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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS42S16100E-7TL-TR	-	RFQ	3511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
BR25H320NUX-5CTR	1.1100	RFQ	4	Semi-conducteur de Rohm	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN		Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	Vson008x2030	télécharger		1 (illimité)					4 000	20 MHz	Non volatile	32kbit		Eeprom	4k x 8	Pimenter	3,5 ms
7132LA100J	-	RFQ	8595	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	7132la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	24		Volatil	16kbit	100 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	100ns
Cy15b104qn-20lpxi	21.0175	RFQ	5670	Infineon Technologies	Excelon ™ -lp, F-Ram ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-uqfn	Cy15b104	Fram (Ferroelectric RAM)	1,8 V ~ 3,6 V	8-GQFN (3.23x3.28)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	490	20 MHz	Non volatile	4mbbitons		Fracture	512k x 8	Pimenter	-
CY7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1568	Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
BR24C02-RDW6TP	-	RFQ	9045	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	BR24C02	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	100 kHz	Non volatile	2kbit		Eeprom	256 x 8	I²c	10 ms
MT53B384M64D4EZ-062 WT: A TR	-	RFQ	1470	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	1,6 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
S29GL256S11TFV023	7.5950	RFQ	2992	Infineon Technologies	GL-S	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256mbitons	110 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	60ns
S25FS064SAGBHM023	3.5700	RFQ	4784	Infineon Technologies	FS-S	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	1,7 V ~ 2V	24-bga (8x6)	télécharger					3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	64mbitons	6 ns	Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	2 ms
Idt71v65602s100bg8	-	RFQ	3962	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	119-BGA	Idt71v65602	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71V65602S100BG8	3A991B2A	8542.32.0041	1 000	100 MHz	Volatil	9mbitons	5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
S25FS064SDSNFV033	2.6075	RFQ	8846	Infineon Technologies	FS-S	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-wlga	S25FS064	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-LGA (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	80 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	-
71024S20TYG	3.8500	RFQ	8102	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	71024S	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	23		Volatil	1mbit	20 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	20ns
MT53E1G32D4NQ-046 WT: E TR	-	RFQ	6086	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-					OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: C TR	-	RFQ	8418	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: CTR	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	167 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
SM671PECLBFSS	29.5300	RFQ	5991	Silicon Motion, Inc.	-	En gros	Actif								-	Rohs3 conforme			1984-SM671PECLBFSS			1
NLQ26PFS-8NAT	8.8663	RFQ	7230	INSignnis Technology Corporation	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NLQ26PFS-8NAT			136	1,2 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
MSR622AJE288-12	-	RFQ	5004	Mosys, Inc.	-	Plateau	Acheter la Dernière	-	Support de surface	288-BGA, FCBGA		Sram, Rldar	-	288-FCBGA (19x19)	-				2331-MSR622AJE288-12			1		Volatil	576mbit	3.2 ns	Bélier	8m x 72	Parallèle	-
7016S15J	-	RFQ	3632	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	68 LCC (J-LEAD)	7016S15	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	68-PLCC (24.21x24.21)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	18		Volatil	144kbit	15 ns	Sram	16k x 9	Parallèle	15NS
IS42RM16200D-6BI-TR	2.3493	RFQ	1292	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42RM16200	Sdram - mobile	2,3V ~ 2,7 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	32mbitons	6 ns	Drachme	2m x 16	Parallèle	-
SST39LF040-45-4C-WHE-T	-	RFQ	6212	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand)	Sst39lf040	Éclair	3V ~ 3,6 V	32-tsop	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	4mbbitons	45 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	20 µs
IS62WV102416AL-35MLI	22.4621	RFQ	6512	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV102416	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-Minibga (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	210		Volatil	16mbitons	35 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	35ns
IS46LQ16256AL-062TBLA2	15.4924	RFQ	7398	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-VFBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS46LQ16256AL-062TBLA2			136	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Lvstl	18n
STK14C88-5L35M	-	RFQ	1289	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	STK14C88	Nvsram (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A001A2C	8542.32.0041	68		Non volatile	256kbit	35 ns	Nvsram	32k x 8	Parallèle	35ns
71V65903S85PFG8	16.6165	RFQ	5821	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	71V65903	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	9mbitons	8,5 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
23A1024-E / ST	2.8050	RFQ	4181	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	23A1024	Sram	1,7 V ~ 2,2 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	100	16 MHz	Volatil	1mbit		Sram	128k x 8	Spi - quad e / o	-
Idt7164l25yi	-	RFQ	8790	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	Idt7164	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-soj	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	7164l25yi	EAR99	8542.32.0041	27		Volatil	64kbit	25 ns	Sram	8k x 8	Parallèle	25ns
MT53B256M64D2PX-062 XT: C TR	-	RFQ	2568	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
CAT93C66Y-TE13	0.1900	RFQ	2	onsemi	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	CAT93C66	Eeprom	2,5 V ~ 6V	8-TSSOP	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-CAT93C66Y-TE13-488	EAR99	8542.32.0071	1	2 MHz	Non volatile	4kbit	500 ns	Eeprom	256 x 16, 512 x 8	Microwire	-
MT29F32G08AFACAWP-Z: C TR	-	RFQ	2684	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
CY7C1474BV25-167BGIT	-	RFQ	1232	Infineon Technologies	Nobl ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	CY7C1474	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	209-fbga (14x22)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	500	167 MHz	Volatil	72mbitons	3,4 ns	Sram	1m x 72	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Mémoire (69470)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²