- RFQ
- Nager
- Contactez-nous
Tél: + 86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- Chinois
- Anglais
- Français
- Allemand
- portugais
- Espagnol
- russe
- japonais
- coréen
- arabe
- irlandais
- grec
- turc
- italien
- danois
- roumain
- indonésien
- tchèque
- afrikaans
- suédois
- polonais
- Basque
- catalan
- espéranto
- hindi
- Lao
- albanais
- Amharique
- arménien
- azerbaïdjanais
- Biéloruste
- bengali
- Bosnie
- bulgare
- Cebuano
- Chichewa
- Corse
- croate
- Néerlandais
- estonien
- Philippin
- finlandais
- frison
- Galicien
- géorgien
- Gujarati
- haïtien
- Haoussa
- hawaïen
- hébreu
- Hmong
- hongrois
- islandais
- Igbo
- javanais
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- kurde
- Kirghiz
- latin
- letton
- lituanien
- Luxembou ..
- Macédonien
- malgache
- malais
- Malayalam
- maltais
- Maoris
- Marathi
- mongol
- birman
- Népalais
- norvégien
- Pachto
- persan
- Punjabi
- serbe
- Sésotho
- Cinghalais
- slovaque
- slovène
- somali
- Samoan
- Gaélique écossais
- Shona
- Sindhi
- Sundanais
- Swahili
- Tadjik
- Tamoul
- Telugu
- thaïlandais
- ukrainien
- Ourdou
- Ouzbek
- vietnamien
- gallois
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- zoulou
- Kinyarwanda
- tatar
- Oriya
- Turkmène
- Ouïghour
Transistors (100539)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPH6350-P-TL-E | 0,3202 |  | 2788 | 0,00000000 | onsemi | * | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | - | - | CPH635 | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CPH6350-TL-W | 0 4700 | | 2 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | CPH6350 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 cmph | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 6a (ta) | 4V, 10V | 43MOHM @ 3A, 10V | - | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||
| Cph6443-p-tl-h | - | | 2174 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | CPH644 | - | 6 cmph | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | 6A (TJ) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| CPH6445-TL-W | 0,5100 | | 1 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | CPH6445 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 cmph | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 117MOHM @ 1,5A, 10V | - | 6,8 NC @ 10 V | ± 20V | 310 PF @ 20 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||
 | Ech8601m-c-tl-hx | - | | 7990 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | ECH8601 | - | 8 échange | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | 8A (TJ) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Ech8651r-r-tl-h | - | | 5411 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | 8 mm, plomb plat | ECH8651 | - | - | 8 échange | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| Ech8655r-r-tl-h | 0,2757 | | 1035 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | - | Support de surface | 8 mm, plomb plat | ECH8655 | - | - | 8 échange | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| ECH8659-M-TL-H | - | | 2188 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | ECH8659 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | 8 échange | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7a | 24MOHM @ 3,5A, 10V | - | 11.8nc @ 10v | 710pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 4V | ||||||||||||||||||||||
| Efc4619r-a-tr | 0 2576 | | 2501 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, FCBGA | EFC4619 | - | EFCP1616-4CE-022 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| Efc4621r-a-tr | - | | 9778 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA | EFC4621 | - | EFCP1818-4CE-22 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | Efc6601r-tr-tr-tr-tr | 0,9400 | | 5 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-XFBGA, FCBGA | EFC6601 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | EFCP2718-6CE-020 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | 2 Canaux N (double) | - | - | - | - | 48nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 2,5 V | |||||||||||||||||||||
| Efc6604r-tr-tr-tr-tr | - | | 8346 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-XFBGA | EFC6604 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W | 6-EFCP (1.9x1.46) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | 2 Canaux N (double) | - | - | - | - | 29nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 2,5 V | |||||||||||||||||||||
| EMH2407-S-TL-HX | - | | 2784 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | 8 mm, plomb plat | EMH2407 | - | - | 8-EMH | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | Nvmfs5833nt3g | - | | 3729 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERTDFN, 5 pistes | NVMFS5833 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 16a (ta) | 10V | 7,5 mohm @ 40a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 32,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1714 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA), 112W (TC) | |||||||||||||||||||
| Nvmfs5834nlt3g | - | | 2439 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERTDFN, 5 pistes | NVMFS5834 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 14A (TA), 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.3MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1231 PF @ 20 V | - | 3.6W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||
| Nvmfs5885nlt3g | - | | 8711 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERTDFN, 5 pistes | NVMFS5885 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 60 V | 10.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1340 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Nvs4409nt1g | 0,4800 | | 8910 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | NVS4409 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-3 (SOT323) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 700mA (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 350mohm @ 600mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 60 pf @ 10 V | - | 280mw (TJ) | |||||||||||||||||||
 | Nvtfs4823nwftwg | - | | 4405 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | NVTFS4823 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WDFN (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 10,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 12 V | - | 3.1W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Nvmfd5877nlwft3g | - | | 2988 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | NVMFD5877 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.2W | 8-DFN (5x6) DOUBLE DRAPEAU (SO8FL-DUAL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6A | 39MOHM @ 7.5A, 10V | 3V à 250µA | 20nc @ 10v | 540pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
| Nvmfs4c05nt3g | 1.7100 | | 8703 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERTDFN, 5 pistes | Nvmfs4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 24.7A (TA), 116A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 30A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1972 PF @ 15 V | - | 3.61W (TA), 79W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CSD17483F4T | 0,9400 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 1.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 240mohm @ 500mA, 8v | 1,1 V @ 250µA | 1,3 NC @ 4,5 V | 12V | 190 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||
| CSD23381F4T | 0,9400 | | 18 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 2.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 175MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 1.14 NC @ 6 V | -8v | 236 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||
 | Csd87333q3dt | 1 5500 | | 325 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Csd87333q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 15A | 14.3MOHM @ 4A, 8V | 1,2 V à 250µA | 4.6nc @ 4,5 V | 662pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||||||||||
 | CSD19534Q5A | 1.0500 | | 113 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 44a (TC) | 6v, 10v | 15.1MOHM @ 10A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CSD19535KCS | 3.4500 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 150A (TA) | 6v, 10v | 3,6 mohm @ 100a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 101 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Irfs7430pbf | - | | 9018 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet®, Strongirfet ™ | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001578352 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 195a (TC) | 6v, 10v | 1,2 mohm @ 100a, 10v | 3,9 V @ 250µA | 460 NC @ 10 V | ± 20V | 14240 PF @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Irgp6650d-epbf | - | | 1218 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 306 W | À 247ad | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001549702 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 35A, 10OHM, 15V | 50 ns | - | 600 V | 80 A | 105 A | 1,95 V @ 15V, 35A | 300 µJ (ON), 630 µJ (OFF) | 75 NC | 40ns / 105ns | ||||||||||||||||||||
| Irgp6640d-epbf | - | | 2913 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 200 W | À 247ad | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001546152 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24A, 10 ohms, 15v | 70 ns | - | 600 V | 53 A | 72 A | 1,95 V @ 15V, 24A | 90 µJ (ON), 600 µJ (OFF) | 50 NC | 40ns / 100ns | ||||||||||||||||||||
 | Vs-cpv362m4fpbf | - | | 9826 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 19-sip (13 pistes), IMS-2 | CPV362 | 23 W | Standard | IMS-2 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | VSCPV362M4FPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 8.8 A | 1,7 V @ 15V, 4.8a | 250 µA | Non | 340 pf @ 30 V | |||||||||||||||||||||
| VS-EMG050J60N | - | | 6340 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Emipak2 | EMG050 | 338 W | Standard | Emipak2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Vsemg050j60n | EAR99 | 8541.29.0095 | 56 | Demi-pont | - | 600 V | 88 A | 2.1V @ 15V, 50A | 100 µA | Oui | 9,5 nf @ 30 V |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m2
Entrepôt en stock
WishList (0 éléments)