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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | FDD8453LZ-F085 | 1.5400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | onsemi | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | FDD8453 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,7MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3515 PF @ 20 V | - | 118W (TC) | |||||||||||||||||||||
FZT956QTA | 0,5778 | ![]() | 3513 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,6 W | SOT-223-3 | télécharger | Atteindre non affecté | 31-fzt956qtatr | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 200 V | 2 A | 50na | Pnp | 275 MV @ 400mA, 2A | 100 @ 1A, 5V | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH4006SPS-13 | 0,5968 | ![]() | 3369 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DMNH4006 | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | DMNH4006SPS-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 7MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 50,9 NC @ 10 V | 20V | 2280 pf @ 25 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC817K25E6433HTMA1 | 0,0504 | ![]() | 1161 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | PG-Sot23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 170 MHz | |||||||||||||||||||||||||
Nhdtc124etvl | 0 2200 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | NHDTC124 | 250 MW | À 236ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | 80 V | 100 mA | 100NA | NPN - Pré-biaisé | 100 mV à 500 µA, 10mA | 70 @ 10mA, 5V | 170 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT4B15BOSA1 | - | ![]() | 4003 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FS75R12KT4B15BOSA1-448 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Std134n4f7ag | 2.0800 | ![]() | 2058 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | STD134 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 80A (TC) | 10V | 3,5 mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2790 pf @ 25 V | - | 134W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQA7N80C | 1.0100 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 800 V | 7a (TC) | 10V | 1,9 ohm @ 3,5a, 10v | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1680 PF @ 25 V | - | 198W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB20N06LTM | - | ![]() | 8991 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Fqb2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 21A (TC) | 5v, 10v | 55MOHM @ 10.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS | - | ![]() | 2153 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2SK4085 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fi (LS) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 869-1042 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 430MOHM @ 8A, 10V | - | 46,6 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Jansp2n2369aua / tr | 166.8512 | ![]() | 4739 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PF-19500/317 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | 2N2369A | 360 MW | Ua | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-jansp2n2369aua / tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400NA | NPN | 450 MV @ 10mA, 100mA | 20 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirgps4070d0 | 11.6300 | ![]() | 933 | 0,00000000 | Redressleur International | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Auirgps4070 | Standard | 750 W | PG à274-3-903 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 120A, 4,7 ohms, 15v | 210 ns | Tranché | 600 V | 240 A | 360 A | 2v @ 15v, 120a | 5,7mj (on), 4,2mj (off) | 250 NC | 40ns / 140ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | STF80N10F7 | - | ![]() | 4000 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF80N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 10V | 10MOHM @ 40A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BCX5316E6433HTMA1 | - | ![]() | 9917 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | BCX53 | 2 W | PG-Sot89 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 000 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansd2n3439ua | - | ![]() | 2668 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/368 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 4-md, pas d'Avance | 800 MW | Ua | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-jansd2n3439ua | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | NPN | 500 mV @ 4ma, 50mA | 40 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3 | 1.2200 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 16V | 2700 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Nvmfs5c680nlwft1g | 0,6427 | ![]() | 4412 | 0,00000000 | onsemi | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERTDFN, 5 pistes | Nvmfs5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 60 V | 8.1A (TA), 21A (TC) | 4,5 V, 10V | 27,5 mohm @ 7,5a, 10v | 2,2 V @ 13µA | 5,8 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.4W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SQJ415EP-T1_BE3 | 1 0000 | ![]() | 1990 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ415EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC559b | - | ![]() | 3228 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3477-TL-H | - | ![]() | 3998 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-3 PLATS PLATS | MCH3477 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70FL / MCPH3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 38MOHM @ 2A, 4,5 V | - | 5.1 NC @ 4,5 V | ± 12V | 410 PF @ 10 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | Ixgf36n300 | - | ![]() | 5844 | 0,00000000 | Ixys | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | I4-Pac ™ -5 (3 leads) | Ixgf36 | Standard | 160 W | ISOPLUS I4-PAC ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 3000 V | 36 A | 400 A | 5.2V @ 15V, 100A | - | 136 NC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407D3S | 0,2100 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 92MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
DMN2040UVT-7 | 0,0927 | ![]() | 2540 | 0,00000000 | Les diodes incorporent | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN2040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | TSOT-26 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6.7A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 24MOHM @ 6.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 667 pf @ 10 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25TM | - | ![]() | 2005 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FQB9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420 MOHM @ 4.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Di100n10pq | 1.5648 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de diotec | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-QFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2796-di100n10pqtr | 8541.21.0000 | 5 000 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 30 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Irf644spbf | 3.5900 | ![]() | 766 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf644spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
BC857,235 | 0.1400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | À 236ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auxhmf1404zstrl | - | ![]() | 5271 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SP001518892 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Psmn8r5-100esfq | 0,6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-PSMN8R5-100ESFQ-954 | 1 | Canal n | 100 V | 97a (TA) | 7v, 10v | 8,8MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 44,5 NC @ 10 V | ± 20V | 3181 PF @ 50 V | - | 183W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Sia411dj-t1-ge3 | - | ![]() | 7128 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia411 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 30 mohm @ 5.9a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 38 NC @ 8 V | ± 8v | 1200 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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