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Transistors (427)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18540Q5B | 2.6700 |  | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 28A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | Uln2803adwg4 | - | | 7375 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
 | TPIC2322LD | 1.0800 | | 330 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 330 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25483F4 | 0,4300 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 205MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 0,959 NC à 4,5 V | -12v | 198 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
 | CSD87381pt | 1.1100 | | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-LGA | CSD87381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4W | 5-Ptab (3x2,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 15A | 16.3MOHM @ 8A, 8V | 1,9 V à 250µA | 5nc @ 4,5 V | 564pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
| CSD17305Q5A | 0,6663 | | 4357 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17305 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 29A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 3,4MOHM @ 30A, 8V | 1,6 V @ 250µA | 18,3 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD87501L | 1 0000 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | CSD87503Q3E | 1.6300 | | 627 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD87503 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 15.6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) couronne source | 30V | 10A (TA) | 13,5 mohm @ 6a, 10v | 2,1 V @ 250µA | 17.4nc @ 4,5 V | 1020pf @ 15v | - | |||||||||||||
| CSD17577Q5A | 0,8200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17577 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 53W (TC) | |||||||||||
 | CSD75204W15 | - | | 1422 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD75204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | - | 3A | - | 900 mV à 250 µA | 3.9nc @ 4,5 V | 410pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | CSD87353Q5D | 2.8800 | | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87353Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 40a | - | 2,1 V @ 250µA | 19nc @ 4,5 V | 3190pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | CSD25301W1015 | - | | 7649 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD2530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 75MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 270 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||
 | CSD19535KCS | 3.4500 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19535 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 150A (TA) | 6v, 10v | 3,6 mohm @ 100a, 10v | 3,4 V @ 250µA | 101 NC @ 10 V | ± 20V | 7930 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | CSD25404Q3T | 1.3800 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD25404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 104A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 6,5 mohm @ 10a, 4,5 V | 1,15 V @ 250µA | 14.1 NC @ 4,5 V | ± 12V | 2120 PF @ 10 V | - | 2.8W (TA), 96W (TC) | |||||||||||
| CSD19531Q5AT | 2.1400 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 6,4MOHM @ 16A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 3870 PF @ 50 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||
| Uln2803adw | 0,8520 | | 4904 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
| CSD23382F4T | 0,8800 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 3.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,35 NC @ 4,5 V | ± 8v | 235 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
| CSD17311Q5 | 2.0900 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17311 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 32A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2MOHM @ 30A, 8V | 1,6 V @ 250µA | 31 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 4280 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
 | Uln2803an-p | - | | 1762 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | ULN2803 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-ULN2803AN-P-296 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD16321Q5C | 1.9800 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD1632 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 31A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2,4 mohm @ 25a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 3100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD17313Q2 | 0,6600 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD17313 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5A (TC) | 3v, 8v | 30MOHM @ 4A, 8V | 1,8 V à 250µA | 2,7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA) | |||||||||||
| CSD25404Q3 | 1.1500 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD25404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 104A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 6,5 mohm @ 10a, 4,5 V | 1,15 V @ 250µA | 14.1 NC @ 4,5 V | ± 12V | 2120 PF @ 10 V | - | 2.8W (TA), 96W (TC) | |||||||||||
 | CSD87384M | 1.7800 | | 239 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8W | 5-Ptab (5x3,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 30A | 7,7MOHM @ 25A, 8V | 1,9 V à 250µA | 9.2nc @ 4,5 V | 1150pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | Csd87333q3dt | 1 5500 | | 325 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Csd87333q3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W | 8-VSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 15A | 14.3MOHM @ 4A, 8V | 1,2 V à 250µA | 4.6nc @ 4,5 V | 662pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||
 | CSD75211W1723 | - | | 2799 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-ufbga, dsbga | CSD75211 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | 12-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.5a | 40 mohm @ 2a, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 5.9nc @ 4,5 V | 600pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
 | TPIC1533DWR | 2.3100 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC5423LDW | 2.0700 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25480F3 | 0 4600 | | 11 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25480 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 1.7A (TA) | 1,8 V, 8V | 132MOHM @ 400mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 0,91 NC à 4,5 V | -12v | 155 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
| CSD18514Q5AT | 1.0100 | | 890 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18514 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 89a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2683 PF @ 20 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
| CSD16412Q5A | 0,9500 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16412 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 14A (TA), 52A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 10A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 3,8 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 530 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) |
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