SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page Sic programmable
24LC014HT-I/MS Microchip Technology 24LC014HT-I / MS 0,4050
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ECAD 9878 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) 24lc014h Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8 MSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 2 500 1 MHz Non volatile 1kbit 400 ns Eeprom 128 x 8 I²c 5 ms
MT45W4MW16BCGB-701 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 IT TR -
RFQ
ECAD 3622 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 54-VFBGA MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V 54-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 64mbitons 70 ns Psram 4m x 16 Parallèle 70ns
CY62148BLL-70ZXI Infineon Technologies Cy62148bll-70zxi -
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ECAD 1300 0,00000000 Infineon Technologies MOBL® Sac Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) CY62148 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 32-TSOP II - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 234 Volatil 4mbbitons 70 ns Sram 512k x 8 Parallèle 70ns
S99GL256P11FFI010 Infineon Technologies S99GL256P11FFI010 -
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ECAD 2402 0,00000000 Infineon Technologies - En gros Acheter la Dernière - 1
CY62148GN-45ZSXIT Infineon Technologies CY62148GN-45ZSXIT 4.6200
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ECAD 7420 0,00000000 Infineon Technologies MOBL® Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur) CY62148 Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 32-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 4mbbitons 45 ns Sram 512k x 8 Parallèle 45ns
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25lq32enegr 0,9545
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ECAD 9190 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-UDFN Flash - Ni (SLC) 1,65 V ~ 2V 8-USON (3x4) télécharger 1970-GD25LQ32enegrtr 3 000 133 MHz Non volatile 32mbitons 6 ns Éclair 4m x 8 Spi - quad e / o, qpi 100 µs, 4 ms
N25Q00AA13G1241E Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1241E -
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ECAD 6210 0,00000000 Micron Technology Inc. - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 24 lbga N25Q00AA13 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 24-lpbga (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz Non volatile 1 gbit Éclair 256m x 4 Pimenter 8 ms, 5 ms
7143LA90J8/S2418 Renesas Electronics America Inc 7143LA90J8 / S2418 -
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ECAD 9347 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 68 LCC (J-LEAD) Sram - double port, asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 68-PLCC (24.21x24.21) - 800-7143LA90J8 / S2418TR 1 Volatil 32kbit 90 ns Sram 2k x 16 Parallèle 90ns
MT29F2G16ABBEAHC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC: E TR -
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ECAD 9183 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 63-VFBGA MT29F2G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 1 000 Non volatile 2 gbit Éclair 128m x 16 Parallèle -
W74M25JWZPIQ TR Winbond Electronics W74m25jwzpiq tr 3 7350
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ECAD 8226 0,00000000 Electronique Winbond - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface Pad Exposé 8-WDFN W74M25 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V 8-wson (6x5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 256-W74M25JWZPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5 000 104 MHz Non volatile 256mbitons Éclair 32m x 8 - -
IS46TR16256BL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA1 8.9696
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ECAD 8044 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA Sdram - ddr3l 1 283V ~ 1 45 V 96-TWBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 190 933 MHz Volatil 4 Gbit 20 ns Drachme 256m x 16 Parallèle 15NS
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16.8378
RFQ
ECAD 8172 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd55t Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA Flash - Ni (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T01GEB2RY 4 800 200 MHz Non volatile 1 gbit Éclair 128m x 8 Spi - quad e / o, dtr -
C-2933D4SR8N/16G ProLabs C-2933D4SR8N / 16G 109.5000
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ECAD 5392 0,00000000 Prolabs * Colis de Vente au Détail Actif - Rohs conforme 4932-C-2933D4SR8N / 16G EAR99 8473.30.5100 1
MT58L256L36FS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-7.5 5.2800
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ En gros Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP SRAM - Standard 3.135V ~ 3,6 V 100-TQFP (14x20.1) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz Volatil 8mbitons 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallèle -
CY7C1418TV18-267BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1418TV18-267BZXC 70.2100
RFQ
ECAD 240 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Sac Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA CY7C1418 Sram - Synchrones, DDR II 1,7 V ~ 1,9 V 165-fbga (13x15) - Non applicable 3A991B2A 1 267 MHz Volatil 36mbitons Sram 2m x 18 Parallèle - Non Vérifié
IS46LD32128C-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 168-VFBGA IS46LD32128 Sdram - mobile lpddr2 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 168-VFBGA (12x12) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46LD32128C-18BPLA1-T-T-TR EAR99 8542.32.0036 1 533 MHz Volatil 4 Gbit 5,5 ns Drachme 128m x 32 HSUL_12 15NS
24FC64F-I/MS Microchip Technology 24FC64F-I / MS 0,5700
RFQ
ECAD 9945 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) 24FC64 Eeprom 1,7 V ~ 5,5 V 8 MSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 24fc64fims EAR99 8542.32.0051 100 1 MHz Non volatile 64kbit 400 ns Eeprom 8k x 8 I²c 5 ms
7054L25PRF Renesas Electronics America Inc 7054L25PRF -
RFQ
ECAD 8468 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 128 LQFP 7054L25 Sram - Port Quad, asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 128-TQFP (14x20) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 6 Volatil 32kbit 25 ns Sram 4k x 8 Parallèle 25ns
IS61QDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36-250M3 -
RFQ
ECAD 2396 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Abandonné à sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA IS61QDB21 Sram - synchrone, quad 1,71 V ~ 1,89 V 165-LFBGA (15x17) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz Volatil 36mbitons 7,5 ns Sram 1m x 36 Parallèle -
W25Q128JWSIQ Winbond Electronics W25Q128JWSIQ 1.5927
RFQ
ECAD 1700 0,00000000 Electronique Winbond SPIFLASH® Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) W25Q128 Flash - ni 1,7 V ~ 1,95 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 256-W25Q128JWSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz Non volatile 128mbitons Éclair 16m x 8 Spi - quad e / o -, 3ms
MT58L512Y32DT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y32DT-6 18.9400
RFQ
ECAD 122 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ En gros Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP MT58L512Y32 Sram 3.135V ~ 3 465V 100-TQFP (14x20.1) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz Volatil 18mbitons 3,5 ns Sram 512k x 32 Parallèle -
CY14B104M-ZSP45XI Infineon Technologies Cy14b104m-zsp45xi 37.1900
RFQ
ECAD 9879 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) CY14B104 Nvsram (SRAM non volatile) 2,7 V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 108 Non volatile 4mbbitons 45 ns Nvsram 256k x 16 Parallèle 45ns
MX25U1632FBHI02 Macronix MX25U1632FBHI02 0,6088
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ECAD 3817 0,00000000 Macronix - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-xfbga, wlcsp MX25U1632 Flash - ni 1,65 V ~ 2V 8-wlcsp - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 1092-MX25U1632FBHI02TR EAR99 8542.32.0071 6 000 133 MHz Non volatile 16mbitons 6 ns Éclair 2m x 8 Spi - quad e / o, qpi 40 µs, 3 ms
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR 71.3850
RFQ
ECAD 9640 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 441-TFBGA Sdram - mobile lpddr5 1,05 V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR 1 500 3,2 GHz Volatil 64gbit Drachme 1g x 64 Parallèle -
IS39LV040-70VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70VCE -
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ECAD 7245 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand) IS39LV040 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 32-VSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 208 Non volatile 4mbbitons 70 ns Éclair 512k x 8 Parallèle 70ns
IS61NVF25672-6.5B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1 -
RFQ
ECAD 6228 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 209-BGA IS61NVF25672 Sram - synchrone, d. 2 375V ~ 2 625V 209-LFBGA (14x22) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz Volatil 18mbitons 6.5 ns Sram 256k x 72 Parallèle -
5962-8700210UA Renesas Electronics America Inc 5962-8700210UA -
RFQ
ECAD 8690 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tube Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 48 LCC 5962-8700210 Sram - double port, synchrone 4,5 V ~ 5,5 V 48 LCC (14.22x14.22) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 800-5962-8700210UA OBSOLÈTE 34 Volatil 16kbit 90 ns Sram 2k x 8 Parallèle 90ns
IS45S32400E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-6TLA1 -
RFQ
ECAD 9088 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS45S32400 Sdram 3V ~ 3,6 V 86-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 108 166 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 32 Parallèle -
MEM-DR340L-SL02-ER13-C ProLabs MEM-DR340L-SL02-ER13-C 32.5000
RFQ
ECAD 9809 0,00000000 Prolabs * Colis de Vente au Détail Actif - Rohs conforme 4932-mem-dr340l-sl02-er13-c EAR99 8473.30.5100 1
SST39VF800A-70-4C-B3KE-T Microchip Technology SST39VF800A-70-4C-B3KE-T 1 9350
RFQ
ECAD 1073 0,00000000 Technologie des micropuces SST39 MPF ™ Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 48-TFBGA Sst39vf800 Éclair 2,7 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 2 500 Non volatile 8mbitons 70 ns Éclair 512k x 16 Parallèle 20 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock