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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
SPD03N50C3ATMA1	0,7234	RFQ	8077	Infineon Technologies	CoolMos ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SPD03N50			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						500 V	3.2a (TC)	10V	1.4OHM @ 2A, 10V	3,9 V @ 135µA	15 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IXBT12N300HV	37.6500	RFQ	4241	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixbt12	Standard			160 W		À 268HV (ixbt)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30				1250 V, 12A, 10OHM, 15V															1,4 µs	-	3000 V	30 A	100 A	3.2V @ 15V, 12A	-	62 NC	64NS / 180NS
IGLD60R190D1AUMA3	14.3900	RFQ	100	Infineon Technologies	Coolgan ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-LDFN				Ganfet (niture de gallium)			PG-LSON-8-1	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						600 V	10A (TC)	-	-	1,6 V @ 960µA		-10v	157 pf @ 400 V	-	62,5W (TC)
MCQ08N06-TP	-	RFQ	1441	Micro Commercial Co	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MCQ08			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal n						60 V	8a (ta)	4,5 V, 10V	19,5 mohm @ 10a, 10v	3V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	864 pf @ 30 V		1.4W (TA)
Jantxv2n3500u4 / tr	-	RFQ	2639	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1 W		U4	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2N3500U4 / TR			50																					150 V	300 mA							50NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
BCW61B, 215	0,0200	RFQ	17	Semi-conduurs nxp	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					250 MW		À 236ab	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-BCW61B, 215-954			1																					32 V	100 mA							20NA (ICBO)			Pnp	550 mV à 1,25 mA, 50mA	180 @ 2MA, 5V	100 MHz
2N6650	98.3402	RFQ	6288	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6650				5 W		To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																					80 V	10 a							1 mA			PNP - Darlington	3V @ 100µA, 10A	1000 @ 5A, 3V	-
FDMS86200E	-	RFQ	8351	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	-	FDMS86200			-			-	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	2832-FDMS86200ETR	EAR99	8541.29.0095	3 000		-							9.6A (TA), 35A (TC)	-	-	-		-			-
KSC1008YTF	-	RFQ	2612	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSC1008				800 MW		To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																					60 V	700 mA							100NA (ICBO)			NPN	400 mV à 50ma, 500mA	120 @ 50mA, 2V	50 MHz
Irfs7430pbf	-	RFQ	9018	Infineon Technologies	Hexfet®, Strongirfet ™	Tube	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP001578352	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						40 V	195a (TC)	6v, 10v	1,2 mohm @ 100a, 10v	3,9 V @ 250µA	460 NC @ 10 V	± 20V	14240 PF @ 25 V	-	375W (TC)
2N6660-E3	-	RFQ	7399	Vishay Siliconix	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N6660			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-205ad (to-39)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	100		Canal n						60 V	990mA (TC)	5v, 10v	3OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	725MW (TA), 6,25W (TC)
2SC2655-O (ND2, AF)	-	RFQ	9458	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SC2655				900 MW		To-92mod	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.21.0075	1																					50 V	2 A							1µA (ICBO)			NPN	500 mV @ 50mA, 1A	70 @ 500mA, 2V	100 MHz
Jansd2n2906a	99.9500	RFQ	8581	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2906a			1																					60 V	600 mA							50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2SD2106-E	1.7600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif												télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1
TM-10	-	RFQ	7632	Rochester Electronics, LLC	-	En gros	Obsolète												-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2156-TM-10-2156	EAR99	8541.29.0095	1
IPB160N08S4-03ATMA1	-	RFQ	5530	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)				MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à263-7-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						80 V	160a (TC)	10V	3,2MOHM @ 100A, 10V	4V à 150µA	112 NC @ 10 V	± 20V	7750 pf @ 25 V	-	208W (TC)
STD180N4F6	1.6600	RFQ	409	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std18			MOSFET (Oxyde Métallique)			Dpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n						40 V	80A (TC)	10V	2,8MOHM @ 40A, 10V	4,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	7735 PF @ 25 V	-	130W (TC)
BC857AW-QF	0,0252	RFQ	8666	Nexperia USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC857				200 MW		SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1727-BC857AW-QFTR	EAR99	8541.21.0095	10 000																					45 V	100 mA							15NA (ICBO)			Pnp	600 mV @ 5mA, 100mA	125 @ 2MA, 5V	100 MHz
BFN39H6327	0,2000	RFQ	11	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa					1,5 w		SOT-223	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1 615																					300 V	200 mA							100NA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 10mA, 10V	100 MHz
Ff1000r17ie4s4bosa2	-	RFQ	4439	Infineon Technologies	PrimePack ™ 3	Plateau	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C	Soutenir de châssis	Module	FF1000				6250 W	Standard	Ag-prime3-1	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 indépendant																			-	1700 V	1390 A		2 45 V @ 15V, 1000A					5 mA	Oui	81 PF @ 25 V
SIE802DF-T1-E3	1.8574	RFQ	5701	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-Polarpak® (L)	Sie802			MOSFET (Oxyde Métallique)			10-Polarpak® (L)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n						30 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 23,6A, 10V	2,7 V @ 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
BU426A-S	-	RFQ	5037	Bourns Inc.	-	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 218-3	BU426				70 W		SOT-93	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	10 000																					400 V	6 A							1 mA			NPN	3V @ 1.25A, 4A	30 @ 600mA, 5V	-
Auirfs8405	-	RFQ	4002	Infineon Technologies	Hexfet®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Auirfs8405			MOSFET (Oxyde Métallique)			PG à 263-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						40 V	120A (TC)	10V	2,3MOHM @ 100A, 10V	3,9 V @ 100µA	161 NC @ 10 V	± 20V	5193 PF @ 25 V	-	163W (TC)
FQPF13N10	0,6100	RFQ	146	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n						100 V	8.7A (TC)	10V	180mohm @ 4.35a, 10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 25V	450 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Afic31025nr1	45.0303	RFQ	8614	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	32 V		Support de surface	Variante à 270-17,	AFIC31025		2,7 GHz ~ 3,1 GHz	LDMOS			À 270wb-17	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935343962528	EAR99	8541.29.0075	500			-			25W	30 dB											-
2N3773	4.5500	RFQ	307	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3					150 W		To-204 (to-3)	télécharger	Rohs3 conforme			2368-2n3773	EAR99	8541.29.0095	1																					140 V	16 A							10m			NPN	1,4 V @ 800mA, 8A	15 @ 8A, 4V	-
2PA1576S, 115	0,0200	RFQ	7813	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					2pa15							télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
Cph3431-tl-e	0 2400	RFQ	207	Sanyo	*	En gros	Actif												télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-CPH3431-TL-E-600057			1
Mrf6vp21khr5	883.3100	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	110 V		Soutenir de châssis	NI-1230	MRF6		225 MHz	LDMOS			NI-1230	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50	Double		-		150 mA	1000W	24 dB											-										50 V
MRF1570NT1	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	40 V		Soutenir de châssis	À 272-8	MRF15		470 MHz	LDMOS			À 272-8 enveloppe	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935313761528	EAR99	8541.21.0075	500			-		800 mA	70W	11,5 dB											-										12,5 V

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