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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM60NB099CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF 7.8447
RFQ
 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB099CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10CZ C0G 2.6900
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 160a (TC) 10V 5,5 mohm @ 30a, 10v 4V @ 250µA 154 NC @ 10 V ± 20V 9840 PF @ 30 V - 300W (TC)
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG 0,8800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6.5a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 1 56W (TC)
TSM500N15CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N15CS 1.2968
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM500 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM500N15CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 150 V 4A (TA), 11A (TC) 10V 50MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 20,5 NC @ 10 V ± 20V 1123 PF @ 80 V - 12.7W (TA)
TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CP ROG 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
BC550C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550C A1 -
RFQ
 ECAD 9975 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC550CA1TB OBSOLÈTE 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0,4171
RFQ
 ECAD 7755 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2328CXTR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 100 V 1.5A (TA) 10V 250 mohm @ 1,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 11.1 NC @ 5 V ± 20V 975 PF @ 25 V - 1.38W (TA)
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG 0,2730
RFQ
 ECAD 6058 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM126 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 600 V 30mA (TC) 0v, 10v 800OHM @ 16MA, 10V 1v @ 8µA 1,18 NC @ 4,5 V ± 20V 51,42 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 500mw (TA)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1652 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2323CX RFG 0,5200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.7A (TA) 1,8 V, 4,5 V 39MOHM @ 4,7A, 4,5 V 1V @ 250µA 12,5 NC @ 4,5 V ± 8v 1020 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
TSM045NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM045NB06CR RLG 3.8400
RFQ
 ECAD 2686 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM045 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm045nb06crrlgtr EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 16A (TA), 104A (TC) 10V 5MOHM @ 16A, 10V 4V @ 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 6870 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
TSM6866SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6866SDCA RVG 0,7448
RFQ
 ECAD 4416 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TSM6866 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.6W 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 6a (ta) 30MOHM @ 6A, 4,5 V 600 mV à 250µA 5nc @ 4,5 V 565pf @ 8v -
TSM60NB260CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI 4.2905
RFQ
 ECAD 8831 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB260CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 13A (TC) 10V 260MOHM @ 3,9A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 32.1w (TC)
BC550B Taiwan Semiconductor Corporation BC550B 0,0447
RFQ
 ECAD 2702 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC550BTB EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1 5500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 6A (TA), 28A (TC) 7v, 10v 25MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 42W (TC)
TSM7N65ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N65ACI C0G -
RFQ
 ECAD 5093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1 45 ohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 27,8 NC @ 10 V ± 30V 1406 pf @ 25 V - 40W (TC)
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G 3.3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 10A (TC) 10V 900MOHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1650 pf @ 50 V - 45W (TC)
TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 RLG 1.7400
RFQ
 ECAD 438 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM036 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 124A (TC) 4,5 V, 10V 3,6MOHM @ 22A, 10V 2,5 V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 15 V - 83W (TC)
MMBT3906L-UA RF Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L-UA RF -
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 - 1801-MMBT3906L-UARF OBSOLÈTE 1 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
TSM80N400CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N400CF 5.4062
RFQ
 ECAD 6681 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N400CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 800 V 12A (TC) 10V 400MOHM @ 2,7A, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 V ± 30V 1848 PF @ 100 V - 69W (TC)
TQM032NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM032NH04CR RLG 4.0300
RFQ
 ECAD 1619 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 23A (TA), 81A (TC) 7v, 10v 3,2MOHM @ 40A, 10V 3,6 V @ 250µA 67,5 NC @ 10 V ± 20V 4344 PF @ 25 V - 115W (TC)
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM220 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 22MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1314 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
KTC3198-BL B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL B1G -
RFQ
 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) KTC3198 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG 1.5122
RFQ
 ECAD 4314 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM120 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 54A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 36,5 NC @ 10 V ± 20V 2116 PF @ 30 V - 69W (TC)
BC548A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548A A1 -
RFQ
 ECAD 3861 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC548AA1TB OBSOLÈTE 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
BC817-25W Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W 0,0350
RFQ
 ECAD 2047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC817-25wtr EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100 MHz
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 240mw (TA) SOT-363 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 220mA (TA) 2,5 ohm @ 220mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,91nc @ 4,5 V 30pf @ 30v Porte de Niveau Logique
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF C0G 12.8700
RFQ
 ECAD 905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CP ROG 2.0100
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 34A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 104W (TC)
TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04CR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM110 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 12A (TA), 54A (TC) 10V 11MOHM @ 12A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1443 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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