SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page Sic programmable
CY7C028-15AXI Cypress Semiconductor Corp Cy7c028-15axi -
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ECAD 9456 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP CY7C028 Sram - double port, asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 100-TQFP (14x14) télécharger Rohs3 conforme 3A991B2B 8542.32.0041 1 Volatil 1mbit 15 ns Sram 64k x 16 Parallèle 15NS
SST39WF800B-70-4C-EKE Microchip Technology SST39WF800B-70-4C-EKE -
RFQ
ECAD 3565 0,00000000 Technologie des micropuces SST39 MPF ™ Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) Sst39wf800 Éclair 1,65 V ~ 1,95 V 48 TSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 1 Non volatile 8mbitons 70 ns Éclair 512k x 16 Parallèle 40 µs
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D -
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ECAD 9010 0,00000000 Micron Technology Inc. - Plateau Obsolète -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 Flash - Nand, dram - lpddr2 1,8 V - - Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 980 533 MHz Non volatile, volatile 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2) Flash, Bélier 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) Parallèle -
CAT24AA02WI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. Cat24AA02WI-GT3 -
RFQ
ECAD 4868 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) CAT24AA02 Eeprom 1,7 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.32.0051 3 000 1 MHz Non volatile 2kbit 400 ns Eeprom 256 x 8 I²c 5 ms
IS46LD32640C-18BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA1-T-T-TR -
RFQ
ECAD 5210 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 134-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V 134-TFBGA (10x11,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 706-IS46LD32640C-18BLA1-TR 1 533 MHz Volatil 2 gbit 5,5 ns Drachme 64m x 32 HSUL_12 15NS
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 6.4148
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ECAD 4951 0,00000000 Kaga Fei America, Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-VDFN MB85RS4 Fram (Ferroelectric RAM) 1,8 V ~ 3,6 V 8-DFN (5x6) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.32.0071 1 500 50 MHz Non volatile 4mbbitons Fracture 512k x 8 Pimenter -
SST26WF064CT-104I/SO Microchip Technology SST26WF064CT-104I / SO -
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ECAD 5312 0,00000000 Technologie des micropuces SST26 SQI® Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Sst26wf064 Éclair 1,65 V ~ 1,95 V 16 ans - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-sst26wf064ct-104i / sotr 3A991B1A 8542.32.0071 1 000 104 MHz Non volatile 64mbitons Éclair 8m x 8 Spi - quad e / o 1,5 ms
CAT24C05YGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C05YGI 0.1400
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ECAD 3688 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) CAT24C05 Eeprom 1,8 V ~ 5,5 V 8-TSSOP télécharger EAR99 8542.32.0051 1 400 kHz Non volatile 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 I²c 5 ms
MX30LF2G28AC-TI Macronix MX30LF2G28AC-TI 3 5750
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ECAD 6534 0,00000000 Macronix MX30LF Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) MX30LF2 Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 48 TSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 96 Non volatile 2 gbit 20 ns Éclair 256m x 8 Parallèle 20ns
70V24S25PFI Renesas Electronics America Inc 70V24S25pfi -
RFQ
ECAD 8099 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP 70V24S Sram - double port, asynchrone 3V ~ 3,6 V 100-TQFP (14x14) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) EAR99 8542.32.0041 90 Volatil 64kbit 25 ns Sram 4K x 16 Parallèle 25ns
AT25DF021-MHF-T Microchip Technology At25df021-mhf-t -
RFQ
ECAD 4042 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface Pad Exposé 8-UDFN At25df021 Éclair 2,3V ~ 3,6 V 8-UDFN (5x6) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 6 000 50 MHz Non volatile 2mbitons Éclair 256k x 8 Pimenter 7µs, 5 ms
S25FL256SAGBHB210 Infineon Technologies S25FL256SAGBHB210 7.9450
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ECAD 3383 0,00000000 Infineon Technologies FL-S Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 24 TBGA Flash - Ni (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 24-bga (8x6) télécharger 3A991B1A 8542.32.0071 3 380 133 MHz Non volatile 256mbitons 6.5 ns Éclair 32m x 8 Spi - quad e / o 750 µs
S29GL512S11FHB023 Spansion S29GL512S11FHB023 -
RFQ
ECAD 3466 0,00000000 Étendu GL-S En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 64 LBGA S29GL512 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 64-fbga (11x13) télécharger 3A991B1A 8542.32.0071 1 Non volatile 512mbitons 110 ns Éclair 32m x 16 Parallèle 60ns
25LC010A/S16K Microchip Technology 25LC010A / S16K -
RFQ
ECAD 3351 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface Mourir 25LC010 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V Mourir télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 5 000 10 MHz Non volatile 1kbit Eeprom 128 x 8 Pimenter 5 ms
6116SA15SOG8 Renesas Electronics America Inc 6116SA15SOG8 5.1102
RFQ
ECAD 7197 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 24-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) 6116SA Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 24 cols télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 1 000 Volatil 16kbit 15 ns Sram 2k x 8 Parallèle 15NS
CAT24C128WI-GT3 onsemi CAT24C128WI-GT3 0 4700
RFQ
ECAD 875 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) CAT24C128 Eeprom 1,8 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 3 000 1 MHz Non volatile 128kbit 400 ns Eeprom 16k x 8 I²c 5 ms
AS4C64M16D2B-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2B-25BCN 6.6200
RFQ
ECAD 230 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Plateau Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 84-TFBGA AS4C64 Sdram - ddr2 1,7 V ~ 1,9 V 84-fbga (8x12,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0032 200 400 MHz Volatil 1 gbit 400 PS Drachme 64m x 16 Parallèle 15NS
MT35XU512ABA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0UT TR -
RFQ
ECAD 9829 0,00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 24 TBGA MT35XU512 Flash - ni 1,7 V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 2 000 200 MHz Non volatile 512mbitons Éclair 64m x 8 Bus xccela -
SM662PAC-BDST Silicon Motion, Inc. SM662PAC-BDST -
RFQ
ECAD 1705 0,00000000 Silicon Motion, Inc. Ferri-EMMC® Plateau Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface 100 lbga SM662 Flash - Nand (TLC) - 100-BGA (14x18) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 1984-SM662PAC-BDST 3A991B1A 8542.32.0071 1 Non volatile 512gbit Éclair 64g x 8 EMMC -
AT24HC04BN-SP25-B Atmel AT24HC04BN-SP25-B 0,9400
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ECAD 2 0,00000000 Athel Automobile, AEC-Q100 En gros Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) AT24HC04 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger EAR99 8542.32.0051 1 400 kHz Non volatile 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 I²c 5 ms
GD25Q80CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25q80cnigr -
RFQ
ECAD 3847 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface Pad Exposé 8-UDFN GD25Q80 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 8-USON (4x3) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 3 000 120 MHz Non volatile 8mbitons Éclair 1m x 8 Spi - quad e / o 50 µs, 2,4 ms
BRCB016GWL-3E2 Rohm Semiconductor BRCB016GWL-3E2 0,6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Rohm - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 5-ufbga, cspbga BRCB016 Eeprom 1,7 V ~ 3,6 V 5-UCSP50L1 (1.1x1.15) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 3 000 400 kHz Non volatile 16kbit Eeprom 2k x 8 I²c 5 ms
AT24C08D-SSHM-T Microchip Technology At24c08d-sshm-t 0,3000
RFQ
ECAD 1206 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) At24c08 Eeprom 1,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 4 000 1 MHz Non volatile 8kbit 4,5 µs Eeprom 1k x 8 I²c 5 ms
CY7C1461AV33-133AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1461AV33-133AXC -
RFQ
ECAD 3925 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP CY7C1461 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3,6 V 100-TQFP (14x20) télécharger Rohs3 conforme 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz Volatil 36mbitons 6.5 ns Sram 1m x 36 Parallèle - Non Vérifié
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 IT: B -
RFQ
ECAD 2830 0,00000000 Micron Technology Inc. - Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 144-TFBGA MT49H16M18 Drachme 1,7 V ~ 1,9 V 144 µbga (18,5x11) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0028 1 000 400 MHz Volatil 288mbitons 20 ns Drachme 16m x 18 Parallèle -
M30162040108X0ISAY Renesas Electronics America Inc M30162040108x0isay 35.9217
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ECAD 4915 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) M30162040108 Mram (magnétororesistif) 2,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 800-M30162040108X0ISAY EAR99 8542.32.0071 150 108 MHz Non volatile 16mbitons Bélier 4m x 4 - -
IS66WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV25616BLL-55TLI -
RFQ
ECAD 9585 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS66WV25616 Psram (pseudo sram) 2,5 V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 135 Volatil 4mbbitons 55 ns Psram 256k x 16 Parallèle 55ns
CY7C1393BV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1393BV18-250BZI 36.7400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA CY7C1393 Sram - Synchrones, DDR II 1,7 V ~ 1,9 V 165-fbga (13x15) télécharger Rohs non conforme 3A991B2A 8542.32.0041 136 250 MHz Volatil 18mbitons Sram 1m x 18 Parallèle - Non Vérifié
IS43R16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR 5.1123
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ECAD 6886 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) IS43R16320 Sdram - ddr 2,3V ~ 2,7 V 66-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0028 1 500 166 MHz Volatil 512mbitons 700 PS Drachme 32m x 16 Parallèle 15NS
CY7C09159AV-12AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C09159AV-12AXC -
RFQ
ECAD 7539 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP CY7C09159 Sram - double port, synchrone 3V ~ 3,6 V 100-TQFP (14x14) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8542.32.0041 90 50 MHz Volatil 72kbit 12 ns Sram 8k x 9 Parallèle - Non Vérifié
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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