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Transistors (836)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
IRF621 Harris Corporation IRF621 0,4300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 5A (TC) 10V 800MOHM @ 2,5A, 10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRF621R Harris Corporation Irf621r 0,4300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 5A (TC) 10V 800MOHM @ 2,5A, 10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 40W (TC)
HGTH20N50E1 Harris Corporation HGTH20N50E1 3.1400
RFQ
 ECAD 287 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-218-3 Tab isolé, à 218AC Standard 100 W À 218 isolé télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 - - 500 V 20 a 35 A 3.2V @ 20V, 35A - 33 NC -
RF1S50N06LESM Harris Corporation RF1S50N06LESM 0,9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 50A (TC) 5V 22MOHM @ 50A, 5V 2V à 250µA 120 NC @ 10 V ± 10V 2100 PF @ 25 V - 142W (TC)
RFL4N15 Harris Corporation Rfl4n15 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-205af (to-39) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 4A (TC) 10V 400mohm @ 2a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 850 pf @ 25 V - 8.33W (TC)
RF1S23N06LESM Harris Corporation RF1S23N06LESM 0,5900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 23A - - - - - -
RFD3N08LSM9A Harris Corporation RFD3N08LSM9A 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 (DPAK) télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 80 V 3A (TC) 5V 800mohm @ 3a, 5v 2,5 V @ 250µA 8,5 NC @ 10 V ± 10V 125 PF @ 25 V - 30W (TC)
RFM10N15L Harris Corporation RFM10N15L 2.1800
RFQ
 ECAD 1363 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 109 Canal n 150 V 10A (TC) 5V 300mohm @ 5a, 5v ± 10V 1200 pf @ 25 V - 75W (TC)
RF1S25N06SM Harris Corporation RF1S25N06SM 0,6000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 25A - - - - - -
RF1S30N06LESM9A Harris Corporation RF1S30N06LSM9A -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 800
RF1S22N10SM Harris Corporation RF1S22N10SM 0,7900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 22a - - - - - -
RFL1P08 Harris Corporation Rfl1p08 0,5200
RFQ
 ECAD 2428 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-205af (to-39) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 4 Canal p 80 V 1A (TC) 10V 3 65 ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA ± 20V 150 pf @ 25 V - 8.33W (TC)
RFH10N50 Harris Corporation RFH10N50 3.9100
RFQ
 ECAD 302 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-218-3 Tab isolé, à 218AC MOSFET (Oxyde Métallique) À 218 isolé télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
RFD16N03LSM Harris Corporation RFD16N03LSM 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252-3 (DPAK) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 16A - - - - - -
RF1S30P06SM Harris Corporation RF1S30P06SM -
RFQ
 ECAD 8263 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 60 V 30A - - - - - -
RFD8P05SM9A Harris Corporation RFD8P05SM9A 0,9200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 325
RF1S15N08L Harris Corporation RF1S15N08L 0,6500
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Non applicable 3 (168 Heures) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 80 V 45a - - - - - -
RF1S17N06LSM Harris Corporation RF1S17N06LSM 0,6500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Non applicable 3 (168 Heures) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 17A - - - - - -
RF1S45N06LESM9A Harris Corporation RF1S45N06LSM9A 0,9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 317
HGT1S12N60C3R Harris Corporation HGT1S12N60C3R 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Standard 104 W I2pak (à 262) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 480v, 12a, 25 ohms, 15v 37 ns - 600 V 24 A 48 A 2.2V @ 15V, 12A 400 µJ (ON), 340µJ (OFF) 71 NC 37ns / 120ns
IRF331 Harris Corporation IRF331 2.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 350 V 5.5A (TC) 10V 1OHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 75W (TC)
BUX12 Harris Corporation Bex12 7.4800
RFQ
 ECAD 98 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1
HGTG27N60C3DR Harris Corporation HGTG27N60C3DR 5.9600
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 208 W À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 - - 600 V 54 A 108 A 2.2v @ 15v, 27a - 212 NC -
IGT6D11 Harris Corporation Igt6d11 2.0700
RFQ
 ECAD 8751 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Par le trou To-204aa, to-3 Standard To-3 télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 13 - - 400 V - - -
IRF133 Harris Corporation IRF133 -
RFQ
 ECAD 4608 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 12A (TC) 10V 230MOHM @ 8.3A, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 79W (TC)
IRF120 Harris Corporation IRF120 1.8400
RFQ
 ECAD 357 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204aa MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 8A (TC) 10V 300mohm @ 4a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 40W (TC)
HP4936DYT Harris Corporation HP4936DYT 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HP4936 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (ta) 8-SOIC télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 30V 5.8A (TA) 37MOHM @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 25nc @ 10v 625pf @ 25v Porte de Niveau Logique
2N6043 Harris Corporation 2N6043 2.2500
RFQ
 ECAD 7887 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 2N6043 75 W À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 96 60 V 8 A 20 µA Npn - darlington 2v @ 16mA, 4A 1000 @ 4A, 4V -
HGT1S12N60C3 Harris Corporation HGT1S12N60C3 1.4200
RFQ
 ECAD 899 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Standard 104 W I2pak (à 262) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 - - 600 V 24 A 96 A 2V @ 15V, 12A - 62 NC -
2N6760 Harris Corporation 2N6760 -
RFQ
 ECAD 6901 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-204aa - Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 400 V 5.5A (TC) 10V 1.22OHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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