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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM4N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N70CI C0G -
RFQ
 ECAD 7046 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 3.5a (TC) 10V 3,3 ohm @ 2a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 30V 595 PF @ 25 V - 56W (TC)
TSM4NB60CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G 0,9576
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM4NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM4NB60CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CZ C0G -
RFQ
 ECAD 5481 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CP ROG 2.1200
RFQ
 ECAD 1998 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 20,5 NC @ 10 V ± 30V 1040 PF @ 100 V - 125W (TC)
TSM60N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CH C5G 0,7222
RFQ
 ECAD 7903 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 83W (TC)
TSM60N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750CP ROG -
RFQ
 ECAD 8667 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 6A (TC) 10V 750mohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 10.8 NC @ 10 V ± 30V 554 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
TSM60N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G 0,5685
RFQ
 ECAD 3215 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 2,3A, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 480 PF @ 100 V - 50W (TC)
TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CI C0G 0,7191
RFQ
 ECAD 5761 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 2,3A, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 480 PF @ 100 V - 50W (TC)
TSM60N900CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CP ROG 0,5910
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 4.5a (TC) 10V 900MOHM @ 2,3A, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 480 PF @ 100 V - 50W (TC)
TSM60NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG 1.0363
RFQ
 ECAD 4695 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 3A (TC) 10V 1,4 ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 V ± 30V 257.3 PF @ 100 V - 28.4W (TC)
TSM60NB380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CP ROG 4.3200
RFQ
 ECAD 392 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 9.5A (TC) 10V 380 mOhm @ 2 85a, 10v 4V @ 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 795 PF @ 100 V - 83W (TC)
TSM60NB600CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CF C0G 3.8500
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 1,7a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 30V 528 pf @ 100 V - 41.7W (TC)
TSM650N15CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CR RLG 5.0100
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM650 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 150 V 24a (TC) 6v, 10v 65MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1829 PF @ 75 V - 96W (TC)
TSM650N15CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CS RLG 2.4192
RFQ
 ECAD 8973 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM650 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 150 V 9A (TC) 6v, 10v 65MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1783 PF @ 75 V - 12.5W (TC)
TSM650P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG 0,7000
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM650 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.1a (TC) 1,8 V, 4,5 V 65MOHM @ 3A, 4,5 V 800 mV à 250µA 5.1 NC @ 4,5 V ± 10V 515 PF @ 10 V - 1 56W (TC)
TSM6N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N50CP ROG -
RFQ
 ECAD 6211 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 5.6A (TA) 10V 1,4 ohm @ 2,8a, 10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 90W (TC)
TSM70N900CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N900CP ROG 1.9252
RFQ
 ECAD 2446 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 4.5a (TC) 10V 900mohm @ 1,5a, 10v 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 30V 482 PF @ 100 V - 50W (TC)
TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP ROG 1.2804
RFQ
 ECAD 9411 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 3A (TC) 10V 1,4 ohm @ 1,2a, 10v 4V @ 250µA 7.4 NC @ 10 V ± 30V 317 PF @ 100 V - 28W (TC)
TSM8N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 5494 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM8N80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 800 V 8A (TC) 10V 1.05OHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 30V 1921 PF @ 25 V - 40,3W (TC)
TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G 0,9822
RFQ
 ECAD 2384 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 15A (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 50W (TC)
TSM9409CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9409CS RLG 2.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM9409 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 3.5A (TA) 4,5 V, 10V 155MOHM @ 3,5A, 10V 1V @ 250µA 6 NC @ 10 V ± 20V 540 PF @ 30 V - 3W (TA)
TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM9N90ECI C0G -
RFQ
 ECAD 5411 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Tsm9 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 900 V 9A (TC) 10V 1,4 ohm @ 4,5a, 10v 4V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2470 pf @ 25 V - 89W (TC)
BC807-25 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-25 RFG 0,0342
RFQ
 ECAD 3739 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 500 mA 200NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100 MHz
BC847CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC850BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850BW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 8258 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L RFG 0 1700
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
TSM025NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NB04LCR RLG 3.6400
RFQ
 ECAD 272 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM025 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 24a (TA), 161a (TC) 4,5 V, 10V 2,5 mohm @ 24a, 10v 2,5 V @ 250µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6435 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
TSM070NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NB04LCR RLG 2.0200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM070 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 15A (TA), 75A (TC) 4,5 V, 10V 7MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2151 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06CR RLG 2.0200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM130 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 10A (TA), 51A (TC) 10V 13MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM8N70CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N70CI C0 -
RFQ
 ECAD 1981 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm8n70cic0 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 2006 PF @ 25 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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