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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
IS46TR16256AL-15HBLA1	-	RFQ	3553	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16256	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	667 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
MT53E4G32D8GS-046 AIT: C	109.4700	RFQ	6034	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	-	-		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	-	-				557-mt53e4g32d8gs-046ait: c			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
S25FL164K0XMFI011	-	RFQ	8329	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	S25FL164	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			2832-S25FL164K0XMFI011			91	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	3 ms	Non Vérifié
BR25H040F-2CE2	0,6300	RFQ	1	Semi-conducteur de Rohm	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	BR25H040	Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	10 MHz	Non volatile	4kbit		Eeprom	512 x 8	Pimenter	4 ms
71V3558SA166BQGI	10.5878	RFQ	4313	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	71V3558	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	165-Cabga (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
AS4C2M32S-5TCNTR	-	RFQ	7800	Alliance Memory, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	AS4C2M32	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	200 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	2ns
SM662GXC-ACS	-	RFQ	7586	Silicon Motion, Inc.	-	Plateau	Obsolète				SM662				télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1
At45db161e-shd-t	-	RFQ	6891	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	AT45DB161	Éclair	2,5 V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	85 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	528 octets x 4096 pages	Pimenter	8 µs, 6 ms
IS61WV1288EEBLL-10BI-TR	2.5289	RFQ	3202	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA		Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS61WV1288EEBLL-10BI-TR			2 500		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
70V631S12BFGI	256.1448	RFQ	4109	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	208-LFBGA	70V631	Sram - double port, asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	208-Cabga (15x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	7		Volatil	4,5 Mbit	12 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	12ns
Idt71v3578s133pfi8	-	RFQ	7088	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	Idt71v3578	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71V3578S133Pfi8	3A991B2A	8542.32.0041	1 000	133 MHz	Volatil	4,5 Mbit	4.2 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
MT41J64M16JT-15E: G	-	RFQ	7524	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J64M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	667 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
Sst39vf6402b-70-4c-eke-t	8.4150	RFQ	9728	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	Sst39vf6402	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	10 µs
71V2556S100PFG	7.6801	RFQ	3132	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	71V2556	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	Volatil	4,5 Mbit	5 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
MT53D384M32D2DS-053 XT: E	-	RFQ	4694	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
GS8673ET36BGK-675I	328.1075	RFQ	6762	GSI Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Support de surface	260-BGA	GS8673et	Sram - Port Quad, synchrone	1,3 V ~ 1,4 V	260-BGA (22x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	2364-GS8673ET36BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
MT41K256M16HA-125 V: E TR	-	RFQ	6318	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
7133SA70J8	-	RFQ	6068	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	68 LCC (J-LEAD)	7133SA	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	68-PLCC (24.21x24.21)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	250		Volatil	32kbit	70 ns	Sram	2k x 16	Parallèle	70ns
FM24C128FN	0,6000	RFQ	3934	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FM24C128	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	8 plombs	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	1	400 kHz	Non volatile	128kbit	900 ns	Eeprom	16k x 8	I²c	6 ms
MX25L12845GM2I-08G	1.6150	RFQ	9791	Macronix	MX25XXX45 - MXSMIO ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	MX25L12845	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	92	120 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	30 µs, 750 µs
MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR	67.8450	RFQ	5913	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	556-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4	-	556-WFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 mx 64	-	-
CY7C1355C-133BGXC	10.8800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	119-BGA	CY7C1355	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	28	133 MHz	Volatil	9mbitons	6.5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CY7C1420JV18-300BZXC	53.7900	RFQ	391	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1420	Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	6	300 MHz	Volatil	36mbitons		Sram	1m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CY7C25652KV18-400BZC	222.0000	RFQ	384	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C25652	Sram - synchrone, qdr ii +	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger							1	400 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-	Non Vérifié
CY62148ESL-55ZAXAKJ	-	RFQ	6638	Cypress Semiconductor Corp	*	En gros	Obsolète								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1
CAT24FC64WI-TE13	-	RFQ	9729	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT24FC64	Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	2 000	1 MHz	Non volatile	64kbit	500 ns	Eeprom	8k x 8	I²c	5 ms
CY7C1018CV33-12VC	-	RFQ	8341	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	CY7C1018	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-soj	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	12ns
Cy7c1049cv33-10zxc	3 8000	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY7C1049	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	10 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	10ns
5962-8764813QYA	24h0000	RFQ	192	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	32-CLCC, Fenêtre	5962-8764813	Eprom - uv	4,5 V ~ 5,5 V	32-CLCC (13.97x11.43)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.32.0061	1		Non volatile	512kbit	200 ns	Eprom	64k x 8	Parallèle	-
MT54W1MH18BF-5TR	43.4700	RFQ	2	Micron Technology Inc.	QDR ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		Sram - synchrone	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	200 MHz	Volatil	18mbitons	450 PS	Sram	1m x 18	Hstl	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (69470)

2000+

30 000 000

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