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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD17501Q5A | 2.0500 |  | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,9MOHM @ 25A, 10V | 1,8 V à 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2630 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
 | CSD88537ND | 1.3900 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 15MOHM @ 8A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 18nc @ 10v | 1400pf @ 30v | - | |||||||||||||||
 | CSD13303W1015 | 0,5500 | | 56 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD13303 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 31A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 20 mohm @ 1,5a, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 4,7 NC @ 4,5 V | ± 8v | 715 PF @ 6 V | - | 1 65W (TA) | |||||||||||||
 | CSD23382F4 | 0 4700 | | 74 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 3.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,35 NC @ 6 V | ± 8v | 235 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||
| TPS1101DR | 1.0319 | | 6739 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TPS1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 15 V | 2.3A (TA) | 2,7 V, 10V | 90MOHM @ 2,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 11.25 NC @ 10 V | + 2v, -15v | - | 791MW (TA) | ||||||||||||||
 | CSD87588N | 1.3900 | | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-xflga | CSD87588 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 5-Ptab (3x2,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 25A | 9.6MOHM @ 15A, 10V | 1,9 V à 250µA | 4.1nc @ 4.5 V | 736pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||
| CSD75301W1015 | - | | 8370 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD75301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.2A | 100 mohm @ 1a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2.1nc @ 4,5 V | 195pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||
| CSD25304W1015T | 1.1100 | | 982 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD25304W1015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 32,5 mohm @ 1,5a, 4,5 V | 1,15 V @ 250µA | 4.4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 595 PF @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||
 | Uln2803adw-p | - | | 3595 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | - | Rohs3 conforme | 296-uln2803adw-p | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50v | 500mA | 50 µA | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||
| TPS1120DR | 2.1000 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TPS1120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 840mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 15V | 1.17A | 180MOHM @ 1,5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 5.45nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||
| CSD16410Q5A | 0,9600 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 16A (TA), 59A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 17A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 5 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 740 PF @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||
| CSD16321Q5 | 1.6600 | | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16321 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 31A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2,4 mohm @ 25a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 3100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||
 | LP395Z / NOPB | 1 8000 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | LP395 | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | 36 V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||
| CSD16414Q5 | 2.0900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16414 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,9MOHM @ 30A, 10V | 2V à 250µA | 21 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 3650 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
| CSD17556Q5BT | 3 0000 | | 442 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 40a, 10v | 1,65 V @ 250µA | 39 NC @ 4,5 V | ± 20V | 7020 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | |||||||||||||
| CSD16323Q3C | - | | 1183 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16323 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-son-ep (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 60A (TC) | 3v, 8v | 4,5 mohm @ 24a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 8,4 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||
 | LM3046MX / NOPB | - | | 6651 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | LM3046 | 750mw | 14-SOIC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 500 | - | 15V | 50m | 5 npn | 40 @ 1MA, 3V | - | 3,25 dB à 1KHz | |||||||||||||||||
| CSD25481F4 | 0 4500 | | 80 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 88MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 0,913 NC @ 4,5 V | -12v | 189 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||
| CSD17556Q5B | 2 5000 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 34A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 40a, 10v | 1,65 V @ 250µA | 39 NC @ 4,5 V | ± 20V | 7020 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | |||||||||||||
 | CSD18543Q3A | 0,9600 | | 5344 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD18543 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 9.9MOHM @ 12A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Standard | 66W (TC) | |||||||||||||
| CSD18514Q5A | 0,9600 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18514 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 89a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2680 pf @ 20 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||
 | CSD18510KTT | 2 5000 | | 338 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 40 V | 274A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 100A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 250W (TA) | |||||||||||||
 | LM395T | 5.2500 | | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 220-3 | LM395 | À 220-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
| CSD18534Q5AT | 1.2900 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 50A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.8MOHM @ 14A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 11.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1770 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||||||||||||
| CSD13202Q2T | - | | 7046 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD13202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 12 V | 14.4A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.3MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 997 PF @ 6 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||||
| CSD16415Q5 | 2.4900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,15MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
 | CSD87355Q5DT | 2.9500 | | 750 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 45a | - | 1,9 V à 250µA | 13.7nc @ 4,5 V | 1860pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||||
| CSD18501Q5A | 1.8100 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 25A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||
| CSD18543Q3AT | 1.0200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD18543 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 12A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 15,6MOHM @ 12A, 4,5 V | 2,7 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Standard | 66W (TC) | |||||||||||||
 | CSD18533KCS | 1,7000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 72A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,3MOHM @ 75A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 3025 PF @ 30 V | - | 192W (TC) |
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