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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
Snpy898nc / 16g-c	51.2500	RFQ	5415	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-snpy898nc / 16g-c	EAR99	8473.30.5100	1
MT55L512Y36PF-10	20.9200	RFQ	112	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT55L512Y	Sram - asynchrone, zbt	3.135V ~ 3 465V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	18mbitons	5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
R1EX25032ATA00A # S0	0,6000	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	R1EX25032	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	8542.32.0051	3 000	5 MHz	Non volatile	32kbit		Eeprom	4k x 8	Pimenter	5 ms
71V67603S166PFG	34.1500	RFQ	242	Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	71V67603	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	9mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
K6R1016C1D-TI10T00	6.5000	RFQ	69	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface			Sram - asynchrone	5V	44-TSOP II	-				3277-K6R1016C1D-TI10T00TR	EAR99	8542.32.0041	50		Volatil	1mbit		Sram	64k x 16	Parallèle	10ns	Non Vérifié
At24c32d-mahm-t	-	RFQ	4838	Athel	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN	At24c32	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	Carte de 8 minutes (2x3)	télécharger					EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz	Non volatile	32kbit	550 ns	Eeprom	4k x 8	I²c	5 ms
Mt52l8dbqc-dc	-	RFQ	8387	Micron Technology Inc.	*	En gros	Actif				MT52L8				-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1
IS43LR32640B-5BI-TR	9.3233	RFQ	5957	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA		SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LR32640B-5BI-TR			2 500	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
Cy62256ll-70snxit	-	RFQ	3081	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	CY62256	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	28-Sic	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	256kbit	70 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	70ns
71T75802S166PFG	25.5000	RFQ	7163	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	71T75802	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	2 375V ~ 2 625V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	Volatil	18mbitons	3,5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
S99-50541	-	RFQ	3318	Infineon Technologies	-	Plateau	Abandonné à sic								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1
S29gl128p11tfiv20	7.6800	RFQ	3066	Infineon Technologies	Gl-p	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29GL128	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	91		Non volatile	128mbitons	110 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	110ns
Cy62138fv30ll-45zaxa	-	RFQ	6815	Infineon Technologies	MOBL®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0 465 ", 11,80 mm de grand)	CY62138	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-stsop	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 340		Volatil	2mbitons	45 ns	Sram	256k x 8	Parallèle	45ns
At45db011d-mh-y	-	RFQ	8367	Technologie des micropuces	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	At45db011	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	8-UDFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	At45db011dmhy	EAR99	8542.32.0051	490	66 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	264 octets x 512 pages	Pimenter	4 ms
S29GL256S10FAA020	-	RFQ	8155	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q100, GL-S	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	180		Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	60ns
Mtfc8glvea-1f wt tr	-	RFQ	4410	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc8	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
DSQCF01-K05 + T	-	RFQ	4651	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète								-	Rohs3 conforme			175-DSQCF01-K05 + TTR	OBSOLÈTE		1 000
MT40A512M16LY-062E AT: E TR	-	RFQ	8981	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A512M16	Sdram - ddr4	-	96-FBGA (7,5x13,5)	-				557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000	1,6 GHz	Non volatile	8 Gbit		Drachme	512m x 16	-	-
NDS66PBA-20IT	2.5776	RFQ	1621	INSignnis Technology Corporation	*	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1982-NDS66PBA-20IT			348
IS43R83200D-5TL	5.3822	RFQ	9812	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS43R83200	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
IS25WP080D-JULE-T-T-TR	0,6114	RFQ	6186	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 1,95 V	8-USON (2x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS25WP080D-JULE-T-T-TR			5 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons	7 ns	Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
M24256-BRCS6TP / A	-	RFQ	3614	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-ufbga	M24256	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-wlcsp	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	1 MHz	Non volatile	256kbit	450 ns	Eeprom	32k x 8	I²c	5 ms
7130SA20J	-	RFQ	1213	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	7130SA	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	24		Volatil	8kbit	20 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	20ns
S27KL0643GABHV023	4.4100	RFQ	6320	Infineon Technologies	Hyperram ™ KL	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA		Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2	8542.32.0041	2 500	200 MHz	Volatil	64mbitons	35 ns	Psram	8m x 8	Spi - e / s octal	35ns
71V256SA12PZG8	3.6200	RFQ	2	Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	71v256	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	28 TSOP	télécharger					3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	256kbit	12 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	12ns
MT49H32M18CFM-25: B Tr	-	RFQ	2531	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H32M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
Cy7c1021v33-15vc	5.3400	RFQ	803	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	Cy7c1021	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-soj	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS
IS43TR16512S2DL-107MBI-TR	20.6150	RFQ	9096	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-LFBGA		Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-LWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16512S2DL-107MBI-TR			1 500	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
70T3599S166DR	-	RFQ	9085	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	208-BFQFP	70T3599	Sram - double port, synchrone	2,4 V ~ 2,6 V	208-PQFP (28x28)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,6 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
Mt29f2g08abbeahc-it: e tr	4.2400	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Mémoire (69470)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

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