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Transistors (100539)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FDD5N50UTF_WS	-	RFQ	3815	onsemi	Frfet®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Fdd5			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n					500 V	3A (TC)	10V	2ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	650 pf @ 25 V	-	40W (TC)
KSC388YBU	-	RFQ	4663	onsemi	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	KSC388				300 MW		To-92-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																			25 V	50 mA							100NA (ICBO)			NPN	200 mV à 1,5ma, 15mA	20 @ 12,5mA, 12,5 V	300 MHz
PSMN015-110P, 127	-	RFQ	5936	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn0							télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000
SGF80N60Uftu	-	RFQ	3701	onsemi	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	SGF80N60	Standard			110 W		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	360				300 V, 40A, 5OHM, 15V														-	600 V	80 A	220 A	2.6V @ 15V, 40A	570µJ (ON), 590µJ (OFF)	175 NC	23ns / 90ns
MCS8804-TP	-	RFQ	6309	Micro Commercial Co	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	MCS8804			MOSFET (Oxyde Métallique)	-		8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		353-MCS8804-TPTR	EAR99	8541.29.0095	5 000	2 Canaux N (double)						20V	8a		13MOHM @ 8A, 10V	1V @ 250µA	17.9nc @ 4,5 V		1800pf @ 10v	-
BSC050N0LSG	1 0000	RFQ	8581	Infineon Technologies	-	En gros	Actif												télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	5 000
Bss123-tp	0 2400	RFQ	2	Micro Commercial Co	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n					100 V	170ma tj)	4,5 V, 10V	6OHM @ 170mA, 10V	2,8 V @ 250µA	2 NC @ 10 V	± 20V	60 pf @ 25 V	-	350mw
Auirf9540n	1.0400	RFQ	5	Redressleur International	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1		Canal p					100 V	23A (TC)	10V	117MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Aons36316	0,6800	RFQ	9501	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersmd, Plombs Plats	Aons363			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-DFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n					30 V	28A (TA), 32A (TC)	4,5 V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	1,9 V à 250µA	42 NC @ 10 V	± 12V	2005 PF @ 15 V	-	5W (TA), 26W (TC)
2SB1144S	0,2000	RFQ	13	onsemi	*	En gros	Actif												télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1
Ixgp42n30c3	-	RFQ	8492	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixgp42	Standard			223 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50				200v, 21a, 10hm, 15v														Pt	300 V		250 A	1,85 V @ 15V, 42A	120 µJ (ON), 150µJ (OFF)	76 NC	21NS / 113NS
DMTH3004LPSQ-13	0,5292	RFQ	3358	Les diodes incorporent	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	DMTH3004			MOSFET (Oxyde Métallique)			Powerdi5060-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre la Touche Affectée		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					30 V	22A (TA), 145A (TC)	4,5 V, 10V	3,8MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	43,7 NC @ 15 V	+ 20V, -16V	2370 pf @ 15 V	-	136W (TC)
FQD20N06TM	-	RFQ	4146	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n					60 V	16.8A (TC)	10V	63MOHM @ 8.4A, 10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 25V	590 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 38W (TC)
FSS133-TL-E	0 7700	RFQ	17	Sanyo	*	En gros	Actif					FSS133			-				-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1 000															-
CM150DY-28H	-	RFQ	7391	Powerex Inc.	IGBTMOD ™	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					1100 W	Standard	Module	-	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																	-	1400 V	150 a		4.2v @ 15v, 150a					1 mA	Non	30 nf @ 10 V
SiDR5102EP-T1-RE3	2.9900	RFQ	4824	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN V	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sidr5102			MOSFET (Oxyde Métallique)			PowerPak® SO-8DC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n					100 V	28.2A (TA), 126A (TC)	7,5 V, 10V	4.1MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 20V	2850 pf @ 50 V	-	7.5W (TA), 150W (TC)
Dtc123jca	0,0200	RFQ	300	Technologie Yangjie	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif					DTC123							-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	4617-DTC123JCATr	EAR99		3 000
Nsc1168	-	RFQ	5321	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif												-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-NSC1168			1
RN2707JE (TE85L, F)	0,4800	RFQ	1	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SOT-553	RN2707				100 MW		ESV	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	4 000																			50v	100 mA							100NA (ICBO)			2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	10 kohms	47 kohms
SCT3030AW7TL	39.5900	RFQ	437	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-8, d²pak (7 leads + tab), à 263ca	SCT3030			Sicfet (carbure de silicium)			À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					650 V	70A (TC)		39MOHM @ 27A, 18V	5.6V @ 13,3mA	104 NC @ 18 V	+ 22V, -4V	1526 pf @ 500 V	-	267W
FDT459N	0.4400	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	FDT45			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre la Touche Affectée		EAR99	0000.00.0000	2 500		Canal n					30 V	6.5A (TA)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 6.5A, 10V	2V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	365 PF @ 15 V	-	3W (TA)
SIHB22N60S-GE3	-	RFQ	3462	Vishay Siliconix	S	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sihb22			MOSFET (Oxyde Métallique)			D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					600 V	22A (TC)	10V	190MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2810 PF @ 25 V	-	250W (TC)
B11G2327N71DX	46.7550	RFQ	9919	Ampleon USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	65 V		Support de surface	36-QFN Pad Expose	B11G2327		2,3 GHz ~ 2,7 GHz	LDMOS			36-PQFN (12x7)	-	Rohs3 conforme			1603-b11g2327n71dxtr			1 500	-		1,4 µA		-	30 dB											-									28 V
BC857BT	0,0250	RFQ	300	Technologie Yangjie	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-523	BC857				150 MW		SOT-523	-	Rohs conforme		Atteindre non affecté	4617-BC857BTTR	EAR99		3 000																			45 V	100 mA							15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2MA, 5V	100 MHz
FDPF8N50NZU	2.0600	RFQ	1	onsemi	Unifet-ii ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fdpf8			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					500 V	6.5a (TC)	10V	1,2 ohm @ 4a, 10v	5V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 25V	735 PF @ 25 V	-	40W (TC)
Apt15gt60brg	-	RFQ	2898	Technologie des micropuces	Thunderbolt igbt®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt15gt60	Standard			184 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				400V, 15A, 10OHM, 15V														NPT	600 V	42 A	45 A	2,5 V @ 15V, 15A	150 µJ (ON), 215µJ (OFF)	75 NC	6NS / 105NS
2N7002VC-7	0,4000	RFQ	33	Les diodes incorporent	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	2N7002			MOSFET (Oxyde Métallique)	150mw		SOT-563	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)						60V	280mA		7,5 ohm @ 50mA, 5V	2,5 V @ 250µA	-		50pf @ 25v	-
Stk28n3llh5	-	RFQ	7140	Stmicroelectronics	Stripfet ™ V	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Polarpak®	STK28			MOSFET (Oxyde Métallique)			Polarpak®	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n					30 V	28a (TC)	4,5 V, 10V	4,5 mohm @ 14a, 10v	2,5 V @ 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 22V	2300 pf @ 25 V	-	5.2W (TC)
PBLS4003Y-QX	0,1055	RFQ	3372	Nexperia USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PBLS4003				200 MW		6-TSSOP	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1727-PBLS4003Y-QXTR	EAR99	8541.21.0075	3 000																			50v, 40v	100mA, 500mA							1µA, 100NA			1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP	150 mV à 500 µA, 10v / 350 mV à 50ma, 500mA	30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V	300 MHz	10 kohms	10 kohms
STS2DNF30L	0,8800	RFQ	7207	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	STS2DNF30			MOSFET (Oxyde Métallique)	2W		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)						30V	3A		110MOHM @ 1A, 10V	2,5 V @ 250µA	4.5nc @ 10v		121pf @ 25v	Porte de Niveau Logique

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
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Transistors (100539)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²