- RFQ
- Nager
- Contactez-nous
Tél: + 86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- Chinois
- Anglais
- Français
- Allemand
- portugais
- Espagnol
- russe
- japonais
- coréen
- arabe
- irlandais
- grec
- turc
- italien
- danois
- roumain
- indonésien
- tchèque
- afrikaans
- suédois
- polonais
- Basque
- catalan
- espéranto
- hindi
- Lao
- albanais
- Amharique
- arménien
- azerbaïdjanais
- Biéloruste
- bengali
- Bosnie
- bulgare
- Cebuano
- Chichewa
- Corse
- croate
- Néerlandais
- estonien
- Philippin
- finlandais
- frison
- Galicien
- géorgien
- Gujarati
- haïtien
- Haoussa
- hawaïen
- hébreu
- Hmong
- hongrois
- islandais
- Igbo
- javanais
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- kurde
- Kirghiz
- latin
- letton
- lituanien
- Luxembou ..
- Macédonien
- malgache
- malais
- Malayalam
- maltais
- Maoris
- Marathi
- mongol
- birman
- Népalais
- norvégien
- Pachto
- persan
- Punjabi
- serbe
- Sésotho
- Cinghalais
- slovaque
- slovène
- somali
- Samoan
- Gaélique écossais
- Shona
- Sindhi
- Sundanais
- Swahili
- Tadjik
- Tamoul
- Telugu
- thaïlandais
- ukrainien
- Ourdou
- Ouzbek
- vietnamien
- gallois
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- zoulou
- Kinyarwanda
- tatar
- Oriya
- Turkmène
- Ouïghour
Produits semi-conduurs discrètes (6960)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Scs212ajtll | 3.3660 |  | 2598 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SCS212 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA à 600 V | 175 ° C (max) | 12A | - | |||||||||||||
 | RSX101MM-30TR | 0.4400 | | 36 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | Rsx101 | Schottky | PMDU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (max) | 1A | - | ||||||||||||||
 | RF4E110BNTR | 0,6900 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 11.1MOHM @ 11A, 10V | 2V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2W (ta) | |||||||||
| RF4E110GNTR | 0,5600 | | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | HUML2020L8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 11.3MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 20V | 504 PF @ 15 V | - | 2W (ta) | |||||||||
 | RQ3E080GNTB | 0,5300 | | 3876 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E080 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8a (ta) | 4,5 V, 10V | 16.7MOHM @ 8A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 5,8 NC @ 10 V | ± 20V | 295 PF @ 15 V | - | 2W (TA), 15W (TC) | |||||||||
| RQ3E100GNTB | 0 4500 | | 1727 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 11.7MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 7.9 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 15W (TC) | |||||||||
 | R6004enx | 1.6400 | | 109 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6004 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 980mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
| R6009enx | 3 5500 | | 397 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6009 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 535MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
| R6030enx | 5.8900 | | 2756 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | R6030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130MOHM @ 14,5A, 10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ± 30V | 2100 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
| Rcx080n25 | 1,3000 | | 442 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Rcx080 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 250 V | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 840 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 35W (TC) | |||||||||
| Rcx511n25 | 3.1700 | | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Rcx511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 250 V | 51A (TC) | 10V | 65MOHM @ 25,5A, 10V | 5V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 7000 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | |||||||||
 | R5009fnjtl | 1.1754 | | 4105 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R5009 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 840MOHM @ 4.5A, 10V | 4V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 630 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||
 | R6002endtl | 0,2832 | | 3999 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | R6002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Cpt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 1.7A (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 1MA | 6,5 NC @ 10 V | ± 20V | 65 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||
| R6015enjtl | 4.0000 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5A, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 910 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
| R6020Enjtl | 2.7900 | | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | R6020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
| RCD075N19TL | 1.0900 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | RCD075 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Cpt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 190 V | 7.5a (TC) | 4V, 10V | 336MOHM @ 3,8A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | |||||||||
| Rcj120n20tl | 1,3000 | | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Rcj120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Lpts | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 12A (TC) | 10V | 325MOHM @ 6A, 10V | 5.25V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 740 PF @ 25 V | - | 1 56W (TA), 40W (TC) | |||||||||
| Rdd023n50tl | - | | 1196 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Rdd023 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Cpt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 2A (TC) | 4V, 10V | 5.4OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 151 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||
 | Rs1g150mntb | 0,9800 | | 3335 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 10,6MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 25W (TC) | |||||||||
| Rs1g260mntb | 1.9900 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,3MOHM @ 26A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2988 PF @ 20 V | - | 3W (TA), 35W (TC) | |||||||||
| RS1G300GNTB | 2.1000 | | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs1g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 30A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 56,8 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 35W (TC) | |||||||||
 | Es6u1t2r | 0,4000 | | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 wemt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | Canal p | 12 V | 1.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 260MOHM @ 1,3A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 2,4 NC @ 4,5 V | ± 10V | 290 pf @ 6 V | Diode Schottky (isolé) | 700MW (TA) | ||||||||||
 | Re1e002sptcl | 0,3600 | | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-89, SOT-490 | RE1E002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | EMT3F (SOT-416FL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 250mA (TA) | 4V, 10V | 1,4 ohm @ 250mA, 10V | 2,5 V @ 1MA | ± 20V | 30 pf @ 10 V | - | 150mw (TA) | ||||||||||
| RQ3E120BNTB | 0,6300 | | 2281 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.3MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 2W (ta) | |||||||||
| RQ3E150BNTB | 0,6600 | | 5410 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2W (ta) | |||||||||
 | RQ5A030APTL | 0.4400 | | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-96 | RQ5A030 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tsmt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 62MOHM @ 3A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 16 NC @ 4,5 V | -8v | 2000 pf @ 6 V | - | 1W (ta) | |||||||||
| RQ5H020SPTL | 0,5900 | | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-96 | RQ5H020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tsmt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 45 V | 2a (ta) | 4V, 10V | 190MOHM @ 2A, 10V | 3V @ 1MA | 9,5 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 10 V | - | 540mw (TA) | |||||||||
 | RT1C060UNTR | 0 2213 | | 7445 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | RT1C060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 TS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6a (ta) | 1,5 V, 4,5 V | 28MOHM @ 6A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 11 NC @ 4,5 V | ± 10V | 870 pf @ 10 V | - | 650mw (TA) | |||||||||
| Rw1e025rpt2cr | - | | 5974 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | RW1E025 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 wemt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | Canal p | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 75MOHM @ 2,5A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 PF @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||
 | RZM001P02T2L | 0,2600 | | 296 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-723 | RZM001 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Vmt3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 8 000 | Canal p | 20 V | 100mA (TA) | 1,2 V, 4,5 V | 3,8 ohm @ 100mA, 4,5 V | 1V @ 100µA | ± 10V | 15 pf @ 10 V | - | 150mw (TA) |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m2
Entrepôt en stock
WishList (0 éléments)