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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM1NB60CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW 0,6145
RFQ
 ECAD 1762 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSM1 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM1NB60CWTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 600 V 1A (TC) 10V 10OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 2.1W (TC)
TSM60NB099CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ 7.8920
RFQ
 ECAD 8258 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB099CZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 11.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 298W (TC)
TSM60NB041PW Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW 18.5407
RFQ
 ECAD 3510 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB041PW EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 600 V 78A (TC) 10V 41MOHM @ 21,7A, 10V 4V @ 250µA 139 NC @ 10 V ± 30V 6120 PF @ 100 V - 446W (TC)
TSM80N950CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CP 2.7498
RFQ
 ECAD 7928 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N950CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 800 V 6A (TC) 10V 950MOHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 19,6 NC @ 10 V ± 30V 691 PF @ 100 V - 110W (TC)
TSM5NC50CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ 1.2558
RFQ
 ECAD 6263 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Tsm5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM5NC50CZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 500 V 5A (TC) 10V 1,38 ohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 89W (TC)
TSM680P06DPQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06DPQ56 1.0636
RFQ
 ECAD 4462 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM680 MOSFET (Oxyde Métallique) 3,5W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM680P06DPQ56TR EAR99 8541.29.0095 5 000 2 P-channel 60V 12A (TC) 68MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 16.4nc @ 10v 870pf @ 30v Standard
TSM090N03ECP Taiwan Semiconductor Corporation TSM090N03ECP 0,7000
RFQ
 ECAD 6718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM090 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM090N03ECPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250µA 7,7 NC @ 4,5 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 40W (TC)
TSM250N02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ 0,3925
RFQ
 ECAD 8097 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-VDFN TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 620MW (TC) 6-TDFN (2x2) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 1801-TSM250N02DCQTR EAR99 8541.29.0095 12 000 2 N-Canal 20V 5.8A (TC) 25MOHM @ 4A, 4,5 V 0,8 V à 250 µA 11nc @ 4,5 V 775pf @ 10v Standard
TSM250NB06CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV 0,6661
RFQ
 ECAD 1841 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM250NB06CVTR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 60 V 6A (TA), 28A (TC) 7v, 10v 25MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 42W (TC)
TSM150NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCV 0,5871
RFQ
 ECAD 9527 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM150NB04LCVTR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 40 V 8a (ta), 36a (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1013 PF @ 20 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
TSM038N04LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N04LCP 1.5504
RFQ
 ECAD 3715 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM038 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM038N04LCPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 19A (TA), 135A (TC) 4,5 V, 10V 3,8MOHM @ 19A, 10V 2,5 V @ 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 5509 PF @ 20 V - 2.6W (TA), 125W (TC)
TSM150P04LCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P04LCS 1.1755
RFQ
 ECAD 7311 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM150P04LCSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 40 V 9a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2783 PF @ 20 V - 2.2W (TA), 12,5W (TC)
TSM160P02CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS 0,6916
RFQ
 ECAD 3163 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM160 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM160P02CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 20 V 11a (TC) 1,8 V, 4,5 V 16MOHM @ 6A, 4,5 V 1V @ 250µA 27 NC @ 4,5 V ± 10V 2320 pf @ 15 V - 2,5W (TC)
TSM6968DCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968DCA 0,7714
RFQ
 ECAD 7202 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TSM6968 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.04W (TA) 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM6968DCATr EAR99 8541.29.0095 12 000 2 N-Canal 20V 6.5A (TA) 22MOHM @ 6A, 4,5 V 1V @ 250µA 20nc @ 4,5 V 950pf @ 10v Standard
TSM70N750CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N750CH 2.1535
RFQ
 ECAD 4836 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM70N750CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 700 V 6A (TC) 10V 750MOHM @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10,7 NC @ 10 V ± 30V 555 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CH C5G 3.6900
RFQ
 ECAD 1910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1801-TSM60NC620CHC5G 15 000 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 620 mohm @ 2,4a, 10v 5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20V 501 PF @ 300 V - 78W (TC)
TSM60NC980CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC980CH C5G 3.0700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 1801-TSM60NC980CHC5G EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 980mohm @ 1,5a, 10v 5V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 300 V - 57W (TC)
TQM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04CR RLG 6.3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 5 000 Canal n 40 V 26A (TA), 100A (TC) 7v, 10v 2,5 mohm @ 50a, 10v 3,6 V @ 250µA 89 NC @ 10 V ± 20V 5691 PF @ 25 V - 136W (TC)
BC548B A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548B A1G -
RFQ
 ECAD 8319 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC548 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 4 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSA894CT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT A3 -
RFQ
 ECAD 9523 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 1 W To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSA894CTA3 EAR99 8541.29.0075 2 000 500 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 10mA, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50 MHz
BC848A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 8465 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM4NB65CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CP ROG 2.1200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM4NB65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 4A (TC) 10V 3.37OHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 13.46 NC @ 10 V ± 30V 549 PF @ 25 V - 70W (TC)
BC847CW Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW 0,0357
RFQ
 ECAD 7744 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC847cwtr EAR99 8541.21.0075 18 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM230N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CZ C0G -
RFQ
 ECAD 5156 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM230N06CZC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 104W (TC)
TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CI C0G 6.7100
RFQ
 ECAD 8331 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 3,3a, 10v 4V @ 250µA 18,8 NC @ 10 V ± 30V 981 PF @ 100 V - 125W (TC)
BC549B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC549b A1 -
RFQ
 ECAD 7605 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC549ba1tb OBSOLÈTE 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
BC848AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848AW RFG 0,0361
RFQ
 ECAD 1226 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC807-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W RFG 0,0466
RFQ
 ECAD 5267 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 80 MHz
TSM2NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CP ROG 1.9800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 4.4OHM @ 1A, 10V 4,5 V @ 250µA 9.4 NC @ 10 V ± 30V 249 PF @ 25 V - 44W (TC)
BC337-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1G -
RFQ
 ECAD 5269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC337 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 5 000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100 MHz
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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