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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S99KL512SC0BHV000 | - | ![]() | 3878 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Abandonné à sic | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D2048M32D8QD-046 WT ES: D TR | - | ![]() | 6127 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | |||||
![]() | 70v06l12pf8 | - | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-70v06l12pf8tr | 1 | Volatil | 128kbit | 12 ns | Sram | 16k x 8 | Parallèle | 12ns | |||||||||
![]() | CY62157G30-45ZSXAT | 19.4600 | ![]() | 9896 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns | ||||||
![]() | IS43R16160D-5TL | 4.7138 | ![]() | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | C-160D3SL / 16GKIT | 48.7500 | ![]() | 5210 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-160D3SL / 16GKIT | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CAT25C128P | - | ![]() | 6937 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | CAT25C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8 PDI | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 5 MHz | Non volatile | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | W632gu8ab-15 | - | ![]() | 2742 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | W632GU8 | Sdram - ddr3 | 1 283V ~ 1 45 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | |||
M93C86-WDW6TP | 0,4300 | ![]() | 7128 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | M93C86 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 4 000 | 2 MHz | Non volatile | 16kbit | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Microwire | 5 ms | |||||
![]() | 24lc014t-e / sn | 0,4350 | ![]() | 2389 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 24lc014 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 300 | 400 kHz | Non volatile | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | S29GL512S12DHE010 | 91.3500 | ![]() | 720 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive, AEC-Q100, GL-S | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2832-S29GL512S12DHE010 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 6 | Non volatile | 512mbitons | 120 ns | Éclair | 64m x 8 | CFI | 60ns | |||
![]() | Cy621572e18ll-55bvxit | - | ![]() | 3594 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | CY621572 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,25 V | 48-VFBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 8mbitons | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | Cy14b104la-zs25xi | - | ![]() | 9155 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | CY14B104 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 135 | Non volatile | 4mbbitons | 25 ns | Nvsram | 512k x 8 | Parallèle | 25ns | Non Vérifié | |||||||
![]() | MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: A | 252.4600 | ![]() | 247 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | DS1258W-100Ind # | - | ![]() | 9390 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | Module à 40-Dip (0,610 ", 15 495 mm) | DS1258W | Nvsram (SRAM non volatile) | 3V ~ 3,6 V | 40-edip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | Non volatile | 2mbitons | 100 ns | Nvsram | 128k x 16 | Parallèle | 100ns | ||||
![]() | MT53E256M32D1KS-046 AIT: L TR | 11.6800 | ![]() | 8256 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Atteindre non affecté | 557-mt53e256m32d1ks-046ait: LTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 23lc1024-i / sn | 2.6600 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 23LC1024 | Sram | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Volatil | 1mbit | Sram | 128k x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||
![]() | S29GL256S11TFI023 | - | ![]() | 6625 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, GL-S | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256mbitons | 110 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
![]() | 70v9079l9pf | - | ![]() | 6592 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70V9079 | Sram - double port, synchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volatil | 256kbit | 9 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | AS4C128M8D3B-12BCN | 6.4200 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | AS4C128 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | Cat93c66li-g | - | ![]() | 6482 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | CAT93C66 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8 PDI | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microwire | - | |||||
![]() | CG7803AA | - | ![]() | 6670 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 72 | ||||||||||||||||||
![]() | M29f800dt70n6f tr | - | ![]() | 3464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
MX25U51245GZ4J00 | 6.2250 | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Macronix | MX25XXX35 / 36 - MXSMIO ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (8x6) | - | 3 (168 Heures) | 1092-MX25U51245GZ4J00 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | 5 ns | Éclair | 128m x 4, 256m x 2, 512m x 1 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 4 ms | ||||||||
![]() | SST39LF400A-55-4C-EKE | 2.8500 | ![]() | 390 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | SST39LF400 | Éclair | 3V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Sst39lf400a554ceke | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 16 | Parallèle | 20 µs | |||
CAT28C256GI-15T | - | ![]() | 8127 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | CAT28C256 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | Non volatile | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 5 ms | ||||||
![]() | S29CD016J0PFAM010 | 5.3000 | ![]() | 86 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | CD-J | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 80 lbga | S29CD016 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,75 V | 80-fbga (13x11) | télécharger | 57 | 66 MHz | Non volatile | 16mbitons | 54 ns | Éclair | 512k x 32 | Parallèle | 60ns | Non Vérifié | |||||||
![]() | Gd25s512mdyeg | 6.0164 | ![]() | 9308 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-GD25S512MDYEGRTR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 512mbitons | 7 ns | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o | 60 µs, 2,5 ms | ||||||||
![]() | 7026L55JI / 2703 | - | ![]() | 2899 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 7026L55 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volatil | 256kbit | 55 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | S25HS512TDPNHI013 | 9.3800 | ![]() | 9507 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - |
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