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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM220 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 35A (TC) 10V 22MOHM @ 8A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1454 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG 0,2730
RFQ
 ECAD 6058 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM126 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 600 V 30mA (TC) 0v, 10v 800OHM @ 16MA, 10V 1v @ 8µA 1,18 NC @ 4,5 V ± 20V 51,42 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 500mw (TA)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1652 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM60NB099CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF 7.8447
RFQ
 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB099CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10CZ C0G 2.6900
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 160a (TC) 10V 5,5 mohm @ 30a, 10v 4V @ 250µA 154 NC @ 10 V ± 20V 9840 PF @ 30 V - 300W (TC)
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 240mw (TA) SOT-363 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 220mA (TA) 2,5 ohm @ 220mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,91nc @ 4,5 V 30pf @ 30v Porte de Niveau Logique
TSM2323CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2323CX RFG 0,5200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.7A (TA) 1,8 V, 4,5 V 39MOHM @ 4,7A, 4,5 V 1V @ 250µA 12,5 NC @ 4,5 V ± 8v 1020 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF C0G 12.8700
RFQ
 ECAD 905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
TSC5304EDCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsc5304edcp rog -
RFQ
 ECAD 5632 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSC5304 35 W À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 400 V 4 A 250 µA NPN 1,5 V @ 500mA, 2,5A 17 @ 1A, 5V -
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 4368 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP ROG 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM1NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 1A (TC) 10V 10OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
BC338-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1 -
RFQ
 ECAD 4614 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 - Atteindre non affecté 1801-BC338-40-B0A1TB OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549B B1G -
RFQ
 ECAD 7186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC549 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM60NC196CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CI 4.2719
RFQ
 ECAD 1888 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NC196CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ± 30V 1535 PF @ 300 V - 70W (TC)
TSM035NB04LCZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04LCZ C0G 3.3500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM035 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM035NB04LCZC0G EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 18A (TA), 157A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 18a, 10v 2,5 V @ 250µA 111 NC @ 10 V ± 20V 6350 pf @ 20 V - 2W (TA), 156W (TC)
BC338-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 B1G -
RFQ
 ECAD 8848 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC338 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 5 000 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100 MHz
BC338-16-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 2392 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC338-16-B0B1G OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM5055DCR Taiwan Semiconductor Corporation Tsm5055dcr 1.1755
RFQ
 ECAD 1419 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM5055 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.2W (TA), 30W (TC), 2,4W (TA), 69W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM5055dcrtr EAR99 8541.29.0095 5 000 2 canal n (double) asymétrique 30V 10A (TA), 38A (TC), 20A (TA), 107A (TC) 11.7MOHM @ 10A, 10V, 3,6MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3nc @ 10v, 49nc @ 10v 555pf @ 15v, 2550pf @ 15v -
TSM60N1R4CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G 0.4419
RFQ
 ECAD 5995 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 3.3A (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 7,7 NC @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CP ROG 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
TSM500N15CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N15CS 1.2968
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM500 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM500N15CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 150 V 4A (TA), 11A (TC) 10V 50MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 20,5 NC @ 10 V ± 20V 1123 PF @ 80 V - 12.7W (TA)
BC550C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550C A1 -
RFQ
 ECAD 9975 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC550CA1TB OBSOLÈTE 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0,4171
RFQ
 ECAD 7755 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2328CXTR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 100 V 1.5A (TA) 10V 250 mohm @ 1,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 11.1 NC @ 5 V ± 20V 975 PF @ 25 V - 1.38W (TA)
BC550B Taiwan Semiconductor Corporation BC550B 0,0447
RFQ
 ECAD 2702 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC550BTB EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 RLG 1.7400
RFQ
 ECAD 438 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM036 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 124A (TC) 4,5 V, 10V 3,6MOHM @ 22A, 10V 2,5 V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 15 V - 83W (TC)
TSM60NB260CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI 4.2905
RFQ
 ECAD 8831 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB260CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 13A (TC) 10V 260MOHM @ 3,9A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 32.1w (TC)
TSM7N65ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N65ACI C0G -
RFQ
 ECAD 5093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1 45 ohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 27,8 NC @ 10 V ± 30V 1406 pf @ 25 V - 40W (TC)
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G 3.3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 10A (TC) 10V 900MOHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1650 pf @ 50 V - 45W (TC)
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG 0,8800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6.5a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 1 56W (TC)
TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM220 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 22MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1314 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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