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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | TSC873CW RPG | 0,9200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | TSC873 | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 400 V | 1 a | 1 mA | NPN | 1V @ 250mA, 1A | 80 @ 250mA, 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | BC848CW RFG | 0,0368 | ![]() | 6348 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | Tsc5304edcp rog | - | ![]() | 5632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSC5304 | 35 W | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 400 V | 4 A | 250 µA | NPN | 1,5 V @ 500mA, 2,5A | 17 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | KTC3198-Y-M0 A2G | - | ![]() | 5263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-ktc3198-y-m0a2gtb | OBSOLÈTE | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 120 @ 150mA, 6V | 80 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TQM032NH04CR RLG | 4.0300 | ![]() | 1619 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFNU (4,9x5,75) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 23A (TA), 81A (TC) | 7v, 10v | 3,2MOHM @ 40A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 67,5 NC @ 10 V | ± 20V | 4344 PF @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||
![]() | Tsm7p06cp rog | 1.2100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 7a (TC) | 4,5 V, 10V | 180MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 425 PF @ 30 V | - | 15.6W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM22P10CZ C0G | - | ![]() | 8487 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm22p10czc0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 140mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 25V | 2250 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM340N06CH X0G | 1.8500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | TSM340 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 34MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 16,6 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM70N600ACL X0G | 3.1215 | ![]() | 5045 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 Courtes Pistes, I²PAK | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 (i2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 600 mOhm @ 2,4a, 10v | 4V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ± 30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM900N06CP ROG | 1.3700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 11a (TC) | 4,5 V, 10V | 90MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 15 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
![]() | BC848C RFG | 0,0343 | ![]() | 2199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0,0288 | ![]() | 3818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MMBT3906TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 000 | 40 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||
![]() | BC848B RFG | 0,0343 | ![]() | 4883 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM70N750CP | 2.1762 | ![]() | 9537 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM70N750CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 700 V | 6A (TC) | 10V | 750MOHM @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 10,7 NC @ 10 V | ± 30V | 555 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | |||||||||||
![]() | TS13002ACT A3G | - | ![]() | 4091 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | TS13002 | 600 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 400 V | 300 mA | 1 µA | NPN | 1,5 V @ 20mA, 200mA | 25 @ 100mA, 10V | 4 MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM35N10CP ROG | 1.6271 | ![]() | 8011 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 37MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1598 pf @ 30 V | - | 83.3W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM3N90CZ C0G | - | ![]() | 8691 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM3N90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 900 V | 2.5a (TC) | 10V | 5.1OHM @ 1 25A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 748 PF @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||
![]() | BC817-40W RFG | 0,0360 | ![]() | 7191 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | BC847A RFG | 0,0343 | ![]() | 6411 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM80N1R2CH C5G | 2.5940 | ![]() | 7637 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 800 V | 5.5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 75a, 10v | 4V @ 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 685 PF @ 100 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
![]() | BC337-40 B1 | - | ![]() | 3889 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92 | - | Atteindre non affecté | 1801-BC337-40B1 | OBSOLÈTE | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM9434CS | 0,6218 | ![]() | 7118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM9434 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM9434CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 20 V | 6.4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 40 mohm @ 6.4a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1020 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||
BC549B B1G | - | ![]() | 7186 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC549 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | MMBT2222A RFG | 0 2400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||
![]() | BC848BW RFG | 0,0368 | ![]() | 4368 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM60N06CP ROG | - | ![]() | 4719 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 66a (TC) | 10V | 7,3MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 4382 PF @ 30 V | - | 44.6W (TC) | |||||||||||
TSM036N03PQ56 RLG | 1.7400 | ![]() | 438 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM036 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 124A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,6MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2530 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | TSM6963SDCA RVG | 1.9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TSM6963 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.14W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.5a (TC) | 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 20nc @ 4,5 V | 1500pf @ 10v | - | |||||||||||||
![]() | TSC497CX RFG | 0,5200 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSC497 | 500 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 300 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 25mA, 250mA | 100 @ 1MA, 10V | 75 MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM025NH04CR RLG | 5.0500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 26A (TA), 100A (TC) | 7v, 10v | 2,5 mohm @ 50a, 10v | 3,6 V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3794 PF @ 25 V | - | 136W (TC) |
Volume de RFQ moyen quotidien
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