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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
MT29F256G08CJABBWP-12: B	-	RFQ	2026	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960	83 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
CY7C0852AV-167AXC	117.4700	RFQ	598	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	176 LQFP	CY7C0852	Sram - double port, synchrone	3.135V ~ 3 465V	176-TQFP (24x24)	-	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	40	167 MHz	Volatil	4,5 Mbit		Sram	128k x 36	Parallèle	-
IS42S32800J-75ETLI-TR	5.9374	RFQ	9907	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	133 MHz	Volatil	256mbitons	6 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
CYDM064B08-55BVXI	5.9200	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100-VFBGA	Cydm	Sram - double port, mobl	1,7 V ~ 1,9 V, 2,4 V ~ 2,6 V, 3V ~ 3,6 V	100-VFBGA (6x6)	-	Non applicable				EAR99		51		Volatil	64kbit	55 ns	Sram	8k x 8	Parallèle	55ns	Non Vérifié
DS1230AB-85 +	25.0983	RFQ	7300	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	Module à 28 DIP (0,600 ", 15,24 mm)	DS1230AB	Nvsram (SRAM non volatile)	4,75 V ~ 5,25 V	28-Edip	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	12		Non volatile	256kbit	85 ns	Nvsram	32k x 8	Parallèle	85ns
CY7C1327S-166AXC	6.2400	RFQ	333	Cypress Semiconductor Corp	-	Sac	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1327	Sram - synchrone, d.	3.15V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	-	Non applicable				3A991B2A		49	166 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
IS61LPS12836EC-200B3LI-TR	7.3500	RFQ	3928	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS12836	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000	200 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3.1 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
SST39VF401C-70-4I-B3KE	1 6650	RFQ	3888	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	Sst39vf401	Éclair	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	480		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	256k x 16	Parallèle	10 µs
S25FL127SABMFI000	2 5000	RFQ	6168	Semi-conduurs nxp	-	En gros	Actif								-				2156-S25FL127SABMFI000			97
MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A	-	RFQ	7094	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53E1G64	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53E1G64D4SQ-046AAT: A	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 360	2.133 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ: A TR	38.7300	RFQ	9683	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
CY7C1352G-133AXI	-	RFQ	6405	Infineon Technologies	Nobl ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1352	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	Volatil	4,5 Mbit	4 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES: D TR	-	RFQ	9269	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B1536	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	6gbit		Drachme	1,5 GX 32	-	-
MT29F512G08EBLCEJ4-R: C TR	-	RFQ	4651	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (TLC)	2,6V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F512G08EBLCEJ4-R: CTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
S29gl032n11ffis10	-	RFQ	5756	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S29GL032N11FFIS10			1
Sm671peflbfst	140.1400	RFQ	3240	Silicon Motion, Inc.	-	En gros	Actif								-	Rohs3 conforme			1984-SM671PEFLBFST			1
25LC320A-H / SN	0,9150	RFQ	5302	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	25lc320	Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A001A2A	8542.32.0051	100	5 MHz	Non volatile	32kbit		Eeprom	4k x 8	Pimenter	6 ms
C-2666D4DR8S / 32G	113.2500	RFQ	1580	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-C-2666D4DR8S / 32G	EAR99	8473.30.5100	1
S34ML08G201BHI003	9.3400	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	Ml-2	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	S34ML08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-BGA (11x9)	télécharger	Rohs3 conforme			2832-S34ML08G201BHI003-TR	3A991B1A	8542.32.0071	54		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	25ns
MT29F4G08ABBDAH4: D TR	5.6000	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
Gd25lt256eyigr	3.2239	RFQ	4000	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25lt	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	-				1970-GD25LT256EYIGRTR			3 000	200 MHz	Non volatile	256mbitons	6 ns	Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	70 µs, 1,2 ms
CY62167G-45ZXI	23.8700	RFQ	97	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	CY62167	Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2832-CY62167G-45ZXI			25		Volatil	16mbitons	45 ns	Sram	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	45ns	Non Vérifié
S70GL02GT12FHVV20	25.7425	RFQ	7220	Infineon Technologies	Gl-t	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger					3A991B1A	8542.32.0071	180		Non volatile	2 gbit	120 ns	Éclair	256m x 8	CFI	-
Cy7c028-15axi	-	RFQ	9456	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C028	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS
SST39WF800B-70-4C-EKE	-	RFQ	3565	Technologie des micropuces	SST39 MPF ™	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	Sst39wf800	Éclair	1,65 V ~ 1,95 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	512k x 16	Parallèle	40 µs
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D	-	RFQ	9010	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MT29RZ4C8	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	-	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980	533 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
Cat24AA02WI-GT3	-	RFQ	4868	Catalyst Semiconductor Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT24AA02	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.32.0051	3 000	1 MHz	Non volatile	2kbit	400 ns	Eeprom	256 x 8	I²c	5 ms
IS46LD32640C-18BLA1-T-T-TR	-	RFQ	5210	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46LD32640C-18BLA1-TR			1	533 MHz	Volatil	2 gbit	5,5 ns	Drachme	64m x 32	HSUL_12	15NS
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1	6.4148	RFQ	4951	Kaga Fei America, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	MB85RS4	Fram (Ferroelectric RAM)	1,8 V ~ 3,6 V	8-DFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	1 500	50 MHz	Non volatile	4mbbitons		Fracture	512k x 8	Pimenter	-
SST26WF064CT-104I / SO	-	RFQ	5312	Technologie des micropuces	SST26 SQI®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	Sst26wf064	Éclair	1,65 V ~ 1,95 V	16 ans	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-sst26wf064ct-104i / sotr	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	104 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o	1,5 ms

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Unité de produit standard
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Mémoire (70500)

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