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Alliance Memory est un fabricant mondial sans frais de produits hérités et de mémoire de nouvelles technologies qui sont des remplacements de réduction des broches pour SRAM, DRAM et ni Flash ICS de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix et autres. Leur portefeuille de produits comprend une gamme complète de SRAM asynchrones de 3,3 V et 5V utilisées avec des processeurs de signaux numériques (DSP) et des microcontrôleurs grand publics; et Srams synchrones, SRAM à basse puissance, pseudo SRAMs, DRAM synchrones 3,3 V (SDR), DDR mobile, 2,5 V unique (DDR1), 1,8 V double (DDR2) et 1,5 V et 1,35 V Triple Taux (DDR3) 1v parallèle Nor FLOID (DDR4) DRAMS Synchrones, avec les DRAMS synchroniques 5V parallèle, les dévices de pli. Un investissement à haute plaquette signifie qu'ils peuvent minimiser ou éliminer les pics de pure tout en maintenant des prix stables. Leur objectif est d'établir des relations à long terme avec les clients et de fournir un soutien à long terme aux pièces qu'ils fabriquent. Alliance Memory fournit la plupart de leurs produits SRAM, DRAM et Flash directement à partir du stock, avec un inventaire détenu aux États-Unis, Shanghai et Taiwan. Leur prix compétitif, leur revirement par échantillon rapide et leur service client et leur assistance de classe mondiale ont fait de la mémoire d'alliance une ressource de confiance pour une gamme croissante de circuits intégrés de mémoire incontournable pour les communications, l'informatique, les marchés IoT, IoT, industriels et consommateurs. Alliance Memory, Inc. est une société privée avec un siège social à Kirkland, Washington.
Samedi 28 juin 2025115
Jeudi 26 juin 2025192
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