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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM300NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation Tsm300nb06ldcr 0,9850
RFQ
 ECAD 9547 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM300NB06LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5 000 2 Canaux N (double) 60V 5A (TA), 24A (TC) 30MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 17nc @ 10v 966pf @ 30v Porte de Niveau Logique
TSM180P03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS 0,6100
RFQ
 ECAD 5273 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM180 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM180P03CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 10A (TC) 4,5 V, 10V 18MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 14,6 NC @ 4,5 V ± 20V 1730 pf @ 15 V - 2,5W (TC)
BC338-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 0,0661
RFQ
 ECAD 7080 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC338 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC338-16TB EAR99 8541.21.0075 4 000 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM500P02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ 0,4623
RFQ
 ECAD 7294 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-VDFN TSM500 MOSFET (Oxyde Métallique) 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM500P02DCQTR EAR99 8541.21.0095 12 000 2 P-channel 20V 4.7A (TC) 50MOHM @ 3A, 4,5 V 0,8 V à 250 µA 13nc @ 4,5 V 1230pf @ 10v Standard
KTC3198-GR Taiwan Semiconductor Corporation Ktc3198-gr 0,0583
RFQ
 ECAD 2961 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) KTC3198 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-ktc3198-grtb EAR99 8541.21.0095 4 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
TSM060N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 0,6306
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM060 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM060N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 30 V 15A (TA), 62A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 25,4 NC @ 10 V ± 20V 1342 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 40W (TC)
TSM900N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH 0,6584
RFQ
 ECAD 6981 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (i-pak sl) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM900N06CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
TSM80N1R2CP Taiwan Semiconductor Corporation Tsm80n1r2cp 2.6213
RFQ
 ECAD 5239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N1R2CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 800 V 5.5A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2 75a, 10v 4V @ 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 685 PF @ 100 V - 110W (TC)
TSM110NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV 0,6661
RFQ
 ECAD 6248 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM110 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM110NB04LCVTR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 40 V 9A (TA), 44A (TC) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1329 PF @ 20 V - 1.9W (TA), 42W (TC)
TSM600P03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS 0,3994
RFQ
 ECAD 2567 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM600 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM600P03CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 4.7A (TC) 4,5 V, 10V 60mohm @ 3a, 10v 2,5 V @ 250µA 5.1 NC @ 4,5 V ± 20V 560 pf @ 15 V - 2.1W (TC)
TSM260P02CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6 0 5097
RFQ
 ECAD 6460 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM260 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM260P02CX6TR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal p 20 V 6.5a (TC) 1,8 V, 4,5 V 26MOHM @ 5A, 4,5 V 1V @ 250µA 19,5 NC @ 4,5 V ± 10V 1670 PF @ 15 V - 1 56W (TC)
TQM043NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM043NH04CR RLG 3.6200
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 ECAD 4045 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Ruban Adhésif (tr) Actif TQM043 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 2 500
TSM038N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33 0,7613
RFQ
 ECAD 4780 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM038 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM038N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 30 V 19A (TA), 78A (TC) 4,5 V, 10V 3,8MOHM @ 19A, 10V 2,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2557 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 39W (TC)
BC807-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40 0,0435
RFQ
 ECAD 1172 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC807-40tr EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
TSM035NB04LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04LCZ 1.6825
RFQ
 ECAD 7136 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM035 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM035NB04LCZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 40 V 18A (TA), 157A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 18a, 10v 2,5 V @ 250µA 111 NC @ 10 V ± 20V 6350 pf @ 20 V - 2W (TA), 156W (TC)
TSM60N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G 0,9062
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 83W (TC)
TSM230N06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CI C0G -
RFQ
 ECAD 7078 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM230N06CIC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 42W (TC)
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND65CI 3.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1,35 ohm @ 1,8A, 10V 3,8 V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1124 PF @ 50 V - 50W (TC)
BC858C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858C RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4999 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM3N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CZ C0G -
RFQ
 ECAD 8691 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM3N90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 2.5a (TC) 10V 5.1OHM @ 1 25A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 PF @ 25 V - 94W (TC)
TSM4NB60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CI 1.1907
RFQ
 ECAD 6597 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Tsm4 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM4NB60CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 25W (TC)
TSM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM032NH04LCR RLG 3.8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 25A (TA), 81A (TC) 4,5 V, 10V 3,2MOHM @ 40A, 10V 2,2 V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 16V 3007 pf @ 25 V - 115W (TC)
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
 ECAD 2708 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC338-25A1TB OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM2N7002KCX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCX 0,1121
RFQ
 ECAD 5815 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Tsm2 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2N7002KCXTR EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 300mA (TA) 4,5 V, 10V 2OHM @ 300mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,6 NC @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 300mw (TA)
TSM70N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N10CP ROG -
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 70A (TC) 10V 13MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 30 V - 120W (TC)
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3900 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 80A (TC) 10V 8MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 91,5 NC @ 10 V ± 20V 3905 PF @ 30 V - 113.6w (TC)
TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH C5G 2.5940
RFQ
 ECAD 7637 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 800 V 5.5A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2 75a, 10v 4V @ 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 685 PF @ 100 V - 110W (TC)
TSM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04CR RLG 5.0500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 26A (TA), 100A (TC) 7v, 10v 2,5 mohm @ 50a, 10v 3,6 V @ 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 3794 PF @ 25 V - 136W (TC)
TSM70N600ACL X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600ACL X0G 3.1215
RFQ
 ECAD 5045 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 Courtes Pistes, I²PAK TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 262 (i2pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 2,4a, 10v 4V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 83W (TC)
KTC3198-Y-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-M0 A2G -
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 ECAD 5263 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-ktc3198-y-m0a2gtb OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80 MHz
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