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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR | - | ![]() | 2603 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Mt29vzzzad8 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||
![]() | CY7C1355C-133BGXC | - | ![]() | 7399 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | CY7C1355 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Volatil | 9mbitons | 6.5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | S29AL016J70BFA013 | 2.1383 | ![]() | 2881 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, Al-J | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | S29AL016 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (8.15x6.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | Cy62128bnll-55zxi | - | ![]() | 2213 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | CY62128 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-tsop I | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | A3116520-C | 193.7500 | ![]() | 6441 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A3116520-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IS43QR85120B-083RBI-TR | 9.5494 | ![]() | 3476 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43QR85120B-083RBI-TR | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 8 | Coffre | 15NS | |||||
![]() | S25FL512SAGMFMG13 | 12.9500 | ![]() | 5960 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automobile, AEC-Q100, FL-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | S25FL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||
![]() | M3004316045nx0ptar | 10.5203 | ![]() | 2614 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Mram (magnétororesistif) | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | Rohs3 conforme | 800-M3004316045NX0PTARTR | 1 | Non volatile | 4mbbitons | 45 ns | Bélier | 256k x 16 | Parallèle | 45ns | |||||||
![]() | W25n04kvzeiu tr | 5.5500 | ![]() | 9229 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | W25N04 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25N04Kvzeiutr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 104 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Spi - quad e / o | 250 µs | ||
S25HL02GTDPBHV050 | 35.8600 | ![]() | 103 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25HL02 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | PG-BGA-24-805 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 133 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Spi - double e / s | - | ||||
![]() | NDS76PBA-16IT TR | 2.1688 | ![]() | 4532 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS76PBA-16ITTR | 2 500 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M | - | ![]() | 4090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | Idt71v432s10pf | - | ![]() | 8948 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v432 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V432S10PF | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 32k x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | ![]() | 6034 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPD25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | C-1333D3S9 / 8G-TAA | 70.0000 | ![]() | 5889 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-1333D3S9 / 8G-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 70V05L12J | - | ![]() | 4346 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V05L12J | 1 | Volatil | 64kbit | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||||||
S25FL116K0XBHI023 | - | ![]() | 3523 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL116 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||||
![]() | EDF8164A3PK-JD-FD | - | ![]() | 1829 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 680 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||
![]() | A5180168-C | 95.7500 | ![]() | 8067 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A5180168-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | C-3200D4SR16S / 4G | 50 0000 | ![]() | 5933 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-3200D4SR16S / 4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CAT24C02LI-GA | - | ![]() | 8225 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | CAT24C02 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | Non volatile | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT: C | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f1g32d2ds-023ait: c | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
IS25LQ010A-JDE | - | ![]() | 9125 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25LQ010 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Spi - quad e / o | 400 µs | ||||
![]() | X28hc64pz-12 | 15.8270 | ![]() | 2350 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 28 DIP (0,600 ", 15,24 mm) | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 PDICES | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 20-x28hc64pz-12 | 1 | Non volatile | 64kbit | 120 ns | Eeprom | 8k x 8 | Parallèle | 5 ms | ||||||
![]() | Gd25wb256eyjgr | 2.9601 | ![]() | 2941 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25wb | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-GD25WB256EYJGRTR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 256mbitons | 7,5 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | 300 µs, 8 ms | |||||||
7025S15J8 | - | ![]() | 3364 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 7025S15 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatil | 128kbit | 15 ns | Sram | 8k x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | 7008L12JI | - | ![]() | 9464 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7008L12JI | 1 | Volatil | 512kbit | 12 ns | Sram | 64k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||||||
![]() | MT49H32M18CSJ-18: B | - | ![]() | 5486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 120 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | S99-50292 | - | ![]() | 2087 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 70V27S25pfg | - | ![]() | 3462 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70v27 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V27S25PFG | OBSOLÈTE | 1 | Volatil | 512kbit | 25 ns | Sram | 32k x 16 | Lvttl | 25ns |
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