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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CG7803AA | 26.7300 | ![]() | 386 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | - | Non applicable | 12 | Non Vérifié | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2170KV18-400BZC | 39.8200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C2170 | Sram - synchrone, ddr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 400 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | GD25F128FB2RY | 2.2364 | ![]() | 9481 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F128FB2RY | 4 800 | 200 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o | - | |||||||||
![]() | W25N512GWFIG | - | ![]() | 5678 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | W25N512 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25N512GWFIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Non volatile | 512mbitons | 7 ns | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o | 700 µs | ||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A TR | - | ![]() | 7665 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: ATR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | |||||||
![]() | Gd5f4gq6ueyigy | 6.6500 | ![]() | 4052 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd5f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | télécharger | 1970-gd5f4gq6ueyigy | 4 800 | 104 MHz | Non volatile | 4 Gbit | 9 ns | Éclair | 512m x 8 | Spi - quad e / o | 600 µs | ||||||||
![]() | W25Q128FVBAG | - | ![]() | 9748 | 0,00000000 | Electronique Winbond | * | Tube | Obsolète | Support de surface | 24 TBGA | W25Q128 | 24-TFBGA (6x8) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q128FVBAG | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||
![]() | Cy14b108m-zsp25xit | 63.1925 | ![]() | 1021 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | CY14B108 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 25 ns | Nvsram | 512k x 16 | Parallèle | 25ns | ||||
![]() | 71V424S12PH | - | ![]() | 9045 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | 71V424 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4mbbitons | 12 ns | Sram | 512k x 8 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | Idt71v3556s133pfi | - | ![]() | 1726 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v3556 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V3556S133Pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | Mt53d4ddsb-dc | - | ![]() | 1852 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | En gros | Actif | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 190 | ||||||||||||||||||||
![]() | CG8532AA | - | ![]() | 6219 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2015-CG8532Aanactive | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 125 | |||||||||||||||||
![]() | AT28C64B-15TU | - | ![]() | 3290 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | At28c64 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | AT28C64B15TU | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | Non volatile | 64kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Parallèle | 10 ms | |||
![]() | IS42S16320F-6BI-TR | 11.8500 | ![]() | 5366 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16320 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 2 500 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | 7164S25TPGI | - | ![]() | 3552 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 28 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28 PDICES | - | 800-7164S25TPGI | 1 | Volatil | 64kbit | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 25ns | |||||||||
![]() | STK14D88-RF35I | 11.6800 | ![]() | 136 | 0,00000000 | Simtek | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | STK14D88 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 256kbit | 35 ns | Nvsram | 32k x 8 | Parallèle | 35ns | ||||
![]() | 71V3559S85BGI | 10.8200 | ![]() | 6574 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | 71V3559 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 4,5 Mbit | 8,5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||||||
![]() | CY7C2663KV18-550BZI | 536.3050 | ![]() | 1648 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C2663 | Sram - synchrone, qdr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | Volatil | 144mbitons | Sram | 8m x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | CY7C1420JV18-250BZI | - | ![]() | 7113 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1420 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatil | 36mbitons | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | Gd25lt256ey2gy | 4.7723 | ![]() | 2063 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LT256EY2GY | 4 800 | 200 MHz | Non volatile | 256mbitons | 6 ns | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | 140 µs, 2 ms | ||||||||
![]() | Sst25wf010-40-5i-qaf | - | ![]() | 4566 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST25 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | Sst25wf010 | Éclair | 1,65 V ~ 1,95 V | 8 WSON | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | Sst25wf010405iqaf | EAR99 | 8542.32.0051 | 98 | 40 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Pimenter | 60 µs | |||
![]() | STK17TA8-RF45TR | - | ![]() | 1095 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | STK17TA8 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Non volatile | 1mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | NM24C05M8 | 0,4200 | ![]() | 9874 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NM24C05 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Non volatile | 4kbit | 3,5 µs | Eeprom | 512 x 8 | I²c | 10 ms | |||
![]() | M5M5256DVP-70GI # SE | 5.7800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | ||||||||||||||||||
S27KS0641DPBHI023 | - | ![]() | 9953 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KS | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-VBGA | S27KS0641 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-fbga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 40 ns | Psram | 8m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MX25U1635EZUI-10G | 1.0600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Macronix | MX25XXX35 / 36 - MXSMIO ™ | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MX25U1635 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (4x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 104 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o | 30 µs, 3ms | ||||
![]() | CY7C1325G-100AXC | 5.8300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C1325 | Sram - synchrone, d. | 3.15V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | - | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 52 | 100 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 8 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||||
![]() | M24m01-rmn6p | 1.7900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M24M01 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Non volatile | 1mbit | 500 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | Cy14b101l-sp35xc | - | ![]() | 5332 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | Cy14b101 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.32.0041 | 30 | Non volatile | 1mbit | 35 ns | Nvsram | 128k x 8 | Parallèle | 35ns | Non Vérifié | |||||
![]() | 70v06l15pf | - | ![]() | 4533 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 70v06l | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatil | 128kbit | 15 ns | Sram | 16k x 8 | Parallèle | 15NS |
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