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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD19503KCS | 1.7300 |  | 1377 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 9.2MOHM @ 60A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 PF @ 40 V | - | 188W (TC) | ||||||||||
 | CSD23381F4 | 0 4500 | | 257 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 2.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 175MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 1.14 NC @ 4,5 V | -8v | 236 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| CSD25483F4 | 0,4300 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 205MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 0,959 NC à 4,5 V | -12v | 198 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
 | CSD17577Q5A | 0,8200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | ||||||||||
| CSD13383F4T | 0,9100 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13383F4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 2.9A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 44MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,25 V @ 250µA | 2,6 NC @ 4,5 V | ± 10V | 291 PF @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| CSD17483F4T | 0,9400 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 1.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 240mohm @ 500mA, 8v | 1,1 V @ 250µA | 1,3 NC @ 4,5 V | 12V | 190 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| CSD23381F4T | 0,9400 | | 18 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 2.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 175MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 1.14 NC @ 6 V | -8v | 236 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
 | Csd87333q3dt | 1 5500 | | 325 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Csd87333q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 15A | 14.3MOHM @ 4A, 8V | 1,2 V à 250µA | 4.6nc @ 4,5 V | 662pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | ||||||||||||
| CSD19534Q5A | 1.0500 | | 113 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 44a (TC) | 6v, 10v | 15.1MOHM @ 10A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||
| CSD19535KCS | 3.4500 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 150A (TA) | 6v, 10v | 3,6 mohm @ 100a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 101 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| CSD23382F4T | 0,8800 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 3.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,35 NC @ 4,5 V | ± 8v | 235 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
| CSD18563Q5AT | 1,6000 | | 23 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 6,8MOHM @ 18A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||
 | CSD17575Q3T | 1.3500 | | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17575 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 25A, 10V | 1,8 V à 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 20V | 4420 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 108W (TC) | ||||||||||
 | CSD25202W15T | 1.2800 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD25202W15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 26MOHM @ 2A, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 7,5 NC @ 4,5 V | -6v | 1010 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
 | CSD87501LT | 1.2000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
| CSD87501L | 1 0000 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
| CSD18540Q5B | 2.6700 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 28A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
| CSD22204W | 0,6500 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 2A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 24,6 NC @ 4,5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||
 | CSD19536KTTT | 6.0500 | | 468 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 3,2 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||
| CSD18533Q5AT | 1.6200 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 18A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||
| CSD17578Q5AT | 1.3600 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17578 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 25A (TA) | 4,5 V, 10V | 6,9MOHM @ 10A, 10V | 1,9 V à 250µA | 22.3 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||
| CSD17579Q5AT | 1.2900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17579 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 25A (TA) | 4,5 V, 10V | 9.7MOHM @ 8A, 10V | 2V à 250µA | 15.1 NC @ 10 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||||||||
 | CSD87353Q5D | 2.8800 | | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87353Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 40a | - | 2,1 V @ 250µA | 19nc @ 4,5 V | 3190pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
| CSD17322Q5A | 0,4616 | | 12 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17322 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 87a (TC) | 4,5 V, 8V | 8,8MOHM @ 14A, 8V | 2V à 250µA | 4.3 NC @ 4,5 V | ± 10V | 695 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
| CSD17327Q5A | 0,4292 | | 5973 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17327 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 65A (TC) | 4,5 V, 8V | 12.2MOHM @ 11A, 8V | 2V à 250µA | 3,4 NC @ 4,5 V | ± 10V | 506 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
| CSD87351Q5D | 2.2200 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 32a | 7,6MOHM @ 20A, 8V | 2,1 V @ 250µA | 7.7nc @ 4,5 V | 1255pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
 | Uln2803adwrg4 | - | | 4620 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||
 | CSD16406Q3 | 1.1700 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16406 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 19A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 8.1 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1100 pf @ 12,5 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||
 | CSD23201W10 | - | | 1128 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD232 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 2.2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 82MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2,4 NC @ 4,5 V | -6v | 325 pf @ 6 V | - | 1W (ta) | ||||||||||
| CSD25401Q3 | - | | 4271 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD2540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 14A (TA), 60A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 11.7MOHM @ 10A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 12.3 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1400 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA) |
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