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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
MT42L128M64D2MC-18 IT: A TR	-	RFQ	4028	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	240-WFBGA	MT42L128M64	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	240-FBGA (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	533 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
8403615JA	21.8770	RFQ	8102	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Par le trou	24 CDAP (0,600 ", 15,24 mm)	840361	Sram - synchrone	4,5 V ~ 5,5 V	24 CDI	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	800-8403615JA			15		Volatil	16kbit	120 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	120ns
CY7C1061GE30-10BVXI	38,5000	RFQ	4349	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	CY7C1061	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 400		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
CY7C1513KV18-333BZC	156.7200	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1513	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	2	333 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
MT29F512G08EBLEEEEJ4-R: E TR	10.7250	RFQ	1826	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C	Support de surface	132-VBGA		Flash - Nand (TLC)	2,6V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-R: ETR			2 000		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
A2537144-C	17.5000	RFQ	9075	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-A2537144-C	EAR99	8473.30.5100	1
At28bv64b-20ju	1 0000	RFQ	7409	Athel	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	At28bv64	Eeprom	2,7 V ~ 3,6 V	32-PLCC (13.97x11.43)	télécharger					EAR99	8542.32.0051	1		Non volatile	64kbit	200 ns	Eeprom	8k x 8	Parallèle	10 ms	Non Vérifié
IS43TR16512BL-107MBI-TR	20.1229	RFQ	1825	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16512BL-107MBI-TR			2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
BR24G08F-3AGTE2	0,2800	RFQ	2	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	BR24G08	Eeprom	1,6 V ~ 5,5 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	1 MHz	Non volatile	8kbit		Eeprom	1k x 8	I²c	5 ms
MT29F4G08ABAFAWP-AITES: F	-	RFQ	5951	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT46V32M16CY-5B XIT: J TR	-	RFQ	4932	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x12.5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT46V32M16CY-5BXIT: JTR	EAR99	8542.32.0028	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
IS46LQ32640A-062BLA1-T-T-TR	-	RFQ	1841	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ32640A-062BLA1-TR			2 500	1,6 GHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Lvstl	-
6116LA15TPGI	-	RFQ	9751	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Par le trou	24-dip (0,300 ", 7,62 mm)		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	24 points	-				800-6116LA15TPGI			1		Volatil	16kbit	15 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	15NS
AS4C512M16D3LA-10BAN	38.1200	RFQ	180	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	AS4C512	Sdram - ddr3l	1 275 V ~ 1 425 V	96-fbga (13,5x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-AS4C512M16D3LA-10BAN	EAR99	8542.32.0036	180	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
W29n08gvsiaa	17.4700	RFQ	93	Electronique Winbond	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		256-W29N08GVSIAA	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	8 Gbit	25 ns	Éclair	1g x 8	Parallèle	25ns, 700 µs
STK14D88-NF45	-	RFQ	4259	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	STK14D88	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	32-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	44		Non volatile	256kbit	45 ns	Nvsram	32k x 8	Parallèle	45ns
S25FL064LABMFV013	3.3300	RFQ	38	Infineon Technologies	Fl-l	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	S25FL064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 100	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	-
CY7C1562XV18-366BZC	214.1800	RFQ	144	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1562	Sram - synchrone, qdr ii +	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	136	366 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	4m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
S29GL064S80TFB043	4.6550	RFQ	3469	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q100, GL-S	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29GL064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64mbitons	80 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	60ns
MT53E256M32D2DS-053 WT: B	-	RFQ	9091	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53E256M32D2DS-053WT: B	EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
Cy7c109bn-12zxc	2.2900	RFQ	406	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	CY7C109	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2B	8542.32.0041	132		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns	Non Vérifié
Cy7c1061dv33-10zsxi	-	RFQ	7662	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	CY7C1061	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2832-CY7C1061DV33-10ZSxi	3A991B2A	8542.32.0041	108		Volatil	16mbitons	10 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	10ns
71V67603S133BGI	23.5662	RFQ	5821	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	119-BGA	71V67603	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	Volatil	9mbitons	4.2 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
A1229322-C	17.5000	RFQ	8713	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-A1229322-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT29F8T08EULCHD5-M: C TR	167.8050	RFQ	8851	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F8T08EULCHD5-M: CTR			2 000
IS43LQ32256AL-062BLI	21.8535	RFQ	6801	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LQ32256AL-062BLI			136	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 32	Lvstl	18n
CAT24C32YGI	0 2400	RFQ	5	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	CAT24C32	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8 MSOP	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-CAT24C32YGI-488	EAR99	8542.32.0071	1	1 MHz	Non volatile	32kbit	400 ns	Eeprom	4k x 8	I²c	5 ms
IS43TR81024BL-107MBLI	22.8583	RFQ	4644	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR81024BL-107MBLI			136	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
684316-181-C	48,5000	RFQ	5586	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-684316-181-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B	102.0600	RFQ	1696	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: B			1	3,2 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	-	-

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Unité de produit standard
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Mémoire (69470)

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