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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC817-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40W RFG 0,0360
RFQ
 ECAD 7191 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
BC550C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550C B1G -
RFQ
 ECAD 6081 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1G -
RFQ
 ECAD 6285 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC337 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 5 000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM3443CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 RFG 0,9700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM3443 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.7A (TA) 2,5 V, 4,5 V 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V 1,4 V @ 250µA 9 NC @ 4,5 V ± 12V 640 PF @ 10 V - 2W (ta)
TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR RLG 3.4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TSM043 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 20A (TA), 54A (TC) 4,5 V, 10V 4.3MOHM @ 27A, 10V 2,2 V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 16V 2480 pf @ 25 V - 100W (TC)
BC856A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 5220 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM60NB190CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI 4.4264
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB190CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 33,8W (TC)
TSM900N10CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CP 0,7584
RFQ
 ECAD 4167 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM900N10CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 15A (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 50W (TC)
TSM150P03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 0,6916
RFQ
 ECAD 2112 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM150P03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal p 30 V 10A (TA), 36A (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 29.3 NC @ 10 V ± 20V 1829 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 27.8W (TC)
TSM3N90CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CP ROG -
RFQ
 ECAD 3832 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM3N90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 900 V 2.5a (TC) 10V 5.1OHM @ 1 25A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 PF @ 25 V - 94W (TC)
TSM2328CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX RFG 1.0900
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 1.5A (TA) 10V 250 mohm @ 1,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 12 NC @ 4,5 V ± 20V 975 PF @ 25 V - 1.38W (TA)
BC850CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850CW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 3245 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CP ROG 6.6600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 3,3a, 10v 4V @ 250µA 18,8 NC @ 10 V ± 30V 981 PF @ 100 V - 125W (TC)
TSM052NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052NB03CR RLG 0,8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM052 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 17A (TA), 90A (TC) 4,5 V, 10V 5,2MOHM @ 17A, 10V 2,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2294 PF @ 15 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CH C5G 1.9051
RFQ
 ECAD 4344 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 700 V 4.5a (TC) 10V 900mohm @ 1,5a, 10v 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 482 PF @ 100 V - 50W (TC)
MMBT3904L-UA RF Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904L-UA RF -
RFQ
 ECAD 3419 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 - 1801-MMBT3904L-UARF OBSOLÈTE 1 40 V 200 mA 50na NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
TSM60NB600CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CF 1.9333
RFQ
 ECAD 6500 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB600CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 1,7a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 30V 528 pf @ 100 V - 41.7W (TC)
TSM1NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation Tsm1nb60cp 0,7717
RFQ
 ECAD 1758 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM1NB60CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 600 V 1A (TC) 10V 10OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
TSM680P06CH Taiwan Semiconductor Corporation Tsm680p06ch 0,8645
RFQ
 ECAD 7551 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM680 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (i-pak sl) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM680P06CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal p 60 V 18A (TC) 4,5 V, 10V 68MOHM @ 6A, 10V 2,2 V @ 250µA 16.4 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 20W (TC)
TSM3446CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3446CX6 0,3003
RFQ
 ECAD 7348 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM3446 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM3446CX6TR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 20 V 5.3A (TC) 2,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 5.3A, 4,5 V 1V @ 250µA 12,5 NC @ 4,5 V ± 12V 700 pf @ 10 V - 2W (ta)
TSM085P03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV RGG 2.0100
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM085 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 64a (TC) 4,5 V, 10V 8,5MOHM @ 14A, 10V 2,5 V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3234 PF @ 15 V - 50W (TC)
TSM60NB150CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB150CF 5.7259
RFQ
 ECAD 5940 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB150CF EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 150 MOHM @ 4.3A, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1765 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
TSM60N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N06CP ROG -
RFQ
 ECAD 4719 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 66a (TC) 10V 7,3MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ± 20V 4382 PF @ 30 V - 44.6W (TC)
TSM056NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CV RGG 2.9000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM056NH04CVRGGTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 16A (TA), 54A (TC) 7v, 10v 5,6MOHM @ 27A, 10V 3,6 V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1828 PF @ 25 V - 34W (TC)
BC338-40-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 6068 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC338-40-B0B1G OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
KTC3198-BL B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL B1G -
RFQ
 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) KTC3198 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG 1 5000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 6A (TA), 27A (TC) 10V 30MOHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1110 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 RGG 1.6100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 36a (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 29.3 NC @ 10 V ± 20V 1829 pf @ 15 V - 27.8W (TC)
TSM4459CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4459CS RLG -
RFQ
 ECAD 9718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 17a (ta) 4,5 V, 10V 5.2MOHM @ 9A, 10V 3V à 250µA 78,4 NC @ 4,5 V ± 20V 6205 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG 1.5122
RFQ
 ECAD 4314 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM120 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 54A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 36,5 NC @ 10 V ± 20V 2116 PF @ 30 V - 69W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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