Conditions d'activation du MOSFET du canal P

Les conditions de mise en marche pour unMOSFET du canal P (PMOS)sont inverses à ceux d'un MOSFET à canal N (NMOS), principalement régi par la relation entre la tension de la source de porte (VGS) et la tension de seuil (VTH), ainsi que la polarité de tension. Voici les points clés:

1. Conditions d'activation de base

V_GS= V_G−v_S(V_G= tension de porte, V_S= tension source).

Depuis V_èmePour PMOS est généralement négatif (par exemple, -1v, -2V), la tension de la porte doit êtreconsidérablement plus basque la tension source pour satisfaire V_GS≤v_ème.

Exemple:
Si V_ème= −2V et V_S= + 5v, alors: v_G−5v≤ - 2v⟹v_G≤ + 3V
Le PMOS s'allume quand V_GDescends en dessous de 3V.

2. Comparaison avec le canal nMOSFET (NMOS)

3. Considérations pratiques clés

Commutation élevée:
PMOSest couramment utilisé dans les circuits de commutation à haut côté (source connectée à l'alimentation, égoutte à la charge). Une tension de porte basse l'allume, mise à la terre de la charge. Exemple:Dans les circuits alimentés par batterie, PMOS contrôle l'alimentation de la charge, simplifiant le contrôle au niveau logique.

Polarité de tension et circuit de conduite:

Les PMO nécessitent unchauffeur(par exemple, un transistor NPN ou NMOS) pour abaisser la tension de la porte sous la source.

Dans la logique CMOS (par exemple, onduleurs), PMOS tire la sortie de sortie, complémentant les NMOS qui tire bas.

Effets des diodes corporelles:

PMOS a une diode corporelle interne de la source à l'égout. Si la tension de vidange dépasse la tension de la source, la diode effectue, provoquant potentiellement un flux de courant imprégné.Les concepteurs doivent éviter les tensions inversées ou ajouter des mesures de protection.

4. Résumé