SIC
close

Transistors (836)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Taper fet Condition de test Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
RF1S530SM9A Harris Corporation RF1S530SM9A 0,8800
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre Affeté 2156-RF1S530SM9A-600026 1
IRF623R Harris Corporation Irf623r -
RFQ
 ECAD 2643 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Vendeur indéfini 2156-IRF623R-600026 1
HC5523IM Harris Corporation HC5523im 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre Affeté 2156-HC5523IM-600026 1
RFD8P06LE Harris Corporation Rfd8p06le 0,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre Affeté 2156-RFD8P06L-600026 1
ICL7149CM44 Harris Corporation ICL7149CM44 5.4000
RFQ
 ECAD 235 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre Affeté 2156-ICL7149CM44-600026 1
RF1K4909096 Harris Corporation RF1K4909096 0,5700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre non affecté 2156-RF1K4909096-600026 1
BD244C Harris Corporation BD244C 0,7300
RFQ
 ECAD 5211 0,00000000 Harris Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 65 W À 220ab télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 200 100 V 6 A 700 µA Pnp 1,5 V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
BD244B Harris Corporation BD244B 0.1900
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 65 W À 220-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 271 80 V 6 A 700 µA Pnp 1,5 V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V 3 MHz
BD240A Harris Corporation BD240A -
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 Harris Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 30 W À 220 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 253 60 V 2 A 300 µA Pnp 700mV @ 200mA, 1A 40 @ 200mA, 4V -
IRF530 Harris Corporation IRF530 0 4700
RFQ
 ECAD 6322 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 14A (TC) 180MOHM @ 8A, 10V 4V @ 250µA ± 20V 800 pf @ 25 V - 75W (TC)
TIP117 Harris Corporation TIP117 -
RFQ
 ECAD 9187 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 2 W À 220-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 50 100 V 2 A 2MA PNP - Darlington 2,5 V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
TIP116 Harris Corporation TIP116 0,2000
RFQ
 ECAD 8072 0,00000000 Harris Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2 W À 220f télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 1 200 80 V 2 A 2MA PNP - Darlington 2,5 V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
HFA3127B Harris Corporation HFA3127B 5.3200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 150mw 16 ans télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.21.0075 48 - 12V 65mA 5 npn 40 @ 10mA, 2V 8 GHz 3,5 dB à 1Hz
IRFP9240 Harris Corporation IRFP9240 -
RFQ
 ECAD 5544 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 500 Canal p 200 V 12A (TC) 10V 500mohm @ 7.2a, 10v 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 150W (TC)
TIP127 Harris Corporation TIP127 1 0000
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 2 W À 220ab - Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 100 V 5 a 500 µA PNP - Darlington 4V @ 20mA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
RFD16N05 Harris Corporation RFD16N05 0,9300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 50 V 16A (TC) 10V 47MOHM @ 16A, 10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
HGTG30N60B3 Harris Corporation Hgtg30n60b3 3.1600
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 208 W À 247 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 450 480V, 30A, 3OHM, 15V - 600 V 60 a 220 A 1,9 V @ 15V, 30A 500 µJ (ON), 680µJ (OFF) 170 NC 36ns / 137ns
HUF75333P3 Harris Corporation HUF75333P3 0 7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 55 V 66a (TC) 16MOHM @ 66A, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 165 W À 247 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 450 480v, 20a, 10 ohms, 15v - 600 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 20A 475µJ (ON), 1 05MJ (OFF) 80 NC -
IRFD213 Harris Corporation IRFD213 0,5900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 250 V 450mA (TA) 2OHM @ 270mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V 140 pf @ 25 V - -
TIP115 Harris Corporation TIP115 -
RFQ
 ECAD 3125 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 À 220-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 50 60 V 2MA PNP - Darlington 2,5 V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V 25 MHz
RFD16N05LSM Harris Corporation RFD16N05LSM 1 0000
RFQ
 ECAD 2354 0,00000000 Harris Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 RFD16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 50 V 16A (TC) 4V, 5V 47MOHM @ 16A, 5V 2v @ 250mA 80 NC @ 10 V ± 10V - 60W (TC)
2N1482 Harris Corporation 2N1482 -
RFQ
 ECAD 5206 0,00000000 Harris Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 1 W To-5aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 55 V 1,5 A 5µA (ICBO) NPN 750mV @ 10mA, 200mA 35 @ 200mA, 4V
2N1700 Harris Corporation 2N1700 47.2100
RFQ
 ECAD 148 0,00000000 Harris Corporation * En gros Obsolète télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 7
IRFP451 Harris Corporation IRFP451 3.6000
RFQ
 ECAD 538 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 450 V 14A (TC) 10V 400MOHM @ 7,9A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFP251 Harris Corporation IRFP251 1.8700
RFQ
 ECAD 265 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 33A (TC) 10V 85MOHM @ 17A, 10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFP140R Harris Corporation IRFP140R 2.5400
RFQ
 ECAD 6300 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 31 Canal n 100 V 31A (TC) 10V 77MOHM @ 19A, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1275 PF @ 25 V - 180W (TC)
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 250 V 14A (TC) 10V 340MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFPG42 Harris Corporation Irfpg42 2.2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1000 V 3.9A (TC) 10V 4,2 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V - 150W (TC)
IRFF223 Harris Corporation IRFF223 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205af Métal Peut MOSFET (Oxyde Métallique) To-205af (to-39) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 150 V 3A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer