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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
CY7C1041BV33-25ZC	4.3800	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY7C1041	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	25 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	25ns
X28C010D-15	118.5800	RFQ	10	Intersil	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	32-CDIP (0,600 ", 15,24 mm)	X28C010	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	32-CDIP	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8542.32.0051	11		Non volatile	1mbit	150 ns	Eeprom	128k x 8	Parallèle	10 ms
W631gg6mb15j tr	-	RFQ	4827	Electronique Winbond	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-VFBGA	W631gg6	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-VFBGA (7.5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W631GG6MB15JTR	OBSOLÈTE		3 000	667 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	64m x 16	Sstl_15	15NS
CY7C1423JV18-250BZXC	56.1600	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1423	Sram - Synchrones, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatil	36mbitons		Sram	2m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
Cy62148ev30ll-45zsxat	-	RFQ	4413	Infineon Technologies	MOBL®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	CY62148	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	512k x 8	Parallèle	45ns
Idt71016s-15ph	3,5000	RFQ	619	Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)		Sram - asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	-				3277-idt71016s-15ph	EAR99	8542.32.0041	100		Volatil	1mbit		Sram	64k x 16	Parallèle	15NS	Non Vérifié
A3520621-C	30.0000	RFQ	8404	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-A3520621-C	EAR99	8473.30.5100	1
7006S25pfg8	-	RFQ	1126	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	64 LQFP	7006S25	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	-				800-7006S25PFG8TR	OBSOLÈTE		250		Volatil	128kbit	25 ns	Sram	16k x 8	Parallèle	25ns
DS1225AB-150 +	21.2700	RFQ	8714	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	Tube	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Par le trou	Module à 28 DIP (0,600 ", 15,24 mm)	DS1225A	Nvsram (SRAM non volatile)	4,75 V ~ 5,25 V	28-Edip	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	12		Non volatile	64kbit	150 ns	Nvsram	8k x 8	Parallèle	150ns
Gd25wd40ek6igr	0,4077	RFQ	9951	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd25wd	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-XFDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-USON (1,5x1,5)	télécharger				1970-gd25wd40ek6igrtr			3 000	104 MHz	Non volatile	4mbbitons	6 ns	Éclair	512k x 8	Spi - double e / s	100 µs, 6 ms
AS4C16M16S-6BINTR	-	RFQ	4709	Alliance Memory, Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	AS4C16	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
IS93C66A-2GRLI	-	RFQ	2049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	93C66A	Eeprom	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1051-5	EAR99	8542.32.0051	100	3 MHz	Non volatile	4kbit		Eeprom	512 x 8, 256 x 16	Microwire	5 ms
Gd5f1gq5wigy	2.3917	RFQ	8991	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	Gd5f	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 2V	8-WSON (5x6)	télécharger				1970-gd5f1gq5wigy			5 700	104 MHz	Non volatile	1 gbit	9,5 ns	Éclair	256m x 4	Spi - quad e / o, qpi, dtr	600 µs
MT62F512M128D8TE-031 XT: B TR	68.0400	RFQ	3667	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT62F512M128D8TE-031XT: BTR			2 000
W25m02gwtbig	-	RFQ	4370	Electronique Winbond	SPIFLASH®	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	W25M02	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	256-W25M02GWTBIG	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	2 gbit	8 ns	Éclair	256m x 8	Spi - quad e / o	700 µs
S25FL132K0XMFIQ11	-	RFQ	6430	Nexperia USA Inc.	-	En gros	Obsolète								-				2156-S25FL132K0XMFIQ11			1
71v416ys12phg	-	RFQ	8832	Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	71V416Y	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme				3A991B2A	8542.32.0041	26		Volatil	4mbbitons	12 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	12ns
Upd44324182bf5-e33-fq1-a	57.0300	RFQ	463	Renesas Electronics America Inc	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1
CY7C1356A-133AI	14.0800	RFQ	664	Cypress Semiconductor Corp	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	CY7C1356	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	9mbitons	4.2 ns	Sram	512k x 18	Parallèle	-
24aa64sc-i / w16k	-	RFQ	6799	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	24aa64	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	5 000	400 kHz	Non volatile	64kbit	900 ns	Eeprom	8k x 8	I²c	5 ms
CG8142AA	-	RFQ	6747	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	675
7006L35J8	-	RFQ	6868	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	68 LCC (J-LEAD)	7006L35	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	68-PLCC (24.21x24.21)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	250		Volatil	128kbit	35 ns	Sram	16k x 8	Parallèle	35ns
MT58L32L32FT-10	6.4500	RFQ	49	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	MT58L32L32	Sram - synchrone	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2B	8542.32.0041	1	66 MHz	Volatil	1mbit	10 ns	Sram	32k x 32	Parallèle	-
27C512-15 / LP	6.3000	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	27C512	Eprom - OTP	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.43x13.97)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.32.0051	1		Non volatile	512kbit	150 ns	Eprom	64k x 8	Parallèle	-
S29CL016J0PQFM030	-	RFQ	9899	Infineon Technologies	Cl-j	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	80-BQFP	S29CL016	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	80 PQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	66	66 MHz	Non volatile	16mbitons	54 ns	Éclair	512k x 32	Parallèle	60ns
AS4C64M8D2-25BIN	5.9900	RFQ	21	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	AS4C64	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-1129	EAR99	8542.32.0028	264	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
Gd25lb512meyjgr	5.6243	RFQ	8663	Gigadevice Semiconductor (HK) Limited	GD25lb	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN		Flash - Ni (SLC)	1,65 V ~ 2V	8-WSON (6x8)	télécharger				1970-gd25lb512meyjgrtr			3 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	-
MTFC128GBCAVTC-AAT ES	60 4800	RFQ	1573	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MTFC128GBCAVTC-AATES			1
NV34C02MUW3VTBG	0,4132	RFQ	1833	onsemi	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UFDFN	NV34C02	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	8-UDFN (2x3)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	488-NV34C02MUW3VTBGTR	EAR99	8542.32.0051	3 000	400 kHz	Non volatile	2kbit	900 ns	Eeprom	256 x 8	I²c	5 ms
SM662GXE BESS	91.4600	RFQ	5	Silicon Motion, Inc.	Ferri-EMMC®	Plateau	Actif	-	Support de surface	100 lbga		Flash - Nand (TLC)	-	100-BGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1984-SM662GXEBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	-		Éclair		EMMC	-

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