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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test |
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![]() | CSD87501LT | 1.2000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87501L | 1 0000 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2021UFDF-7 | 0,7300 | ![]() | 64 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | DMP2021 | MOSFET (Oxyde Métallique) | U-DFN2020-6 (Type F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 9a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 16MOHM @ 7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 59 NC @ 8 V | ± 8v | 2760 PF @ 15 V | - | 730mw (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Irgb4715dpbf | - | ![]() | 4365 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 100 W | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 8A, 50OHM, 15V | 86 ns | - | 650 V | 21 A | 24 A | 2v @ 15v, 8a | 200 µJ (ON), 90µJ (OFF) | 30 NC | 30ns / 100ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irgp4750dpbf | - | ![]() | 6432 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 273 W | À 247AC | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 35A, 10OHM, 15V | 150 ns | - | 650 V | 70 A | 105 A | 2V @ 15V, 35A | 1,3MJ (ON), 500 µJ (OFF) | 105 NC | 50ns / 105ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irgp4790-epbf | - | ![]() | 4407 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 455 W | À 247ad | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001549734 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75A, 10OHM, 15V | - | 650 V | 140 a | 225 A | 2v @ 15v, 75a | 2,5mj (on), 2,2mj (off) | 210 NC | 50ns / 200ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Irgs4715dtrrpbf | - | ![]() | 5704 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 100 W | D2pak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001542306 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V, 8A, 50OHM, 15V | 86 ns | - | 650 V | 21 A | 24 A | 2v @ 15v, 8a | 200 µJ (ON), 90µJ (OFF) | 30 NC | 30ns / 100ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BLA8G1011LS-300GU | 387.4050 | ![]() | 1655 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-502E | Bla8 | 1,06 GHz | LDMOS | Cdfm2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934068328112 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | - | 150 mA | 300W | 16,5 dB | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G20LS-310AVZ | - | ![]() | 9806 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Plateau | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1258-3 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | LDMOS | Dfm6 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Source communal double | - | 650 mA | 56W | 17 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G20LS-400AVY | - | ![]() | 8442 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1258-3 | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | Dfm6 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Source communal double | - | 800 mA | 85W | 15,5 dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G27LS-40PGJ | - | ![]() | 7564 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1121E | BLF6 | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | CDFM4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934068916118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Source communal double | - | 450 mA | 12W | 17,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF9G20LS-160VU | - | ![]() | 5290 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Plateau | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1120B | BLF9 | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | Le Plus Grand | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | - | 800 mA | 35,5 W | 19,8 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmxb75upez | 0,4200 | ![]() | 41 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | PMXB75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010d-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 20 V | 2.9A (TA) | 1,2 V, 4,5 V | 85MOHM @ 2,9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 8v | 608 PF @ 10 V | - | 317MW (TA), 8,33W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R8-100PSEQ | 4.0300 | ![]() | 9980 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Psmn7r8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 100A (TJ) | 10V | 7,8MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 7110 PF @ 50 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AO4568 | - | ![]() | 5012 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | AO45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TA) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 12A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AOC2804 | - | ![]() | 6403 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xdfn | AOC280 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 4-DFN (1,5x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | - | 9.5nc @ 4,5 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD423 | 0,3502 | ![]() | 6490 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Aod42 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 (dpak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 15A (TA), 70A (TC) | 10V, 20V | 6,2MOHM @ 20A, 20V | 3,5 V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 25V | 2760 PF @ 15 V | - | 2,5W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Aon2812 | 0,1542 | ![]() | 4417 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | Aon281 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 6-DFN (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 4.5a | 37MOHM @ 2A, 10V | 1,4 V @ 250µA | 10nc @ 10v | 235pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||
Aon6546 | - | ![]() | 2292 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersmd, Plombs Plats | Aon654 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 22A (TA), 55A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1210 PF @ 15 V | - | 5.5W (TA), 35,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
Aon6572 | 0,3395 | ![]() | 3277 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersmd, Plombs Plats | Aon657 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 36A (TA), 85A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 20A, 10V | 2V à 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 12V | 3290 PF @ 15 V | - | 6.2W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF15B60D2 | - | ![]() | 4303 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha igbt ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Aotf15 | Standard | 42 W | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400 V, 10A, 30OHM, 15V | 105 ns | - | 600 V | 23 A | 40 A | 1,8 V @ 15V, 10A | 260 µJ (ON), 70µJ (OFF) | 17,4 NC | 10ns / 72ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | Aou2n60a | - | ![]() | 5814 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tube | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Aou2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4,7 ohm @ 1a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Aoy2n60 | 0,2634 | ![]() | 2207 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | AOY2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251b | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 500 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4,7 ohm @ 1a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | 5.5600 | ![]() | 5009 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ 5 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IKW30N65 | Standard | 227 W | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | 100 ns | - | 650 V | 85 A | 120 A | 1,35 V @ 15V, 30A | 470 µJ (ON), 1 35MJ (OFF) | 168 NC | 33ns / 308ns | ||||||||||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | 9.2400 | ![]() | 1735 | 0,00000000 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP ™ 5 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IKW75N65 | Standard | 536 W | PG à247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 4OHM, 15V | 114 ns | - | 650 V | 80 A | 300 A | 1,35 V @ 15V, 75A | 1,61mj (on), 3,2mj (off) | 436 NC | 40ns / 275ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STB24N65M2 | - | ![]() | 3440 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB24N | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 16A (TC) | 10V | 230MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 25V | 1060 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Std11n50m2 | 1.4900 | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II Plus | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 530MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 395 PF @ 100 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||
STH185N10F3-2 | - | ![]() | 8093 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F3 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STH185 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2pak-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 180a (TC) | 10V | 4,5 mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250µA | 114,6 NC @ 10 V | ± 20V | 6665 pf @ 25 V | - | 315W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STH240N10F7-6 | 4.5400 | ![]() | 3421 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | STH240 | MOSFET (Oxyde Métallique) | H2PAK-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-15312-2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 180a (TC) | 10V | 2,5 mohm @ 60a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | STL30P3llh6 | 1.1000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 30mohm @ 4.5a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 12 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1450 pf @ 25 V | - | 75W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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