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Mémoire (70500)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
W25q81ewxhae	-	RFQ	1157	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN	W25Q81	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-xson (2x3)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q81EWXHAE			1	104 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o	-
S80KS2563GABHV023	11.1650	RFQ	6336	Infineon Technologies	Hyperram ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA		Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 2V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	2 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	35 ns	Psram	32m x 8	Spi - e / s octal	35ns
S27KL0643GABHI020	4.2525	RFQ	7973	Infineon Technologies	Hyperram ™ KL	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA		Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2	8542.32.0041	3 380	200 MHz	Volatil	64mbitons	35 ns	Psram	8m x 8	Spi - e / s octal	35ns
MTFC4GLWDM-4M AAT A TR	11.0850	RFQ	8067	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				Mtfc4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Mtfc4glwdm-4maatatr		0000.00.0000	2 000
7130SA20PF	-	RFQ	7959	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	7130SA	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	45		Volatil	8kbit	20 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	20ns
IS42S81600F-6TLI-TR	2.6967	RFQ	8511	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S81600	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 8	Parallèle	-
IS49NLC36160-33BLI	-	RFQ	9009	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC36160	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
CAT25C128V-TE13	0.1400	RFQ	14	onsemi	*	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	CAT25C128	Eeprom	2,5 V ~ 6V	8-SOIC	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-CAT25C128V-TE13-488	EAR99	8542.32.0071	1	5 MHz	Non volatile	128kbit	80 ns	Eeprom	16k x 8	Pimenter	5 ms
W25Q16JVSSSQ	-	RFQ	3293	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	W25Q16	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25Q16JVSSSQ			1	133 MHz	Non volatile	16mbitons	6 ns	Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o	3 ms
7140SA25J	-	RFQ	9778	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52 LCC (J-LEAD)	7140SA	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	24		Volatil	8kbit	25 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	25ns
W971gg8nb-18 tr	2.7826	RFQ	5268	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-VFBGA	W971gg8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-VFBGA (8x9,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W971GG8NB-18TR	EAR99	8542.32.0032	2 500	533 MHz	Volatil	1 gbit	350 PS	Drachme	128m x 8	Sstl_18	15NS
S25fl064labnfm040	-	RFQ	6700	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Actif								-				2156-S25FL064LABNFM040			1
71V67703S85BGG	28.7073	RFQ	7749	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	119-BGA	71V67703	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	119-PBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	87 MHz	Volatil	9mbitons	8,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
Ds28e81p +	-	RFQ	7708	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Tube	Actif		-	-	Ds28e81			-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	90-2881p + 000		0000.00.0000	120
Mtfc256gaxauea-wt tr	27.5700	RFQ	9228	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	153-WFBGA		Flash - Nand (SLC)	-	153-WFBGA (11,5x13)	-				557-mtfc256gaxauea-wttr			2 000		Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	UFS	-
7130la55p	-	RFQ	7425	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	48-DIP (0,600 ", 15,24 mm)	7130la	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	48-pDip	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	7		Volatil	8kbit	55 ns	Sram	1k x 8	Parallèle	55ns
Mt29f4t08gmlbej4: b tr	-	RFQ	9942	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F4T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-mt29f4t08gmlbej4: btr	OBSOLÈTE		2 000		Non volatile	4 tbit		Éclair	512g x 8	Parallèle	-
70V05S15PFG	-	RFQ	7329	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	70v05	Sram - double port, asynchrone	3V ~ 3,6 V	64-TQFP (14x14)	-				800-70V05S15PFG	OBSOLÈTE		1		Volatil	64kbit	15 ns	Sram	8k x 8	Parallèle	15NS
S29GL01GT10FAI030	19.6700	RFQ	160	Cypress Semiconductor Corp	Automotive, AEC-Q100, GL-T	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL01	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (13x11)	télécharger	Rohs non conforme	Non applicable	Vendeur indéfini	2832-S29GL01GT10FAI030	3A991B1A	8542.32.0070	26		Non volatile	1 gbit	100 ns	Éclair	128m x 8	Parallèle	60ns	Non Vérifié
7111372-C	111.2500	RFQ	1779	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-7111372-C	EAR99	8473.30.5100	1
X28HC256JI-90R5697	-	RFQ	6381	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	X28HC256	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	256kbit	90 ns	Eeprom	32k x 8	Parallèle	5 ms
Upd44165362bf5-e40-eq3	37.1700	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1
03x3816-c	62.5000	RFQ	2029	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-03X3816-C	EAR99	8473.30.5100	1
70v06l12pfi8	-	RFQ	8655	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP		Sram - double port, asynchrone	3V ~ 3,6 V	64-TQFP (14x14)	-				800-70v06l12pfi8tr			1		Volatil	128kbit	12 ns	Sram	16k x 8	Parallèle	12ns
Gd25lb512mefirr	4.5486	RFQ	3154	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	16-SOP	télécharger				1970-gd25lb512mefirrtr			1 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
IS43TR16640ED-15HBLI	5.8300	RFQ	6587	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA		Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43TR16640ED-15HBLI			190	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Sstl_15	15NS
S29GL512T12DHN010Y	7.0000	RFQ	132	Étendu	Gl-t	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	S29GL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (9x9)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B1A	8542.32.0071	1		Non volatile	512mbitons	120 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	60ns
Gd55le511meyigy	4.3092	RFQ	8110	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	-	Plateau	Actif								-				1970-gd55le511meyigy			4 800
S25FL256SAGBHV200	6.5900	RFQ	8	Infineon Technologies	FL-S	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	S25FL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-bga (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o	-
FM27C512Q120	-	RFQ	7758	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	Fenêtre de 28 CDIP (0,600 ", 15,24 mm)	FM27C512	Eprom - uv	4,5 V ~ 5,5 V	28-CDI	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8542.32.0061	12		Non volatile	512kbit	120 ns	Eprom	64k x 8	Parallèle	-

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