ 15V, 125A | 5 mA | Oui | 5,5 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vid25-06p1 | - | | 9390 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vid | 82 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 600 V | 24.5 A | 2,9 V @ 15V, 25A | 600 µA | Oui | 8 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vid50-12p1 | - | | 3555 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vid | 208 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 1200 V | 49 A | 3,7 V @ 15V, 50A | 1,1 mA | Oui | 1,65 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vii50-06p1 | - | | 1356 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vii | 130 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Demi-pont | NPT | 600 V | 42,5 A | 2,9 V @ 15V, 50A | 600 µA | Oui | 16 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vii75-12p1 | - | | 1792 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vii | 379 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Demi-pont | NPT | 1200 V | 92 A | 3.2v @ 15v, 75a | 3,7 Ma | Oui | 3,3 nf @ 25 V | ||||||||||||||
| Vio125-12p1 | - | | 2914 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Eco-Pac2 | Vio | 568 W | Standard | Eco-Pac2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Célibataire | NPT | 1200 V | 138 A | 3,4 V @ 15V, 125A | 5 mA | Non | 5,5 nf @ 25 V | ||||||||||||||
 | VMM1500-0075P | - | | 1852 | 0,00000000 | Ixys | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Y3-li | Vmm | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | Y3-li | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Canaux N (double) | 75V | 1500A | 0,8MOHM @ 1200A, 10V | 4V @ 10mA | 2480nc @ 10v | - | - | ||||||||||||||
 | VMM45-02F | 33.7817 | | 4322 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | À 240aa | VMM45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 190W | À 240aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Canaux N (double) | 200 V | 45a | 45MOHM @ 22,5A, 10V | 4V @ 4mA | 225nc @ 10v | 7500pf @ 25v | - | |||||||||||||
| VMO550-01F | - | | 4691 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Y3-dcb | VMO550 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Y3-dcb | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Canal n | 100 V | 590A (TC) | 10V | 2,1MOHM @ 500mA, 10V | 6v @ 110mA | 2000 NC @ 10 V | ± 20V | 50000 pf @ 25 V | - | 2200W (TC) | |||||||||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8409 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 46MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 26 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.47W (TA) | ||||||||||||
| SI8424DB-T1-E1 | - | | 6622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8424 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 12.2A (TC) | 1,2 V, 4,5 V | 31MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 5 V | ± 5V | 1950 pf @ 4 V | - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | |||||||||||
 | SI8902EDB-T2-E1 | - | | 1454 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 micro Pieds®csp | SI8902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 6 Micro Foot ™ (2 36x1,56) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 20V | 3.9a | - | 1v @ 980µa | - | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
| SI8904EDB-T2-E1 | - | | 7351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 micro Pieds®csp | SI8904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 6 Micro Foot ™ (2 36x1,56) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | 3.8a | - | 1,6 V @ 250µA | - | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
| SI9435BDY-T1-E3 | 0,8900 | | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 4.1a (TA) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 5.7A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||
 | SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie812 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 8300 PF @ 20 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
| SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 2x5 | SIF912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W | PowerPak® (2x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | 7.4a | 19MOHM @ 7.4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 15nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | SUM40N10-30-E3 | - | | 8392 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 6v, 10v | 30 mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 107W (TC) | |||||||||||
| Sum47n10-24l-e3 | - | | 7940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 40A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 136W (TC) | |||||||||||
| SUM75N06-09L-E3 | - | | 4104 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 90a (TC) | 9.3MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 75 NC @ 10 V | 2400 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||
 | TP0610K-T1-E3 | 0,5000 | | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 185mA (TA) | 4,5 V, 10V | 6OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1,7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||||||||||
 | SI3911DV-T1-E3 | - | | 5753 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3911 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.8a | 145MOHM @ 2,2A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 7.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique |
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