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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC848B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848B RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N750CP ROG 4.2900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 6A (TC) 10V 750MOHM @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10,7 NC @ 10 V ± 30V 555 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
TSM230N06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CI C0G -
RFQ
 ECAD 7078 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM230N06CIC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 42W (TC)
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG 2.3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM6502 MOSFET (Oxyde Métallique) 40W 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 60V 24a (TC), 18A (TC) 34MOHM @ 5.4A, 10V, 68MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 250µA 10.3nc @ 4.5v, 9.5nc @ 4.5 V 1159pf @ 30v, 930pf @ 30v -
TSC5802DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsc5802dcp rog -
RFQ
 ECAD 1747 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSC5802 30 W À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 450 V 2.5 A 250 µA NPN 3V @ 600mA, 2A 50 @ 100mA, 5V -
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND65CI 3.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1,35 ohm @ 1,8A, 10V 3,8 V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1124 PF @ 50 V - 50W (TC)
TSM8N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N70CI C0G -
RFQ
 ECAD 3987 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 2006 PF @ 25 V - 40W (TC)
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM220 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 22MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1314 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
TSA874CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSA874CW RPG 0.2072
RFQ
 ECAD 9133 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSA874 1 W SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 500 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 10mA, 50mA 150 @ 10mA, 10V 50 MHz
TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM85N10CZ C0G -
RFQ
 ECAD 7131 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM85 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 81a (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 154 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 210W (TC)
TSM085NB03DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM085 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 12A (TA), 51A (TC) 8,5MOHM @ 12A, 10V 2,5 V @ 250µA 20nc @ 10v 1091pf @ 15v Porte de Niveau Logique
BC850CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850CW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSC873CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CW RPG 0,9200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSC873 SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400 V 1 a 1 mA NPN 1V @ 250mA, 1A 80 @ 250mA, 10V -
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG 0,8800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6.5a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 1 56W (TC)
BC546A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1G -
RFQ
 ECAD 3874 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC546 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM300NB06LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV RGG 1.5100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 5A (TA), 24A (TC) 4,5 V, 10V 30MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 962 PF @ 30 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
TSM60NC196CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CI C0G 7.8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM60NC196CIC0G EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ± 30V 1535 PF @ 300 V - 70W (TC)
TSM60NB600CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CF 1.9333
RFQ
 ECAD 6500 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB600CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 1,7a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 30V 528 pf @ 100 V - 41.7W (TC)
TSM038N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33 0,7613
RFQ
 ECAD 4780 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM038 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM038N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 30 V 19A (TA), 78A (TC) 4,5 V, 10V 3,8MOHM @ 19A, 10V 2,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2557 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 39W (TC)
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549B B1G -
RFQ
 ECAD 7186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC549 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR RLG -
RFQ
 ECAD 5912 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM015 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 205a (TC) 4,5 V, 10V 1,5 mohm @ 32a, 10v 2,5 V @ 250µA 67 NC @ 10 V ± 20V 4243 PF @ 15 V - 104W (TC)
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CP ROG 6.6600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 3,3a, 10v 4V @ 250µA 18,8 NC @ 10 V ± 30V 981 PF @ 100 V - 125W (TC)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1652 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CS RLG 2.0300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM085 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 34A (TC) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 13a, 10v 2,5 V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3216 PF @ 15 V - 14W (TC)
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846B RFG 0 2200
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS RLG 1.7200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM160 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 11a (TC) 1,8 V, 4,5 V 16MOHM @ 6A, 4,5 V 1V @ 250µA 27 NC @ 4,5 V ± 10V 2320 pf @ 15 V - 2,5W (TC)
TSM4NB60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CI C0G 1.1907
RFQ
 ECAD 7682 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM4NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM088 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 61a (TC) 4,5 V, 10V 8,8MOHM @ 13A, 10V 2,5 V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 56W (TC)
TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CP ROG 2.0100
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 34A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 104W (TC)
TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG 1 5000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 6A (TA), 27A (TC) 10V 30MOHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1110 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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