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Transistors (100539)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 |  | 5701 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie802 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,9MOHM @ 23,6A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| SIE812DF-T1-E3 | 1.7317 | | 3235 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie812 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 8300 PF @ 20 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 2x5 | SIF912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W | PowerPak® (2x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | 7.4a | 19MOHM @ 7.4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 15nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SUM40N10-30-E3 | - | | 8392 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 6v, 10v | 30 mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 107W (TC) | |||
| Sum47n10-24l-e3 | - | | 7940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 24MOHM @ 40A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 136W (TC) | |||
| SUM75N06-09L-E3 | - | | 4104 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 90a (TC) | 9.3MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 75 NC @ 10 V | 2400 pf @ 25 V | - | |||||||
 | TN2404K-T1-E3 | 0,9100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 240 V | 200mA (TA) | 2,5 V, 10V | 4OHM @ 300mA, 10V | 2V à 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 360MW (TA) | ||||
| TP0202K-T1-E3 | - | | 9227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 385mA (TA) | 4,5 V, 10V | 1,4 ohm @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 31 pf @ 15 V | - | 350MW (TA) | |||
| TP0610K-T1-E3 | 0,5000 | | 830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 185mA (TA) | 4,5 V, 10V | 6OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1,7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | |||
 | SI3911DV-T1-E3 | - | | 5753 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3911 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.8a | 145MOHM @ 2,2A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 7.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI4804BDY-T1-E3 | - | | 8729 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.7A | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 3V à 250µA | 11nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
| SI4850EY-T1-E3 | 1.7700 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4850 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 6a (ta) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 6A, 10V | 3V à 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.7W (TA) | |||||
| SI4906DY-T1-E3 | - | | 9113 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4906 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 40V | 6.6a | 39MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 22nc @ 10v | 625pf @ 20v | - | |||||
| SI4916DY-T1-E3 | - | | 8390 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4916 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3,3W, 3,5W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 10a, 10.5a | 18MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 10nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | 1.4800 | | 27 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4946 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.7W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6.5a | 41MOHM @ 5.3A, 10V | 3V à 250µA | 25nc @ 10v | 840pf @ 30v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI5404BDC-T1-E3 | 0,4200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 5.4a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 28MOHM @ 5.4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||
| SI5484DU-T1-E3 | - | | 2765 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5484 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 12A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 16MOHM @ 7.6A, 4,5 V | 2V à 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 12V | 1600 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||
| SI5903DC-T1-E3 | - | | 3675 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5903 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.1a | 155MOHM @ 2.1A, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 6nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
| SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4.4a | 40 mohm @ 4.4a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 7.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SI5944DU-T1-E3 | - | | 7097 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5944 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10W | PowerPak® Chipfet Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 6A | 112MOHM @ 3,3A, 10V | 3V à 250µA | 6.6nc @ 10v | 210pf @ 20v | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SI6954ADQ-T1-E3 | 0,9600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6954 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 3.1a | 53MOHM @ 3,4A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 16nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||
| SI6981DQ-T1-E3 | - | | 9611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6981 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.1a | 31MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 900 mV à 300µA | 25nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SI7117DN-T1-E3 | 1.3200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 2.17a (TC) | 6v, 10v | 1,2 ohm @ 500mA, 10V | 4,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 PF @ 25 V | - | 3.2W (TA), 12,5W (TC) | ||||
| SI7119DN-T1-E3 | 1 0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 3.8A (TC) | 6v, 10v | 1 05 ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 666 PF @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SI7136DP-T1-E3 | - | | 3230 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7136 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3380 PF @ 10 V | - | 5W (TA), 39W (TC) | |||
| SI7138DP-T1-E3 | - | | 6191 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 6v, 10v | 7,8MOHM @ 19,7A, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||
 | SI7214DN-T1-E3 | - | | 1688 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 4.6a | 40 mohm @ 6.4a, 10v | 3V à 250µA | 6.5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SI7336ADP-T1-E3 | 1 8000 | | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7336 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30A (TA) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA) | ||||
| SI7344DP-T1-E3 | - | | 9320 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7344 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 17A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||
| SI7374DP-T1-E3 | 1.5920 | | 1759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7374 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 24a (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 23,8a, 10v | 2,8 V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 56W (TC) |
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