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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
AT49SV322D-80CU	-	RFQ	3300	Technologie des micropuces	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA, CSPBGA	At49sv322	Éclair	1,65 V ~ 1,95 V	48-cbga (7x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	276		Non volatile	32mbitons	80 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	70ns
Sm671pxdlbfst	46.1000	RFQ	7735	Silicon Motion, Inc.	-	En gros	Actif								-	Rohs3 conforme			1984-SM671PXDLBFST			1
CY7C199C-20ZI	-	RFQ	1600	Cypress Semiconductor Corp	-	Sac	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	CY7C199	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-tsop i	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	256kbit	20 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	20ns	Non Vérifié
CY7C1480V25-200BZC	-	RFQ	4752	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1480	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Cy7c1480v25	3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	Volatil	72mbitons	3 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
W97AH6NBVA2E	4.4852	RFQ	9281	Electronique Winbond	-	Plateau	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	W97AH6	Sdram - mobile lpddr2-s4b	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W97AH6NBVA2E	EAR99	8542.32.0032	168	400 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	HSUL_12	15NS
Cat25128li-g	0,4300	RFQ	8877	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	Cat25128	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8 PDI	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.32.0051	50	20 MHz	Non volatile	128kbit		Eeprom	16k x 8	Pimenter	5 ms
7140la25pfg	19.9398	RFQ	2894	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	7140la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	45		Volatil	8kbit	25 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	25ns
M30042040108X0ISAR	11.6399	RFQ	9573	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	M30042040108	Mram (magnétororesistif)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	800-M30042040108X0ISARTR	EAR99	8542.32.0071	2 000	108 MHz	Non volatile	4mbbitons		Bélier	1m x 4	Pimenter	-
Idt71v35761ysa200bq8	-	RFQ	2609	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	Idt71v35761	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-Cabga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71v35761ysa200bq8	3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR	53.7600	RFQ	4891	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MTFC128GBCAQTC-AATERSTR			2 000
71321LA55JI	6.9100	RFQ	493	Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	71321la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	-	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini	2832-71321LA55JI	3A991A2	8542.32.0041	37		Volatil	16kbit	55 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	55ns
C-2666D4SR8N / 8G	54.5000	RFQ	9271	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-C-2666D4SR8N / 8G	EAR99	8473.30.5100	1
Fm24c17uflm8	0,4100	RFQ	7782	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FM24C17	Eeprom	2,7 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	400 kHz	Non volatile	16kbit	900 ns	Eeprom	2k x 8	I²c	15 ms
AS4C512M8D4-75BIN	9.3806	RFQ	6807	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	AS4C512	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7.5x10.6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-AS4C512M8D4-75BIN	EAR99	8542.32.0036	242	1 333 GHz	Volatil	4 Gbit	18 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
7006S35PF8	-	RFQ	1972	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	7006S35	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	750		Volatil	128kbit	35 ns	Sram	16k x 8	Parallèle	35ns
MT62F2G32D4DS-023 IT: B	50.2800	RFQ	5505	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-mt62f2g32d4ds-023it: b			1	4.266 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	Parallèle	-
MT41K512M16VRP-107 IT: P TR	15.2250	RFQ	9429	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	-				557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR			2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
CY62146ELL-45ZSXAT	-	RFQ	4271	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY62146	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
881901-b21-C	615.0000	RFQ	5216	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-881901-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
IS46TR16128B-125KBLA1-T-T-TR	-	RFQ	3135	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
S28HL01GTFPBHI030	22.9700	RFQ	2	Infineon Technologies	HL-T	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA	S28HL01	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	260	166 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Spi - e / s octal	-
W25n02jwzeic	5.1852	RFQ	2972	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25N02	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25N02Jwzeic	3A991B1A	8542.32.0071	480	166 MHz	Non volatile	2 gbit	8 ns	Éclair	256m x 8	Spi - quad e / o, dtr	700 µs
MT29C4G48MAZAPAKQ-5	-	RFQ	9155	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
IS49NLC96400A-18WBL	52.0065	RFQ	8723	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA		Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-TWBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS49NLC96400A-18WBL			104	533 MHz	Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	64m x 9	Hstl	-
SST39VF1602C-70-4I-B3KE	1 9350	RFQ	5836	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	Sst39vf1602	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	480		Non volatile	16mbitons	70 ns	Éclair	1m x 16	Parallèle	10 µs
Mt53e4d1bhj-dc	22.5000	RFQ	8794	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				MT53E4				-			Atteindre non affecté	557-MT53E4D1BHJ-DC			1 360
CG8404AAT	-	RFQ	8700	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	750
CY7C1550KV18-450BZC	228.9200	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1550	Sram - synchrone, ddr ii +	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
M29f800ft55m3f2 tr	-	RFQ	7551	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F800	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	8mbitons	55 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	55ns
CAT93C57V-26528	0 1700	RFQ	1	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT93C57	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz	Non volatile	2kbit		Eeprom	256 x 8, 128 x 16	Microwire	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (69470)

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