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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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MX25L3236FM2I-08G | 0,6624 | ![]() | 3305 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 3 (168 Heures) | 1092-MX25L3236FM2I-08G | 92 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | 6 ns | Éclair | 1m x 32, 2m x 16, 4m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 1,2 ms | ||||||||
![]() | W631GU8MB-15 | - | ![]() | 8638 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | W631GU8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-VFBGA (10.5x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | Idt71v67903s85pf8 | - | ![]() | 4773 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v67903 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V67903S85PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 87 MHz | Volatil | 9mbitons | 8,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
CAT24C32VP2I-GT3 | - | ![]() | 9653 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | CAT24C32 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 1 MHz | Non volatile | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²c | 5 ms | |||||
![]() | 815098-K21-C | 162.0000 | ![]() | 5579 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-815098-K21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Gd25lq64ewagr | 1.6045 | ![]() | 6739 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25LQ64EWAGRTR | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 64mbitons | 6 ns | Éclair | 8m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 100 µs, 4 ms | ||||||||
![]() | AT25SF321B-SSHB-B | 0,4581 | ![]() | 7873 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | At25sf321 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1265-AT25SF321B-SSHB-B | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | |||
CAT28C256G12 | - | ![]() | 1000 | 0,00000000 | onsemi | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | CAT28C256 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.43x13.97) | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | Non volatile | 256kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 5 ms | ||||||
![]() | CB867-80050 | - | ![]() | 3962 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | W631GU8MB09I | - | ![]() | 2246 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-VFBGA | W631GU8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-VFBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W631GU8MB09I | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 1 066 GHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 8 | Sstl_15 | 15NS | ||
MT47H256M4CF-3 IT: H | - | ![]() | 1788 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS49NLC36800A-25EWBL | 29.0237 | ![]() | 5037 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC36800A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 8m x 36 | Hstl | - | |||||
AT93C46E-TH-B | 0,3000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | 93C46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | At93c46ethb | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | Série de 3 FILS | 5 ms | ||||
![]() | IS45S16400F-7TLA1 | - | ![]() | 3736 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | S29GL256S11TFIV20 | 7.9300 | ![]() | 6448 | 0,00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL256 | Flash - ni | 1,65 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | SP005664585 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 256mbitons | 110 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
CAT25128VE-GD | - | ![]() | 7837 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Cat25128 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 100 | 10 MHz | Non volatile | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||||
![]() | Ds28e80q + u | - | ![]() | 1192 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Bande | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | Ds28e80 | Eeprom | 2 97V ~ 3,63 V | 6-TDFN (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | Non volatile | 2kbit | 2 µs | Eeprom | 2k x 1 | 1-Wire® | - | ||||
![]() | S29GL128S10DHV010 | 5.9400 | ![]() | 7671 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-S29GL128S10DHV010 | 1 | Non volatile | 128mbitons | 100 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 60ns | Non Vérifié | ||||||
![]() | CAT34C02VP2I-GT3 | - | ![]() | 5695 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BR24G1MF-3AGTE2 | 3.4400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | BR24G1 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 1mbit | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | MX25U8033EZNI-12G | 0,7300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MX25U8033 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 80 MHz | Non volatile | 8mbitons | Éclair | 1m x 8 | Spi - quad e / o | 30 µs, 3ms | ||||
![]() | Idt71v65703s75pf8 | - | ![]() | 2689 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v65703 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V65703S75PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 9mbitons | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | MX25U25645GXDR00 | - | ![]() | 9712 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MX25U25645 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 24-CSPBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1092-1273 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 60 µs, 750 µs | |||
![]() | MT40A1G16KH-062E AUT: E TR | 24.0300 | ![]() | 8754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | 557-MT40A1G16KH-062EAUT: ETR | 3 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | 15NS | ||||||||
![]() | M25p20-vmn6pba | - | ![]() | 7898 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25P20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 75 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||||
IS41LV16105B-50TL | - | ![]() | 3897 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS41LV16105 | Dram - FP | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | SST39VF800A-70-4C-MAQE-T | 2.3400 | ![]() | 3787 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-WFBGA | Sst39vf800 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-WFBGA (6x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 16 | Parallèle | 20 µs | ||||
![]() | S25FL132K0XMFIQ11 | - | ![]() | 6430 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Obsolète | - | 2156-S25FL132K0XMFIQ11 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 71v416ys12phg | - | ![]() | 8832 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | 71V416Y | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Volatil | 4mbbitons | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 12ns | ||||||
![]() | IS93C66A-2GRLI | - | ![]() | 2049 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 93C66A | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1051-5 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microwire | 5 ms |
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