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Transistors (100539)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIP3055-S | - |  | 2384 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 218-3 | TIP30 | 3,5 W | SOT-93 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 60 V | 15 A | 700 µA | NPN | 3V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | - | ||||||||||||||||
 | FDC2512_F095 | - | | 9184 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC2512 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 1.4A (TA) | 6v, 10v | 425MOHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 344 PF @ 75 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||
 | Auirf6215strl | 3.9800 | | 800 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Auirf6215 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 150 V | 13A (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | |||||||||||
 | STB46NF30 | 4.4900 | | 995 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB46 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 300 V | 42A (TC) | 10V | 75MOHM @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | NMB2227AH | 0,0665 | | 6756 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | NMB2227 | 300mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934070344125 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40V | 600mA | 10NA (ICBO) | Npn, pnp | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||
 | 2SC3857 | - | | 1973 | 0,00000000 | Équilibre | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | 3 ISIP | 150 W | MT-200 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 2SC3857 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 200 V | 15 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 1A, 10A | 50 @ 5A, 4V | 20 MHz | ||||||||||||||||
 | Jantxv2n3725ub / tr | - | | 5942 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | Ub | - | Atteindre non affecté | 150-jantxv2n3725ub / tr | 50 | 50 V | 500 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | UPA1601GS-E1-A | 1.8400 | | 40 | 0,00000000 | Renesas | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,220 ", 5,59 mm de grandeur) | UPA1601 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W (ta) | 16-SOP | - | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | 2156-upa1601gs-e1-a | EAR99 | 8542.39.0001 | 163 | 7 N-Canal | 30V | 270mA (TA) | 5,3 ohm @ 150mA, 4V | 800 mV à 150mA | - | 15pf @ 10v | - | |||||||||||||
 | PMV20XNEA, 215 | - | | 3902 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | * | En gros | Actif | PMV20 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FQPF5N50CYDTU | 1 5000 | | 667 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Fqpf5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 (formage y) | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 2832-FQPF5N50CYDTU | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||
 | SI4214DDY-T1-GE3 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8.5a | 19,5 mohm @ 8a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 22nc @ 10v | 660pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | Irfr9110trlpbf | 1.5900 | | 1511 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
 | Fdd13an06a0_nl | - | | 6377 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 9.9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 13,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||
| Irf1407strlpbf | 2.8600 | | 9 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF1407 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 75 V | 100A (TC) | 10V | 7,8MOHM @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||
 | MJE16004 | 0,5200 | | 103 | 0,00000000 | onsemi | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IXFA3N120 | 9.9300 | | 3581 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Ixfa3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263aa (ixfa) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | -IXFA3N120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1200 V | 3A (TC) | 10V | 4,5 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 1,5mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||
 | MMPQ2907 | 1 0000 | | 2228 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MMPQ29 | 1W | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 40V | 600mA | 50NA (ICBO) | 4 pnp (quad) | 1,6 V @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
 | BC857AW, 115 | 0 1700 | | 13 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | NDS7002A_NB9GGTXA | - | | 8385 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS700 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 280mA (TA) | 5v, 10v | 2OHM @ 500mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 300mw (TA) | |||||||||||||
 | BCP55,115 | 0,4800 | | 972 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | BCP55 | 1,35 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||
 | BD676AG | - | | 8101 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD676 | 40 W | TO-126 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 4 A | 500 µA | PNP - Darlington | 2,8 V @ 40mA, 2A | 750 @ 2A, 3V | - | |||||||||||||||
 | MSC035SMA070B4 | 15.5100 | | 23 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | MSC035 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247-4 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 150-MSC035SMA070B4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Canal n | 700 V | 77a (TC) | 20V | 44MOHM @ 30A, 20V | 2,7 V @ 2MA (TYP) | 99 NC @ 20 V | + 23v, -10V | 2010 PF @ 700 V | - | 283W (TC) | |||||||||||
 | BSP51H6327XTSA1 | - | | 8542 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Bsp51 | 1,5 w | PG-Sot223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 60 V | 1 a | 10 µA | Npn - darlington | 1,8 V @ 1MA, 1A | 2000 @ 500mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | Ech8664r-tl-h | - | | 8583 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | ECH8664 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | 8 échange | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7a | 23,5 mohm @ 3,5a, 4,5 V | - | 10nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||
 | PSMN040-200W, 127 | - | | 5543 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 50A (TC) | 10V | 40 mohm @ 25a, 10v | 4V @ 1MA | 183 NC @ 10 V | ± 20V | 9530 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | Aon7232 | 0 4484 | | 7031 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Aon72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 37a (TC) | 4,5 V, 10V | 13,5 mohm @ 12a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 50 V | - | 39W (TC) | |||||||||||
| APTMC120HRM40CT3AG | - | | 6020 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | APTMC120 | Carbure de silicium (sic) | 375W | SP3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canaux N (double) | 1200V (1,2 kV) | 73A (TC) | 34MOHM @ 50A, 20V | 3V @ 12,5mA | 161nc @ 5v | 2788pf @ 1000v | - | ||||||||||||||
 | Aon6912a | 0,4234 | | 5066 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | Aon6912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.9W, 2.1W | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 10A, 13.8A | 13.7MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 17nc @ 10v | 910pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
| PMT280eneax | 0,4300 | | 8312 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | PMT280 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 1.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 385MOHM @ 1,5A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 6,8 NC @ 10 V | ± 20V | 195 PF @ 50 V | - | 770MW (TA) | |||||||||||
| Jan2N2222AUB / TR | 5.3998 | | 1579 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | MILIRE, MIL-PRF-19500/255 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Support de surface | 3 md, non standard | 500 MW | Ub | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 150-JAN2N2222AUB / TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50na | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - |
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