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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BR24G08F-3GTE2 | 0 2400 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | BR24G08 | Eeprom | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 400 kHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3.8900 | ![]() | 340 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | IS66WVQ8M4 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Volatil | 32mbitons | Psram | 8m x 4 | Spi - quad e / o | 45ns | ||
![]() | GS88036CGT-300I | 25.2292 | ![]() | 6852 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | GS88036 | Sram - synchrone, standard | 2,3V ~ 2,7 V, 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (20x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2364-GS88036CGT-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300 MHz | Volatil | 9mbitons | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | 872836-091-C | 145.0000 | ![]() | 5010 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-872836-091-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | N25Q256A11E1240E | - | ![]() | 4923 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q256A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | CY62167ELL-45ZXIT | 14.4375 | ![]() | 1500 | 0,00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | CY62167 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 45 ns | Sram | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | AS4C256M16D3LC-12BCNTR | 11.3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | AS4C256 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 500 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | M59DR032EA10ZB6 | - | ![]() | 1663 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-LFBGA | M59DR032 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (7x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 638 | Non volatile | 32mbitons | 100 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 100ns | |||
![]() | Cy7c1021cv33-8vxc | - | ![]() | 6616 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 850 | Volatil | 1mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 8ns | |||
![]() | S71VS256RD0AHKC00 | - | ![]() | 8912 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Vs-r | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | S71VS256 | Flash, psram | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFRBGA (7.7x6.2) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 1 | 108 MHz | Non volatile, volatile | 256mbit (flash), 128mbit (RAM) | Flash, Bélier | - | Parallèle | - | |||||
![]() | MT60B1G16HC-48B: A TR | 16.5750 | ![]() | 2988 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 102-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 102-VFBGA (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: ATR | 2 000 | 2,4 GHz | Volatil | 16 Gbit | 16 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | - | |||||||
![]() | W77q32jwsfis | 1.4697 | ![]() | 9104 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | W77Q32 | Éclair | 1,7 V ~ 1,95 V | 16 ans | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 176 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | - | Spi - quad e / o, qpi | - | |||||
Idt7164s35ygi | - | ![]() | 6182 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | Idt7164 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-soj | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 7164S35ygi | EAR99 | 8542.32.0041 | 27 | Volatil | 64kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 35ns | ||||
70V3399S133BCI8 | 197.0600 | ![]() | 5351 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 256 LBGA | 70V3399 | Sram - double port, synchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 256-Cabga (17x17) | télécharger | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 2mbitons | 4.2 ns | Sram | 128K x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | MT47H128M8SH-25E IT: M TR | 3.7664 | ![]() | 2814 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT47H128M8SH-25EIT: MTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |
![]() | Mtfc64gasaons-aat | 41.4750 | ![]() | 1319 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc64gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
FM93C66LVMT8 | - | ![]() | 8439 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | 93C66 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | Non volatile | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | Microwire | 15 ms | ||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B TR | 86.2050 | ![]() | 1195 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1 500 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | 71321SA17TFI8 | - | ![]() | 6668 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (10x10) | - | 800-71321SA17TFI8TR | 1 | Volatil | 16kbit | 17 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 17NS | ||||||||
![]() | A2257216-C | 125.0000 | ![]() | 9770 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A2257216-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | DS2432P-W0A + 1T | - | ![]() | 9531 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 6 MD, J-LEAD | DS2432 | Eeprom | 2,8 V ~ 5,25 V | 6 tso | - | Rohs3 conforme | 175-DS2432P-W0A + 1TTR | OBSOLÈTE | 4 000 | Non volatile | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 1k x 1 | 1-Wire® | 10 ms | |||||
Cat93c46ryi-g | - | ![]() | 9266 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | CAT93C46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microwire | - | |||||
![]() | IS63LV1024-10KI | - | ![]() | 4080 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-BSOJ (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS63LV1024 | Sram - asynchrone | 3,15 V ~ 3 45 V | 32-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | S29PL064J60BFI070 | 7.9800 | ![]() | 6134 | 0,00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | S29PL064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (8.15x6.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Non volatile | 64mbitons | 60 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | 71V35761S183BGG8 | - | ![]() | 7619 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | 71V35761 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 183 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3,3 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | 70V05L20J8 | - | ![]() | 4955 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 70V05L | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volatil | 64kbit | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Parallèle | 20ns | |||
![]() | CAT24C64WI | - | ![]() | 1806 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-CAT24C64WI-736 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GS11TFB010YZK000 | - | ![]() | 8322 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, GL-S | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | 1 | Non volatile | 1 gbit | 110 ns | Éclair | 128m x 8 | CFI | 60ns | |||||||||
![]() | W25q40ewsnbg | - | ![]() | 5141 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | W25Q40 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W25Q40EWSNBG | OBSOLÈTE | 1 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 6 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 30 µs, 800 µs | |||
![]() | At28bv256-20su | 12.9300 | ![]() | 5436 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | At28bv256 | Eeprom | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-Sic | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | At28bv25620su | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | Non volatile | 256kbit | 200 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallèle | 10 ms |
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