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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N90CI C0G 2.7200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM7N90 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 7a (TC) 10V 1,9 ohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1969 PF @ 25 V - 40,3W (TC)
TSM120N06LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP 0,9440
RFQ
 ECAD 1813 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM120N06LCPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 10A (TA), 70A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2118 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 125W (TC)
BC550C Taiwan Semiconductor Corporation BC550C 0,0604
RFQ
 ECAD 7522 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC550CTB EAR99 8541.21.0095 4 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM080NB03CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM080NB03CR 0,5983
RFQ
 ECAD 3281 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM080 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM080NB03CRTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 14A (TA), 59A (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 14A, 10V 2,5 V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1097 PF @ 15 V - 3.1W (TA), 55,6W (TC)
TSM250NB06LDCR Taiwan Semiconductor Corporation Tsm250nb06ldcr 1.1455
RFQ
 ECAD 5937 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM250NB06LDCRTR EAR99 8541.29.0095 5 000 2 Canaux N (double) 60V 6A (TA), 29A (TC) 25MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 23nc @ 10v 1314pf @ 30v -
TSM7NC60CF Taiwan Semiconductor Corporation Tsm7nc60cf 1 5053
RFQ
 ECAD 5551 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-tsm7nc60cf EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 30V 1169 PF @ 50 V - 44.6W (TC)
BC846AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846AW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 1445 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM300NB06DCR RLG 3.1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TQM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.5W (TA), 48W (TC) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 6A (TA), 25A (TC) 30MOHM @ 6A, 10V 3,8 V @ 250µA 20nc @ 10v 1020pf @ 30v -
TSM680P06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CZ C0G -
RFQ
 ECAD 4105 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm680p06czc0g EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 60 V 18A (TC) 4,5 V, 10V 68MOHM @ 6A, 10V 2,2 V @ 250µA 16.4 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 42W (TC)
TSM2308CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2308CX RFG 0,8900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2308 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 3a (ta) 4,5 V, 10V 156MOHM @ 3A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.3 NC @ 4,5 V ± 20V 511 PF @ 15 V - 1.25W (TA)
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm4nc50cp rog 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tsm4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 4A (TC) 10V 2,7 ohm @ 1,7a, 10v 3V à 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 453 PF @ 50 V - 83W (TC)
TSM680P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CP ROG 1.6100
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM680 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 18A (TC) 4,5 V, 10V 68MOHM @ 6A, 10V 2,2 V @ 250µA 16.4 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 20W (TC)
TSM60N380CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CH C5G 0,9084
RFQ
 ECAD 5178 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 20,5 NC @ 10 V ± 30V 1040 PF @ 100 V - 125W (TC)
TSM210N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX 0,2725
RFQ
 ECAD 9842 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM210 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM210N02CXTR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 20 V 6.7A (TC) 1,8 V, 4,5 V 21MOHM @ 4A, 4,5 V 0,8 V à 250 µA 5,8 NC @ 4,5 V ± 10V 600 pf @ 10 V - 1 56W (TC)
BSS84W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS84W RFG 0 4700
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 140mA (TA) 4,5 V, 10V 8OHM @ 140mA, 10V 2V à 250µA 1,9 NC @ 10 V ± 20V 37 pf @ 30 V - 298MW (TA)
TSM60NC980CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC980CP ROG 3.0700
RFQ
 ECAD 5100 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252 (dpak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 980mohm @ 1,5a, 10v 5V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 300 V - 57W (TC)
TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N110CE RVG 15.8300
RFQ
 ECAD 9450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Ruban Adhésif (tr) Actif TSG65 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 3 000
TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NB04CR RLG 6.0900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TQM025 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 24a (Ta), 157a (TC) 7v, 10v 2,5 mohm @ 24a, 10v 3,8 V @ 250µA 118 NC @ 10 V ± 20V 6670 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
TSM250N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX 0,2763
RFQ
 ECAD 4236 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM250N02CXTR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 20 V 5.8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 25MOHM @ 4A, 4,5 V 0,8 V à 250 µA 7,7 NC @ 4,5 V ± 10V 535 pf @ 10 V - 1 56W (TC)
BC550B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550B A1 -
RFQ
 ECAD 6216 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC550BA1TB OBSOLÈTE 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM060N03CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP 0,7524
RFQ
 ECAD 7994 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM060 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM060N03CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 80A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 11.1 NC @ 4,5 V ± 20V 1160 pf @ 25 V - 54W (TC)
BC807-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 0,0333
RFQ
 ECAD 3913 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC807-16TR EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
BC817-40 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40 RFG 0,0346
RFQ
 ECAD 2983 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
TSM80N950CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CH 2.7212
RFQ
 ECAD 7328 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N950CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 800 V 6A (TC) 10V 950MOHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 19,6 NC @ 10 V ± 30V 691 PF @ 100 V - 110W (TC)
TSM70N900CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CH 1.9051
RFQ
 ECAD 2924 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM70N900CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 700 V 4.5a (TC) 10V 900mohm @ 1,5a, 10v 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 482 PF @ 100 V - 50W (TC)
TSM080N03EPQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03EPQ56 0,6619
RFQ
 ECAD 2304 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM080 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5x5,8) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM080N03EPQ56TR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 55A (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250µA 7,5 NC @ 4,5 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 54W (TC)
TSM60NB600CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CH 1.6040
RFQ
 ECAD 4135 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB600CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 516 PF @ 100 V - 63W (TC)
TSM340N06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CP 0,6681
RFQ
 ECAD 3332 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM340 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM340N06CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 34MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 16,6 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 30 V - 40W (TC)
TSM070NH04LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCV RGG 2.2500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 14A (TA), 54A (TC) 4,5 V, 10V 7MOHM @ 27A, 10V 2,2 V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 16V 1376 pf @ 25 V - 36W (TC)
KTC3198-Y-M0 B2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-M0 B2G -
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 ECAD 3249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-ktc3198-y-m0b2g OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80 MHz
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