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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | Gd25ld40ckigr | 0,3640 | ![]() | 5718 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (1,5x1,5) | télécharger | 1970-GD25LD40CKIGRTR | 3 000 | 50 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 12 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - double e / s | 97µs, 6 ms | |||||||
![]() | Idt71v3558s200pfg | - | ![]() | 8320 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v3558 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V3558S200PFG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | S70KL1282DPBHA023 | 8.2250 | ![]() | 8949 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-fbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 36 ns | Psram | 16m x 8 | Hyperbus | 36ns | ||||
![]() | Cy62136fv30ll-45zsxa | 6.7375 | ![]() | 8350 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | CY62136 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 270 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | Mt58l256l36ft-10 | 15.6400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR | 58.0650 | ![]() | 9529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f2g32d4ds-023ait: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | Mtfc32gazaqhd-wt | 18.0200 | ![]() | 1781 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAZAQHD-WT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||
![]() | CY7C1513JV18-300BZC | - | ![]() | 9141 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1513 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 4m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | S26HS512TGABHV010 | 13.8600 | ![]() | 9664 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,7 V ~ 2V | 24-fbga (6x8) | télécharger | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 200 MHz | Non volatile | 512mbitons | 5.45 ns | Éclair | 64m x 8 | Hyperbus | 1,7 ms | |||||
![]() | S25fl032p0xmfv003m | - | ![]() | 7766 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Plat | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | S25FL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16 ans | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 5 µs, 3ms | |||
![]() | At25df021-ssh-t | - | ![]() | 6435 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | At25df021 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | 3 (168 Heures) | At25df021-ssh-tad | EAR99 | 8542.32.0071 | 4 000 | 70 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 7µs, 5 ms | ||||
![]() | 71V67903S85BQ | 26.1188 | ![]() | 7985 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | 71V67903 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-Cabga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 87 MHz | Volatil | 9mbitons | 8,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | 71V321S25pfi8 | - | ![]() | 3982 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 71V321 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 16kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||
![]() | MT29F2G08ABDWP: D | - | ![]() | 2475 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | IS46LD32128C-25BPLA1 | - | ![]() | 3130 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-VFBGA | IS46LD32128 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS46LD32128C-25BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5,5 ns | Drachme | 128m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |
![]() | 70T3509MS150BPI | - | ![]() | 7769 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 256-BGA | Sram - double port, standard | 2,4 V ~ 2,6 V | 256-Cabga (17x17) | - | 800-70T3509MS150BPI | 1 | 150 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Lvttl | - | ||||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AUT: C TR | 73.4400 | ![]() | 8011 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
Mx25v4035fzni | 0,3540 | ![]() | 5043 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 Heures) | 1092-MX25V4035FZNI | 570 | 108 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 6 ns | Éclair | 1m x 4, 2m x 2, 4m x 1 | Spi - quad e / o | 100 µs, 3,6 ms | |||||||
![]() | CYD18S72V-100BBC | - | ![]() | 2782 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 484-BGA | CYD18S72 | Sram - double port, synchrone | 3.135V ~ 3 465V | 484-fbga (23x23) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 256k x 72 | Parallèle | - | |||
Cav24c128we-gt3 | 0 7600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Cav24c128 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 1 MHz | Non volatile | 128kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | M24C02-WMN6TP | 0 1700 | ![]() | 199 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M24C02 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 400 kHz | Non volatile | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||
![]() | CY7C1021CV33-8ZXCT | - | ![]() | 9933 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 8ns | |||
![]() | P38454-B21-C | 370.0000 | ![]() | 7779 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-P38454-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | EM68C16CWQG-25IH | 4.8100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Etron Technology, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | EM68C16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 500 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | CG8868AMT | 14.2800 | ![]() | 1841 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | Py7c1021cv33-10zc | - | ![]() | 5904 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F1T208ECCBBJ4-37: B Tr | - | ![]() | 8661 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T208 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 1,125 tbit | Éclair | 144g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | M5M51008DFP-55hibt | - | ![]() | 6038 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 450 ", 11,40 mm de grosur) | M5M51008D | Sram | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | IS45S16100H-7TLA1-T-T-TR | 2.1024 | ![]() | 6186 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 16mbitons | 5,5 ns | Drachme | 1m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | Cy14b108n-ba45xit | 51.5025 | ![]() | 8077 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | CY14B108 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-fbga (6x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Non volatile | 8mbitons | 45 ns | Nvsram | 512k x 16 | Parallèle | 45ns |
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