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Transistors (888)

Image	Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	ECAD	Quantité disponible	Poids (kg)	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
	TSM10N60CI C0	-	RFQ		3796	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé		MOSFET (Oxyde Métallique)		ITO-220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	TSM10N60CIC0	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	600 V	10A (TC)	10V	750mohm @ 5a, 10v	4V @ 250µA	45,8 NC @ 10 V	± 30V	1738 PF @ 25 V	-	50W (TC)
	TSM60NB190CF	3.9416	RFQ		7009	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TSM60	MOSFET (Oxyde Métallique)		ITO-220	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-TSM60NB190CF	EAR99	8541.29.0095	4 000	Canal n	600 V	18A (TC)	10V	190mohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 30V	1311 PF @ 100 V	-	59,5W (TC)
	Tsm160p04lcrhrlg	-	RFQ		1572	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	TSM160	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pdfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal p	40 V	51A (TC)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	2712 PF @ 20 V	-	69W (TC)
	TSM240N03CX RFG	0,9000	RFQ		76	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TSM240	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n	30 V	6.5a (TC)	4,5 V, 10V	24MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	4.1 NC @ 4,5 V	± 20V	345 PF @ 25 V	-	1 56W (TC)
	KTC3198-BL-B0 B1G	-	RFQ		7665	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92	télécharger			Atteindre non affecté	1801-KTC3198-BL-B0B1G	OBSOLÈTE		1												50 V	150 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	3000 @ 150mA, 6V	80 MHz
	BC846A RFG	0,0343	RFQ		5008	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		200 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000												65 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
	TSC873CT A3G	-	RFQ		2910	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			1 W	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	TSC873CTA3G	EAR99	8541.29.0095	2 000												400 V	1 a	1 mA	NPN	1V @ 250mA, 1A	80 @ 250mA, 10V	-
	BC849CW	0,0357	RFQ		3155	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC849		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-BC849CWTR	EAR99	8541.21.0075	18 000												30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
	TQM076NH04DCR RLG	4.0900	RFQ		8230	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif				TQM076				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)					2 500
	MMBT2907A RFG	0,0342	RFQ		1221	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2907		350 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000												60 V	600 mA	50na	Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
	KTC3198-Y A1G	-	RFQ		7037	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KTC3198		500 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000												50 V	150 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	70 @ 2MA, 6V	80 MHz
	BC549A A1G	-	RFQ		7750	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC549		500 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000												30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	-	110 @ 2MA, 5V	-
	KTC3198-Y B1G	-	RFQ		7526	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	KTC3198		500 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	5 000												50 V	150 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	70 @ 2MA, 6V	80 MHz
	TSM60NB190CM2	4.3298	RFQ		4719	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	TSM60	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d2pak)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-TSM60NB190CM2TR	EAR99	8541.29.0095	2 400	Canal n	600 V	18A (TC)	10V	190mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 30V	1273 PF @ 100 V	-	150,6w (TC)
	BC848AW	0,0357	RFQ		4512	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-BC848AWTR	EAR99	8541.21.0075	18 000												30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
	TSM2N60ECP ROG	-	RFQ		8884	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Tsm2	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n	600 V	2A (TC)	10V	4OHM @ 1A, 10V	5V @ 250µA	9,5 NC @ 10 V	± 30V	362 PF @ 25 V	-	52.1w (TC)
	BC338-16-B0 A1G	-	RFQ		8632	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92	télécharger			Atteindre non affecté	1801-BC338-16-B0A1GTB	OBSOLÈTE		1												25 V	800 mA	100NA (ICBO)	NPN	700 mV à 50ma, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100 MHz
	BC807-16W RFG	0,0466	RFQ		5484	0,00000000	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC807		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000												45 V	500 mA	100NA (ICBO)	Pnp	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	80 MHz

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AD9208BBPZ-3000Tampon exposé de 196-LFBGA
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