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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
DS1250YP-70 +	105.7650	RFQ	3148	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Module 34-PowerCap ™	DS1250Y	Nvsram (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	Module 34-PowerCap	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-4941-DS1250YP-70 +	3A991B2A	8542.32.0041	40		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Nvsram	512k x 8	Parallèle	70ns
S29gl512n11tfi020	-	RFQ	7956	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Obsolète								-				2156-S29GL512N11TFI020			1
IS61C632A-6TQI	-	RFQ	4537	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61C632	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	72	83 MHz	Volatil	1mbit	6 ns	Sram	32k x 32	Parallèle	-
MT29F128G08CBCEBRT-37BES: E TR	-	RFQ	3220	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			8542.32.0071	1 000	267 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
Gd25x512mebary	11.2385	RFQ	2421	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25x	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25X512MEBARY			4 800	200 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - e / s octal	-
Cy7c028v-25axc	-	RFQ	7405	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C028	Sram - double port, asynchrone	3V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	25 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	25ns	Non Vérifié
IS64LF25636A-7.5B3LA3	23.2447	RFQ	8562	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS64LF25636	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
CG10148	28.5950	RFQ	3890	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme						1 000
IS46LD32128C-18BPLA2-TR	-	RFQ	6254	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	168-VFBGA	IS46LD32128	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46LD32128C-18BPLA-TR	EAR99	8542.32.0036	1	533 MHz	Volatil	4 Gbit	5,5 ns	Drachme	128m x 32	HSUL_12	15NS
R1LV0408CSB-5UC # D0	13.3100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991	8542.32.0041	1
Idt71v65803s150pfi	-	RFQ	8588	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	Idt71v65803	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71v65803s150pfi	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	Volatil	9mbitons	3,8 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
Gd9fs8g8e2amgi	14.9396	RFQ	3046	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd9f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	télécharger				1970-gd9fs8g8e2amgi			960		Non volatile	8 Gbit	22 ns	Éclair	1g x 8	Onfi	25ns
SFEM020GB2ED1TB-I-CE-11P-STD	25.3300	RFQ	10	Swissbit	EM-36	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-TFBGA		Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-BGA (11,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)					1	200 MHz	Non volatile	160 Gbit		Éclair	20g x 8	EMMC	-
CYD36S72V18-200BGXC	-	RFQ	9369	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	484-fbga	CYD36S72	Sram - double port, synchrone	1,42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V	484-PBGA (27x27)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	40	200 MHz	Volatil	36mbitons	3,3 ns	Sram	512k x 72	Parallèle	-
W97BH2MBVA2I TR	5.6100	RFQ	9782	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	W97BH2	Sdram - mobile lpddr2-s4b	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W97BH2MBVA2itr	EAR99	8542.32.0036	3 500	400 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	HSUL_12	15NS
W25q512jveiq tr	4.8300	RFQ	3450	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25Q512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	W25q512jveiqtr	3A991B1A	8542.32.0071	4 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o	-
Cat28lv64gi20	-	RFQ	4266	onsemi	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	Cat28lv64	Eeprom	3V ~ 3,6 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	32		Non volatile	64kbit	200 ns	Eeprom	8k x 8	Parallèle	5 ms
MT29F256G08CEECBH6-12: C	-	RFQ	2787	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,5 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
71V65603S150BG	26.1188	RFQ	4915	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	119-BGA	71V65603	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	150 MHz	Volatil	9mbitons	3,8 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
S99gl064n90ffi030	-	RFQ	9680	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète								-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1
AS6C1616-55BINTR	-	RFQ	5538	Alliance Memory, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-LFBGA	AS6C1616	Sram - asynchrone	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		Volatil	16mbitons	55 ns	Sram	1m x 16	Parallèle	55ns
CY7C1514KV18-300BZC	-	RFQ	2232	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1514	Sram - Synchrone, Qdr II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
P19043-B21-C	230.0000	RFQ	2740	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-P19043-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
S29GL064S70TFI030	-	RFQ	6901	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S29GL064S70TFI030			1
Gd5f1gq5ueyjgr	2.9324	RFQ	5226	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-gd5f1gq5ueyjgrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	1 gbit	7 ns	Éclair	256m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
815100-B21-C	130 0000	RFQ	2180	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-815100-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY62256VLL-70SNC	1.6500	RFQ	13	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	CY62256	Sram - asynchrone	2,7 V ~ 3,6 V	28-Sic	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8542.32.0041	182		Volatil	256kbit	70 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	70ns	Non Vérifié
IS46R16160D-6TLA1-TR	5.6024	RFQ	8574	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS46R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
At25dn256-sshf-b	0,2601	RFQ	6874	Adesto Technologies	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	At25dn256	Éclair	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	98	104 MHz	Non volatile	256kbit		Éclair	32k x 8	Pimenter	8µs, 1,75 ms
Cy7c1011cv33-10zi	8.8100	RFQ	69	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1011	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (69470)

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