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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | B4U35AA-C | 17.5000 | ![]() | 6552 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-B4U35AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - | ![]() | 7573 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2 500 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Lvstl | 18n | ||||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR | 92.3100 | ![]() | 8633 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 556-LFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | 3,5 ns | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | 18n | ||||||||
![]() | 5962-9150803MXA | - | ![]() | 5532 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 68-BPGA | 5962-9150803 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PGA (29.46x29.46) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-9150803MXA | OBSOLÈTE | 3 | Volatil | 128kbit | 55 ns | Sram | 16k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | 4x70G88311-C | 110.0000 | ![]() | 2310 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-4x70G88311-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S99ML01G10043 | - | ![]() | 7207 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Abandonné à sic | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT58L128L32F1F-10 | 5.5600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT58L128L32 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | |||
CAT25010VP2I-GT3 | 0,2000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WFDFN | Cat25010 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||||
![]() | 71421SA5J8 | - | ![]() | 7411 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-71421SA5J8TR | 1 | Volatil | 16kbit | Sram | 2k x 8 | Parallèle | - | ||||||||||
![]() | UPD431000AGW-80Y-E2 | 0,7800 | ![]() | 441 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 000 | ||||||||||||||||||
![]() | S99JL032J0010 | - | ![]() | 6353 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | - | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7c1320jv18-250bzxi | 35.7800 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1320 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
CAT24C01WGI | 0 1200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT24C01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-CAT24C01WGI-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | Non volatile | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | 47C16T-E / SN16KVAO | - | ![]() | 5404 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 47C16 | Eeprom, sram | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 150-47C16T-E / SN16KVAO | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 300 | 1 MHz | Non volatile | 16kbit | Eeram | 2k x 8 | I²c | 1 ms | ||||
![]() | MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | 14.3327 | ![]() | 6270 | 0,00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | MB85R8 | Fram (Ferroelectric RAM) | 1,8 V ~ 3,6 V | 48-fbga (8x6) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Non volatile | 8mbitons | 120 ns | Fracture | 512k x 16 | Parallèle | 120ns | ||||
CAT25160VI-G-CS | - | ![]() | 5002 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Cat25160 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 20 MHz | Non volatile | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
![]() | CY7C1515KV18-300BZXC | 148.6800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1515 | Sram - Synchrone, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 3 | 300 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||||
![]() | S29GL512S12DHE013 | 43.4245 | ![]() | 3825 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, GL-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 2 200 | Non volatile | 512mbitons | 120 ns | Éclair | 64m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C TR | 78.1500 | ![]() | 2856 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AM28F020-200EC | 2 0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | DMLA | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - ni | 12V | 32-tsop | - | Rohs non conforme | 3277-AM28F020-200EC | EAR99 | 8542.32.0070 | 100 | Non volatile | 2mbitons | 200 ns | Éclair | 256k x 8 | Parallèle | 200 ns | Non Vérifié | |||||
![]() | IS43TR85120B-125KBLI | 8.3085 | ![]() | 6531 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR85120B-125KBLI | 242 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | ||||||
![]() | 5962-8700208TA | - | ![]() | 9760 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48 Flatpack | 5962-8700208 | Sram - double port, synchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-fpack | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 800-5962-8700208TA | OBSOLÈTE | 9 | Volatil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR | 11h3050 | ![]() | 8234 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||||
S29gl01gp11ffir10 | 18h0000 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Gl-p | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL01 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-s29gl01gp11ffir10 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | Non volatile | 1 gbit | 110 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 110ns | ||||||
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR | 12.9738 | ![]() | 3827 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS64WV51216 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | |||||
![]() | 5962-9161705MXA | - | ![]() | 6218 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 84-BPGA | 5962-9161705 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PGA (27.94x27.94) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 800-5962-9161705MXA | OBSOLÈTE | 3 | Volatil | 128kbit | 45 ns | Sram | 8k x 16 | Parallèle | 45ns | Non Vérifié | |||
![]() | 70V18S12Pfi8 | - | ![]() | 1523 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | - | 800-70V18S12pfi8tr | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | N25q032a13esec0f tr | - | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
S80KS2563GABHB020 | 15.4500 | ![]() | 676 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | S80KS2563 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 2V | 24-fbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 35 ns | Psram | 32m x 8 | Spi - e / s octal | 35ns | ||||
S25FL256SAGBHI210 | 6.0400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 3 380 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | - |
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