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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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R1EX25032ATA00A # S0 | 0,6000 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | R1EX25032 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 5 MHz | Non volatile | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
![]() | M24256-BRCS6TP / A | - | ![]() | 3614 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-ufbga | M24256 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-wlcsp | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 256kbit | 450 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | Cat25010 | - | ![]() | 9772 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Cat25010 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | Pimenter | 5 ms | |||||
![]() | 7025S17PF | - | ![]() | 6827 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 7025S17 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatil | 128kbit | 17 ns | Sram | 8k x 16 | Parallèle | 17NS | ||||
![]() | Gd25le16eeigr | 0,5678 | ![]() | 4022 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-XFDFN | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 8-USON (3x2) | télécharger | 1970-gd25le16eeigrtr | 3 000 | 133 MHz | Non volatile | 16mbitons | 6 ns | Éclair | 2m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | ||||||||
![]() | Mt29f2g08abbeahc-it: e tr | 4.2400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | 7130SA20J | - | ![]() | 1213 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52 LCC (J-LEAD) | 7130SA | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volatil | 8kbit | 20 ns | Sram | 1k x 8 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | K6R1016C1D-TI10T00 | 6.5000 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Sram - asynchrone | 5V | 44-TSOP II | - | 3277-K6R1016C1D-TI10T00TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 50 | Volatil | 1mbit | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | Non Vérifié | ||||||||
![]() | 71V67603S166PFG | 34.1500 | ![]() | 242 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 71V67603 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatil | 9mbitons | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||||||
![]() | NDS66PBA-20IT | 2.5776 | ![]() | 1621 | 0,00000000 | INSignnis Technology Corporation | * | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1982-NDS66PBA-20IT | 348 | ||||||||||||||||||||
![]() | At45db011d-mh-y | - | ![]() | 8367 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | Pad Exposé 8-UDFN | At45db011 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UDFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | At45db011dmhy | EAR99 | 8542.32.0051 | 490 | 66 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 264 octets x 512 pages | Pimenter | 4 ms | |||
![]() | MT40A512M16LY-062E AT: E TR | - | ![]() | 8981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,6 GHz | Non volatile | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | - | - | ||||||
![]() | IS43LR32640B-5BI-TR | 9.3233 | ![]() | 5957 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR32640B-5BI-TR | 2 500 | 208 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||||
![]() | DSQCF01-K05 + T | - | ![]() | 4651 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 175-DSQCF01-K05 + TTR | OBSOLÈTE | 1 000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Upd46184184bf1-e40-eq1-a | 42.0700 | ![]() | 527 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | GD25LT512MEBARY | 10.1346 | ![]() | 4484 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 1,65 V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LT512MEBARY | 4 800 | 200 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | |||||||||
![]() | 70261S20PFG8 | - | ![]() | 3987 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70261S20 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70261S20PFG8TR | OBSOLÈTE | 250 | Volatil | 256kbit | 20 ns | Sram | 16k x 16 | Parallèle | 20ns | |||||||
![]() | CY7C1570XV18-600BZXC | 471.2200 | ![]() | 208 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1570 | Sram - synchrone, ddr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 600 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | IS43TR16512BL-125KBLI-TR | 19.5377 | ![]() | 1351 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (10x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43TR16512BL-125KBLI-TR | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||||
![]() | SM662GEE BFST | 90.3700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1984-SM662GEEBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | EMMC | - | |||||
MT40A512M16TD-062E AIT: R TR | - | ![]() | 4133 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 96-TFBGA | 96-FBGA (7,5x13) | - | Atteindre non affecté | 557-MT40A512M16TD-062EAIT: RTR | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | At25080ay1-10yu-1.8 | - | ![]() | 3365 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | AT25080 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8 Carte (3x4.9) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | 20 MHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR | - | ![]() | 5705 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||
![]() | 71016S20phg | - | ![]() | 4405 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | 71016S | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | télécharger | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 1mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 20ns | |||||||
CY7C1471BV33-133AXC | 172.5500 | ![]() | 8220 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C1471 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volatil | 72mbitons | 6.5 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | C-1866D3SR8RN / 4G | 60,0000 | ![]() | 5919 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-C-1866D3SR8RN / 4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
24FC16T-I / ST | 0,3000 | ![]() | 3667 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | 24FC16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 16kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | CT16G3ERSDD4186D.36FN-C | 48,5000 | ![]() | 3757 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-CT16G3ERSDD4186D.36FN-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
7008L20JI | - | ![]() | 9838 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 7008L20 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | Volatil | 512kbit | 20 ns | Sram | 64k x 8 | Parallèle | 20ns | |||||
![]() | S26361-F3843-E514-C | 55.0000 | ![]() | 2141 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-S26361-F3843-E514-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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