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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | RJH3047ADPK-80 # T2 | 5.1800 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH30H1DPP-M0 # T2 | 1.7100 | ![]() | 3473 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 131 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH30H2DPK-M2 # T2 | 3.6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS14KM-10A # B00 | 1.7600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD794-AZ | - | ![]() | 2944 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 26 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHL080N120SC1A | 13.9700 | ![]() | 9050 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Nthl080 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 488-nTHL080N120SC1A | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 1200 V | 31A (TC) | 20V | 110MOHM @ 20A, 20V | 4.3 V @ 5mA | 56 NC @ 20 V | + 25V, -15V | 1670 PF @ 800 V | - | 178W (TC) | ||||||||
![]() | 2SC4695-TB-E | 0,3100 | ![]() | 75 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIPC19N80C3 | - | ![]() | 9533 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTB15N06VT4 | 0,6400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmzb150une315 | - | ![]() | 2485 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5N53TM | 0,4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 530 V | 4A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 640 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||
![]() | 2SK1399-T1B-A | 1 0000 | ![]() | 3813 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25AAJ-8F-T13 # F10 | 1.4700 | ![]() | 167 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | CY25AAJ | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | J111rlrp | - | ![]() | 4298 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3140-02-E | 2.7700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP69-16 | - | ![]() | 6851 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 3 W | PG-Sot223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 20 V | 1 a | 100NA (ICBO) | 500 MV à 100MA, 1A | 100 @ 500mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | HAF1002-92L | 4.5600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMBF170R650M1XTMA1 | 7.4600 | ![]() | 592 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca | IMBF170 | Sicfet (carbure de silicium) | PG à263-7-13 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 1700 V | 7.4a (TC) | 12V, 15V | 650 mohm @ 1,5a, 15v | 5,7 V @ 1,7mA | 8 NC @ 12 V | + 20V, -10V | 422 pf @ 1000 V | - | 88W (TC) | |||||||||
![]() | Irfcz44vb | - | ![]() | 9434 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | En gros | Obsolète | - | Support de surface | Mourir | MOSFET (Oxyde Métallique) | Mourir | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 448-irfcz44vb | OBSOLÈTE | 1 | - | 60 V | 55A | 10V | 16,5 mohm @ 55a, 10v | - | - | - | - | |||||||||||||
Ixta94n20x4 | 12.8000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Ixys | Ultra x4 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ixta94 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 238-IXTA94N20X4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 94a (TC) | 10V | 10,6MOHM @ 47A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5050 PF @ 25 V | - | 360W (TC) | |||||||||
![]() | BUK7M21-40E, 115 | 1 0000 | ![]() | 6146 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9435A | - | ![]() | 8938 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 30 V | 5.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 50mohm @ 5.3a, 10v | 3V à 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 25V | 528 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | PSMN1R5-30YL, 115 | - | ![]() | 3777 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS7728NH6327 | - | ![]() | 9911 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PG-Sot23-3-5 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 200mA (TA) | 4,5 V, 10V | 5OHM @ 500mA, 10V | 2,3 V @ 26µA | 1,5 NC @ 10 V | ± 20V | 56 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
![]() | FCPF380N60-F154 | 1.5282 | ![]() | 1166 | 0,00000000 | onsemi | Superfet® II | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | FCPF380 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 10.2a (TJ) | 380mohm @ 5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1665 PF @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||
![]() | Irfr7440trpbf | - | ![]() | 2155 | 0,00000000 | Redressleur International | Hexfet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 176 LQFP | MOSFET (Oxyde Métallique) | 176 LQFP (24x24) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 40 V | 90a (TC) | 6v, 10v | 2,4MOHM @ 90A, 10V | 3,9 V @ 100µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 4610 PF @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||
![]() | STW68N65DM6-4AG | 12.3100 | ![]() | 9273 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | STW68 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 497-stw68n65dm6-4ag | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 72A (TC) | 39MOHM @ 36A, 10V | 4,75 V @ 250µA | 118 NC @ 10 V | ± 25V | 5900 pf @ 100 V | - | 480W (TC) | |||||||||
![]() | NTMFS034N15MC | 2.0100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | NTMFS034 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 6.1A (TA), 31A (TC) | 31MOHM @ 13A, 10V | 4,5 V @ 70µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 905 PF @ 75 V | - | 2,5W (TA), 62,5W (TC) | ||||||||||
![]() | FDD6688 | 1.1100 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3845 PF @ 15 V | - | 83W (TA) | |||||||||||||
![]() | Auirf1404 | 3.3600 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Redressleur International | Hexfet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 4MOHM @ 95A, 10V | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 7360 PF @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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