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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
7014S20J8	-	RFQ	6541	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	7014S20	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	400		Volatil	36kbit	20 ns	Sram	4K x 9	Parallèle	20ns
Cy62128bnll-70zxat	-	RFQ	9545	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	CY62128	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	70 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	70ns
MT53E256M16D1FW-046 WT: B TR	7.4850	RFQ	5256	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E256M16D1FW-046WT: BTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	4 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	18n
SST39VF802C-70-4C-B3KE	1.8400	RFQ	13	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	Sst39vf802	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Sst39vf802c704cb3ke	EAR99	8542.33.0001	480		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	512k x 16	Parallèle	10 µs
MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR	94.8300	RFQ	1764	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR			2 000	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	3G x 32	Parallèle	-
MT29F1T08EHAFJ4-3ITFES: A	38.9700	RFQ	7895	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			8542.32.0071	1 120	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
41x1081-c	17.5000	RFQ	7181	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-41X1081-C	EAR99	8473.30.5100	1
70v38l20pf8	-	RFQ	5760	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	70V38L	Sram - double port, asynchrone	3V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	750		Volatil	1 125mbit	20 ns	Sram	64k x 18	Parallèle	20ns
Idt71v3559sa85bqi	-	RFQ	9146	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	Idt71v3559	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	165-Cabga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71V3559SA85BQI	3A991B2A	8542.32.0041	136		Volatil	4,5 Mbit	8,5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
W25q128bvesg	-	RFQ	7212	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	W25Q128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (8x6)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q128Bvesg	OBSOLÈTE		1	104 MHz	Non volatile	128mbitons	7 ns	Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o	50 µs, 3 ms
S711e20e0vfue3	30.2300	RFQ	117	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif								télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			0000.00.0000	1
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: E TR	52.9800	RFQ	3739	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: ETR			2 000
03T8399-C	58,5000	RFQ	9846	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-03T8399-C	EAR99	8473.30.5100	1
NDS66PBA-16IT	2.7602	RFQ	4429	INSignnis Technology Corporation	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA		Sdram	3V ~ 3,6 V	54-fbga (8x8)	-				1982-NDS66PBA-16IT			2 500	166 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Lvttl	-
CY621472GN30-45ZSXI	5.7750	RFQ	2506	Infineon Technologies	MOBL®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY621472	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 350		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns
Stk11c68-sf35itr	-	RFQ	4468	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm de grandeur)	STK11C68	Nvsram (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	28-Sic	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Non volatile	64kbit	35 ns	Nvsram	8k x 8	Parallèle	35ns
S99JL064J60TFI000	-	RFQ	1425	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète								-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		1
W77q32jwsfio	1.4299	RFQ	5883	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	W77Q32	Éclair	1,7 V ~ 1,95 V	16 ans	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		256-W77Q32JWSFIO			176	104 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	-	Spi - quad e / o, qpi	-
IS25WP256D-JMLE	5.3900	RFQ	263	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25WP256	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
70V658S10BF	188.0752	RFQ	8508	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	208-LFBGA	70V658	Sram - double port, asynchrone	3,15 V ~ 3 45 V	208-Cabga (15x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	7		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	64k x 36	Parallèle	10ns
70V07S45pfi8	-	RFQ	1671	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	80 LQFP		Sram - double port, asynchrone	3V ~ 3,6 V	80-TQFP (14x14)	-				800-70V07S45pfi8tr			1		Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns
S29AL016J55TFI020	-	RFQ	5128	Étendu	Al-j	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29AL016	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Non applicable				EAR99	8542.32.0051	96		Non volatile	16mbitons	55 ns	Éclair	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	55ns
AS4C256M16MD4V-062BAN	20.5900	RFQ	136	Alliance Memory, Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V	200-FBGA (10x14,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		1450-AS4C256M16MD4V-062BAN	EAR99	8542.32.0036	136	1,6 GHz	Volatil	2 gbit	3,5 ns	Drachme	128m x 16	Lvstl	18n
CY7C09369V-12AXC	40.4500	RFQ	50	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C09369	Sram - double port, synchrone	3V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2B	8542.32.0041	8	50 MHz	Volatil	288kbit	12 ns	Sram	16k x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
IS42S16100E-7TL-TR	-	RFQ	3511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
BR25H320NUX-5CTR	1.1100	RFQ	4	Semi-conducteur de Rohm	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN		Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	Vson008x2030	télécharger		1 (illimité)					4 000	20 MHz	Non volatile	32kbit		Eeprom	4k x 8	Pimenter	3,5 ms
7132LA100J	-	RFQ	8595	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	7132la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	24		Volatil	16kbit	100 ns	Sram	2k x 8	Parallèle	100ns
Cy15b104qn-20lpxi	21.0175	RFQ	5670	Infineon Technologies	Excelon ™ -lp, F-Ram ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-uqfn	Cy15b104	Fram (Ferroelectric RAM)	1,8 V ~ 3,6 V	8-GQFN (3.23x3.28)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	490	20 MHz	Non volatile	4mbbitons		Fracture	512k x 8	Pimenter	-
CY7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1568	Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	Volatil	72mbitons		Sram	2m x 36	Parallèle	-
BR24C02-RDW6TP	-	RFQ	9045	Semi-conducteur de Rohm	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	BR24C02	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	3 000	100 kHz	Non volatile	2kbit		Eeprom	256 x 8	I²c	10 ms

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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Mémoire (70500)

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