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Transistors (888)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
TSC873CW RPG	0,9200	RFQ	15	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	TSC873			SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500													400 V	1 a	1 mA	NPN	1V @ 250mA, 1A	80 @ 250mA, 10V	-
BC848CW RFG	0,0368	RFQ	6348	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													30 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
Tsc5304edcp rog	-	RFQ	5632	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSC5304		35 W	À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500													400 V	4 A	250 µA	NPN	1,5 V @ 500mA, 2,5A	17 @ 1A, 5V	-
KTC3198-Y-M0 A2G	-	RFQ	5263	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92	télécharger			Atteindre non affecté	1801-ktc3198-y-m0a2gtb	OBSOLÈTE		1													50 V	150 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	120 @ 150mA, 6V	80 MHz
TQM032NH04CR RLG	4.0300	RFQ	1619	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotive, AEC-Q101, Perfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-PDFNU (4,9x5,75)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n	40 V	23A (TA), 81A (TC)	7v, 10v	3,2MOHM @ 40A, 10V	3,6 V @ 250µA	67,5 NC @ 10 V	± 20V	4344 PF @ 25 V	-	115W (TC)
Tsm7p06cp rog	1.2100	RFQ	4	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSM7	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	60 V	7a (TC)	4,5 V, 10V	180MOHM @ 3A, 10V	2,5 V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	425 PF @ 30 V	-	15.6W (TC)
TSM22P10CZ C0G	-	RFQ	8487	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	Tsm22p10czc0g	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p	100 V	22A (TC)	4,5 V, 10V	140mohm @ 20a, 10v	3V à 250µA	42 NC @ 10 V	± 25V	2250 pf @ 30 V	-	125W (TC)
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak	TSM340	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	60 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	16,6 NC @ 10 V	± 20V	1180 pf @ 30 V	-	66W (TC)
TSM70N600ACL X0G	3.1215	RFQ	5045	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 Courtes Pistes, I²PAK	TSM70	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262 (i2pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	700 V	8A (TC)	10V	600 mOhm @ 2,4a, 10v	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	± 30V	743 PF @ 100 V	-	83W (TC)
TSM900N06CP ROG	1.3700	RFQ	4	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSM900	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	11a (TC)	4,5 V, 10V	90MOHM @ 6A, 10V	2,5 V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	± 20V	500 pf @ 15 V	-	25W (TC)
BC848C RFG	0,0343	RFQ	2199	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		200 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													30 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
MMBT3906	0,0288	RFQ	3818	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3906		350 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-MMBT3906TR	EAR99	8541.21.0075	9 000													40 V	200 mA	100NA (ICBO)	Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250 MHz
BC848B RFG	0,0343	RFQ	4883	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		200 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													30 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
TSM70N750CP	2.1762	RFQ	9537	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSM70	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-TSM70N750CPTR	EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal n	700 V	6A (TC)	10V	750MOHM @ 1.8A, 10V	4V @ 250µA	10,7 NC @ 10 V	± 30V	555 PF @ 100 V	-	62,5W (TC)
TS13002ACT A3G	-	RFQ	4091	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Box (TB)	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	TS13002		600 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000													400 V	300 mA	1 µA	NPN	1,5 V @ 20mA, 200mA	25 @ 100mA, 10V	4 MHz
TSM35N10CP ROG	1.6271	RFQ	8011	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSM35	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	100 V	32A (TC)	4,5 V, 10V	37MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1598 pf @ 30 V	-	83.3W (TC)
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TSM3N90	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	900 V	2.5a (TC)	10V	5.1OHM @ 1 25A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	748 PF @ 25 V	-	94W (TC)
BC817-40W RFG	0,0360	RFQ	7191	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													45 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	700 mV à 50ma, 500mA	250 @ 100mA, 1V	100 MHz
BC847A RFG	0,0343	RFQ	6411	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC847		200 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													45 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
TSM80N1R2CH C5G	2.5940	RFQ	7637	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	TSM80	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251 (ipak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	800 V	5.5A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2 75a, 10v	4V @ 250µA	19,4 NC @ 10 V	± 30V	685 PF @ 100 V	-	110W (TC)
BC337-40 B1	-	RFQ	3889	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	-			Atteindre non affecté	1801-BC337-40B1	OBSOLÈTE		1													45 V	800 mA	100NA (ICBO)	NPN	700 mV à 50ma, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100 MHz
TSM9434CS	0,6218	RFQ	7118	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TSM9434	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	1801-TSM9434CSTR	EAR99	8541.29.0095	5 000		Canal p	20 V	6.4a (TC)	2,5 V, 4,5 V	40 mohm @ 6.4a, 4,5 V	1V @ 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 8v	1020 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
BC549B B1G	-	RFQ	7186	Taiwan Semiconductor Corporation	-	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	BC549		500 MW	To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	5 000													30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	-	200 @ 2MA, 5V	-
MMBT2222A RFG	0 2400	RFQ	8	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		300 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													40 V	600 mA	10NA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300 MHz
BC848BW RFG	0,0368	RFQ	4368	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000													30 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
TSM60N06CP ROG	-	RFQ	4719	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	TSM60	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	66a (TC)	10V	7,3MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	± 20V	4382 PF @ 30 V	-	44.6W (TC)
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	TSM036	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pdfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	124A (TC)	4,5 V, 10V	3,6MOHM @ 22A, 10V	2,5 V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 15 V	-	83W (TC)
TSM6963SDCA RVG	1.9300	RFQ	4	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	TSM6963	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.14W	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	4.5a (TC)		30 mohm @ 4.5a, 4,5 V	1V @ 250µA	20nc @ 4,5 V		1500pf @ 10v	-
TSC497CX RFG	0,5200	RFQ	11	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TSC497		500 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000													300 V	500 mA	100NA	NPN	300 mV @ 25mA, 250mA	100 @ 1MA, 10V	75 MHz
TSM025NH04CR RLG	5.0500	RFQ	4	Taiwan Semiconductor Corporation	Perfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutien de la surface, flanc Mouillable	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pdfnu (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	26A (TA), 100A (TC)	7v, 10v	2,5 mohm @ 50a, 10v	3,6 V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 20V	3794 PF @ 25 V	-	136W (TC)

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