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Transistors (100539)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC327A_J35Z onsemi BC327A_J35Z -
RFQ
 ECAD 2701 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC327 625 MW To-92-3 - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 000 45 V 800 mA 100NA Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
BC547_J35Z onsemi BC547_J35Z -
RFQ
 ECAD 8620 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC547 500 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
BC550_J35Z onsemi BC550_J35Z -
RFQ
 ECAD 6001 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC550 500 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
BF246A_J35Z onsemi BF246A_J35Z -
RFQ
 ECAD 6753 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BF246 350 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 Canal n - 30 V 30 ma @ 15 V 600 mV @ 100 na
BF246B_J35Z onsemi BF246B_J35Z -
RFQ
 ECAD 3850 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BF246 625 MW To-92-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 Canal n - 25 V 60 mA @ 15 V 600 mV @ 10 na
D44H10TU onsemi D44H10TU -
RFQ
 ECAD 5748 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Par le trou À 220-3 D44h À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 80 V 8 A - NPN - - -
FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-F109 4.2172
RFQ
 ECAD 5143 0,00000000 onsemi Superfet ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FCA20N60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pn télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 190MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ± 30V 3080 PF @ 25 V - 208W (TC)
FDA16N50-F109 onsemi FDA16N50-F109 3.0200
RFQ
 ECAD 346 0,00000000 onsemi UniFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FDA16N50 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pn télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 16,5a (TC) 10V 380mohm @ 8,3a, 10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 PF @ 25 V - 205W (TC)
FDA79N15 onsemi FDA79N15 -
RFQ
 ECAD 1858 0,00000000 onsemi UniFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FDA79 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pn télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 79a (TC) 10V 30MOHM @ 39.5A, 10V 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ± 30V 3410 PF @ 25 V - 417W (TC)
FDAF69N25 onsemi FDAF69N25 -
RFQ
 ECAD 4318 0,00000000 onsemi UniFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET FDAF69 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 34A (TC) 10V 41MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ± 30V 4640 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDB8444TS onsemi FDB8444TS -
RFQ
 ECAD 6976 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-6, d²pak (5 leads + tab), à 263ba FDB844 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-5 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 40 V 20A (TA), 70A (TC) 10V 5MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA 338 NC @ 20 V ± 20V 8410 PF @ 25 V - 181W (TC)
FDB8860-F085 onsemi FDB8860-F085 -
RFQ
 ECAD 6059 0,00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab FDB886 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 2,3MOHM @ 80A, 10V 3V à 250µA 214 NC @ 10 V ± 20V 12585 PF @ 15 V - 254W (TC)
FDC2612_F095 onsemi FDC2612_F095 -
RFQ
 ECAD 6627 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC2612 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 1.1A (TA) 10V 725MOHM @ 1.1A, 10V 4,5 V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 234 PF @ 100 V - 1.6W (TA)
FDC3512_F095 onsemi FDC3512_F095 -
RFQ
 ECAD 9567 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC3512 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 3a (ta) 6v, 10v 77MOHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 634 PF @ 40 V - 1.6W (TA)
FDC3612_F095 onsemi FDC3612_F095 -
RFQ
 ECAD 7871 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC3612 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 2.6A (TA) 6v, 10v 125 mohm @ 2,6a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 660 pf @ 50 V - 1.6W (TA)
FDC5612_F095 onsemi FDC5612_F095 -
RFQ
 ECAD 2694 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC5612 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 4.3A (TA) 6v, 10v 55MOHM @ 4.3A, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
FDC6020C_F077 onsemi FDC6020C_F077 -
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-SSOT À PLAGE PLAT, SuperSot ™ -6 FLMP FDC6020 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.2W Supersot ™ -6 flmp télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n et p 20V 5.9a, 4.2a 27MOHM @ 5.9A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 8nc @ 4,5 V 677pf @ 10v Porte de Niveau Logique
FDC602P_F095 onsemi FDC602P_F095 -
RFQ
 ECAD 4064 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC602 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 5.5A (TA) 2,5 V, 4,5 V 35MOHM @ 5,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 20 NC @ 4,5 V ± 12V 1456 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
FDC645N_F095 onsemi FDC645N_F095 -
RFQ
 ECAD 4484 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC645 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 5.5A (TA) 4,5 V, 10V 26MOHM @ 6.2A, 10V 2V à 250µA 21 NC @ 4,5 V ± 12V 1460 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
FDMS6681Z onsemi FDMS6681Z -
RFQ
 ECAD 6341 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS6681 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 21.1A (TA), 49A (TC) 4,5 V, 10V 3,2MOHM @ 22.1A, 10V 3V à 250µA 241 NC @ 10 V ± 25V 10380 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 73W (TC)
FDS6688AS onsemi FDS6688as -
RFQ
 ECAD 4729 0,00000000 onsemi PowerTrench® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS66 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 14.5A (TA) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 14.5A, 10V 3V à 250µA 63 NC @ 10 V ± 20V 2510 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 (F) -
RFQ
 ECAD 9123 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SC5439 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 450 V 8 A 100 µA (ICBO) NPN 1v @ 640mA, 3.2a 14 @ 1A, 5V -
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y (F) -
RFQ
 ECAD 9090 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SD2406 25 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 30 µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8 MHz
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 7505 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SK3309 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 MSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 450 V 10A (TA) 10V 650 mohm @ 5a, 10v 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 30V 920 PF @ 10 V - 65W (TC)
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 (Q) -
RFQ
 ECAD 8209 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 (w) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 70A (TA) 4,5 V, 10V 6,4MOHM @ 35A, 10V 2.3V @ 1mA 87 NC @ 10 V ± 20V 5450 PF @ 10 V - 45W (TC)
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 1647 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6107 MOSFET (Oxyde Métallique) VS-6 (2.9x2.8) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 4.5a (TA) 2v, 4,5 V 55MOHM @ 2,2A, 4,5 V 1,2 V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ± 12V 680 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 6955 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6901 400mw VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 1A, 700mA 100NA (ICBO) Npn, pnp 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8031 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 13.3MOHM @ 5.5A, 10V 2,5 V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 pf @ 10 V - -
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2448 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) TPC8208 MOSFET (Oxyde Métallique) 450mw 8-SOP (5.5x6.0) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 5A 50mohm @ 2,5a, 4v 1,2 V @ 200µA 9.5nc @ 5v 780pf @ 10v Porte de Niveau Logique
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8003 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 35A (TA) 4,5 V, 10V 6,6MOHM @ 18A, 10V 2.3V @ 1mA 25 NC @ 10 V ± 20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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