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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | MT29F1T208ECCBBJ4-37: B Tr | - | ![]() | 8661 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T208 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 1,125 tbit | Éclair | 144g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | M5M51008DFP-55hibt | - | ![]() | 6038 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 450 ", 11,40 mm de grosur) | M5M51008D | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||||
![]() | IS45S16100H-7TLA1-T-T-TR | 2.1024 | ![]() | 6186 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | Cy14b108n-ba45xit | 51.5025 | ![]() | 8077 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | CY14B108 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (6x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Non volatile | 8mbitons | 45 ns | Nvsram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns | ||||
Rd48f4400p0vbq0a | - | ![]() | 9874 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 88-TFBGA, CSPBGA | RD48F4400 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-SCSP (8x11) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | Non volatile | 512mbitons | 85 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 85ns | ||||
![]() | HX-SP-M32-RVA-C | 250.0000 | ![]() | 4570 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-HX-SP-M32-RVA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q256JVMIQ TR | 2.3100 | ![]() | 4100 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad exposé 8-wlga | W25Q256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WFLGA (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q256JVMIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||
![]() | W25q40ewuxbe | - | ![]() | 9846 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-UFDFN | W25Q40 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-USON (2x3) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q40EWUXBE | OBSOLÈTE | 1 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 6 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 30 µs, 800 µs | ||||
![]() | IS65WV12816BLL-55BLA3-TR | 4.3388 | ![]() | 3087 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS65WV12816 | Sram - asynchrone | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 2mbitons | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
MT53E512M32D1ZW-046 ABAT: B | - | ![]() | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046 ABAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||||
![]() | M29W640GB90NA6E | - | ![]() | 2008 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -M29W640GB90NA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 90 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 90ns | |||
![]() | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | ![]() | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatil | 16mbitons | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | 40060455-001 | - | ![]() | 5696 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Acheter la Dernière | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S99GL128S0050 | - | ![]() | 1426 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||
24FC04T-E / ST | 0,3600 | ![]() | 5847 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | 24FC04 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | M95512-drmn3tp / k | 2.4100 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M95512 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 16 MHz | Non volatile | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | Pimenter | 4 ms | ||||
![]() | MT44K16M36RB-125: A | - | ![]() | 4497 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 576mbit | 12 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | CY7C1270V18-375BZXC | - | ![]() | 3168 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1270 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | W25q64jvsfaq | - | ![]() | 8325 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | W25Q64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q64JVSFAQ | 1 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | 6 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | |||||
![]() | S25fl128p0xmfi000 | 3.2400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Obsolète | - | 2156-S25FL128P0XMFI000 | 93 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT28HL32GQBB3ERK-0SCT | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT28HL32 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
![]() | MT28HL08GNBB3EBK-0GCT | 33.0000 | ![]() | 8772 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT28HL08 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
EM064LXQADG13CS1T | 42.0000 | ![]() | 1037 | 0,00000000 | Everspin Technologies Inc. | Emxxlx | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Mram (magnétororesistif) | 1,65 V ~ 2V | 8-DFN (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 819-EM064LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 64mbitons | Bélier | 8m x 8 | Spi - e / s octal | - | ||||||
![]() | MEM3800-512U768D-C | 62.5000 | ![]() | 5112 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-MEM3800-512U768D-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C09569V-83AXC | 33.8600 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 144 LQFP | CY7C09569 | Sram - double port, synchrone | 3V ~ 3,6 V | 144-TQFP (20x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | 83 MHz | Volatil | 576kbit | 6 ns | Sram | 16k x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||
70V3599S166BFG | 244.5048 | ![]() | 3627 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 208-LFBGA | 70V3599 | Sram - double port, synchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 208-Cabga (15x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3,6 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | M58LT256JST8ZA6F TR | - | ![]() | 2587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 80 lbga | M58LT256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 80 lbga (10x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 85 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
![]() | At25xv041b-uuvhr-t | - | ![]() | 3684 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 8-xfbga, wlcsp | At25xv041 | Éclair | 1,65 V ~ 4,4 V | 8-WLCSP (1.63x1.58) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 5 000 | 85 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 8µs, 2 75 ms | ||||
![]() | Mt53d4dasb-dc tr | - | ![]() | 4997 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT53D4 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | |||||||||||||||||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45B2LI | 5.5800 | ![]() | 460 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI | 480 | Volatil | 8mbitons | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns |
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