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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB751S-40FTE61 | - | ![]() | 2506 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | RB751 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 846-RB751S-40FTE61TR | OBSOLÈTE | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65DGC13 | 6.5200 | ![]() | 7126 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGWS80 | Standard | 202 W | À 247g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGWS80TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 88 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 71 A | 120 A | 2V @ 15V, 40A | 700 µJ (ON), 660µJ (OFF) | 83 NC | 40NS / 114NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6509knd3tl1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | R6509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10v | 5V à 230 µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB510VM-40TE-17 | 0,3500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | RB510 | Schottky | Umd2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 40 V | 480 mV @ 10 mA | 2 µA @ 40 V | 150 ° C | 100 mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rsx101vym30fhtr | 0,4000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | Rsx101 | Schottky | Tumd2m | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 470 MV @ 1 A | 9,6 ns | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RMW200N03TB | 0,8400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | RMW200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 PSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 20A (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH9T2R | 0,4300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | EMH9T2 | 150mw | EMT6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 300 mV à 250µa, 5mA | 68 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c12vlt116 | 0,2300 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | ± 5,42% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | Ssd3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzvfht2r3.3b | 0,3400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | ± 3,18% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 20 µA @ 1 V | 3,3 V | 120 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65HRC11 | 7.5200 | ![]() | 2797 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGS00 | Standard | 326 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGS00TS65HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 88 A | 150 a | 2.1V @ 15V, 50A | 1 46mj (on), 1 29mJ (off) | 58 NC | 36ns / 115ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515enjtl | 5.5000 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6515 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 315MOHM @ 6.5A, 10V | 4V @ 430µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 910 PF @ 25 V | - | 184W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR20NS40ATL | 0,7845 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | RBR20 | Schottky | LPD | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RBR20NS40ATLCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 10A | 620 MV @ 10 A | 240 µA @ 40 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6Z1T2R | 0,5000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm | VT6Z1 | 150mw | Vmt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 20V | 200m | 100 µA (ICBO) | Npn, pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 120 @ 1MA, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD123ECT116 | 0,3700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 2,5 mA, 50mA | 39 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2,2 kohms | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ut6jc5tcr | 0,8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-Powerudfn | UT6JC5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-ut6jc5tcrtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 60V | 2.5a (TA) | 280mohm @ 2,5a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 6.3nc @ 10v | 265pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6011enx | 3.0700 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6011 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3,8A, 10V | 4V @ 1MA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2280KEC | - | ![]() | 9972 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT2280 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SCT2280KECU | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 1200 V | 14A (TC) | 18V | 364MOHM @ 4A, 18V | 4V @ 1,4mA | 36 NC @ 18 V | + 22V, -6V | 667 PF @ 800 V | - | 108W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rsq035p03tr | 0,7500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSMT6 (SC-95) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 65MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 9.2 NC @ 5 V | ± 20V | 780 PF @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60CT116 | - | ![]() | 8011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | SST3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 32 V | 200 mA | - | NPN | - | 260 @ 2MA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085B-40GTL | - | ![]() | 7082 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS30TSX2HRC11 | 6.9300 | ![]() | 3931 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGS30 | Standard | 267 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGS30TSX2HRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 30 A | 45 A | 2.1V @ 15V, 15A | 740 µJ (ON), 600 µJ (OFF) | 41 NC | 30ns / 70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84b16vlfht116 | 0,2700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | ± 1,88% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | Ssd3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 100 na @ 11 V | 16 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB522ES-30T15R | 0,3100 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2-md, pas d'Avance | RB522 | Schottky | SMD0603 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 15 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 370 MV @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 150 ° C (max) | 100 mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ptztfte2512b | 0,6100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1 W | PME | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 500 | 10 µA @ 9 V | 12.75 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB541XNTR | 0 4700 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RB541 | Schottky | Umd6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 3 indépendant | 30 V | 100 mA | 530 mV @ 100 mA | 10 µA @ 10 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8MA3TB1 | 1.0100 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Sh8ma3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30V | 7a (ta), 6a (ta) | 28MOHM @ 7A, 10V, 50MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 7.2nc @ 10v, 10nc @ 10v | 300pf @ 15v, 480pf @ 15v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc113zmt2l | 0,3500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOT-723 | DTC113 | 150 MW | Vmt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 33 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521SM-30T2R | 0,3000 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | RB521 | Schottky | EMD2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 470 MV @ 200 mA | 30 µA @ 10 V | 150 ° C (max) | 200m | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6509knxc7g | 2.7900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6509 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6509knxc7g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 9a (ta) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10v | 5V à 230 µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7736B | - | ![]() | 6521 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | Mtz j | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 3% | - | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | 500 MW | MSD | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 200 na @ 27 V | 36 V | 75 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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